发光器件及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:20009192 阅读:36 留言:0更新日期:2019-01-05 19:45
本公开提供了一种发光器件及其制造方法、显示装置,涉及显示技术领域,所述发光器件包括:发光单元;封装层,位于所述发光单元的一侧,所述封装层包括用于反射第一光的反射层;粘接层,位于所述封装层远离所述发光单元的一侧,所述粘接层包括能够被所述第一光固化的粘接材料;和彩膜层,位于所述粘接层远离所述封装层的一侧。

Light Emitting Device and Its Manufacturing Method and Display Device

The present disclosure provides a light-emitting device and its manufacturing method and display device, which relates to the display technology field. The light-emitting device includes: a light-emitting unit; a packaging layer, which is located on one side of the light-emitting unit, comprises a reflective layer for reflecting the first light; and an adhesive layer, which is located on the side of the packaging layer away from the light-emitting unit, comprises an adhesive layer capable of being placed. The first light-cured adhesive material and the color film layer are located on one side of the adhesive layer away from the packaging layer.

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制造方法、显示装置
本公开涉及显示
,尤其涉及一种发光器件及其制造方法、显示装置。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)是近年来发展起来的发光器件。以硅基半导体工艺制程,可以制备高PPI(PixelsPerInch,每英寸的像素数目)、高刷新率的OLED显示器,以便应用在虚拟现实或增强现实领域中。采用白光OLED配合彩膜层是实现OLED的彩色化的一种方式。为了实现OLED的高分辨率,目前多采用LTCF(LowTemperatureColorFilter,低温彩膜)工艺来形成彩膜层。
技术实现思路
专利技术人注意到,低温彩膜工艺会使得彩膜层与下层的封装层之间粘附性不好,从而影响OLED器件的可靠性,故通常需要在彩膜层与封装层之间额外增加粘接层。但是,专利技术人发现,在额外增加粘接层后,OLED器件的发光性能受到了影响。专利技术人经过进一步研究发现:粘接层是通过紫外固化工艺来形成的,紫外线的照射会对OLED中的发光层造成损伤,从而影响了OLED器件的发光性能。为了解决上述问题,本公开实施例提供了如下技术方案。根据本公开实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件,包括:发光单元;封装层,位于所述发光单元的一侧,所述封装层包括用于反射第一光的反射层;粘接层,位于所述封装层远离所述发光单元的一侧,所述粘接层包括能够被所述第一光固化的粘接材料;和彩膜层,位于所述粘接层远离所述封装层的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种发光器件,包括:发光单元;封装层,位于所述发光单元的一侧,所述封装层包括用于反射第一光的反射层;粘接层,位于所述封装层远离所述发光单元的一侧,所述粘接层包括能够被所述第一光固化的粘接材料;和彩膜层,位于所述粘接层远离所述封装层的一侧。2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述反射层包括分布式布拉格反射镜。3.根据权利要求2所述的发光器件,其中,所述分布式布拉格反射镜包括至少两个叠层,每个叠层包括硅的氧化物层和硅的氮化物层。4.根据权利要求3所述的发光器件,其中,所述硅的氮化物层位于所述硅的氧化物层远离所述发光单元的一侧。5.根据权利要求4所述的发光器件,其中,所述硅的氮化物层的厚度大于所述硅的氧化物层的厚度。6.根据权利要求3所述的发光器件,其中,所述分布式布拉格反射镜包括三个叠层。7.根据权利要求1-6任意一项所述的发光器件,其中,所述第一光包括紫外光。8.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述封装层包括第一阻挡层、第...

【专利技术属性】
技术研发人员:周青超杨盛际陈小川王青周卢阳
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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