无机物包裹量子点的混合薄膜及制备方法与QLED技术

本发明专利技术公开无机物包裹量子点的混合薄膜及制备方法与QLED，包括步骤：配制含无机物前驱体和量子点的混合液；通过溶液法将混合液制成混合薄膜；通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理，得到无机物包裹量子点的混合薄膜。本发明专利技术利用HHIC技术，通过溶液法即可制成无机物和量子点交联的混合薄膜，形成无机物包裹量子点的结构。本发明专利技术还可在无机物前驱体和量子点的体系中加入有机物，然后通过溶液法制成含无机物前驱体、有机物和量子点的混合薄膜，最后通过HHIC技术，使得形成的无机物、有机物和量子点交联在一起，形成无机物和有机物包裹量子点的结构。

Mixed Films of Inorganic Encapsulated Quantum Dots and Their Preparation Method and QLED

The invention discloses a mixed film of inorganic encapsulated quantum dots and a preparation method and QLED, including steps: preparing a mixed liquid containing inorganic precursors and quantum dots; making a mixed film from the mixed liquid by solution method; and crosslinking the mixed film by HHIC technology to obtain a mixed film of inorganic encapsulated quantum dots. The invention utilizes HHIC technology to prepare a mixed film of inorganic substances and quantum dots by solution method, forming a structure of inorganic substances encapsulating quantum dots. The invention can also add organic matter into the system of inorganic precursor and quantum dot, and then form a mixed film containing inorganic precursor, organic matter and quantum dot by solution method. Finally, by HHIC technology, the inorganic matter, organic matter and quantum dot can be crosslinked to form the structure of inorganic matter and organic matter encapsulating quantum dot.

【技术实现步骤摘要】
无机物包裹量子点的混合薄膜及制备方法与QLED
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种无机物包裹量子点的混合薄膜及制备方法与QLED器件。
技术介绍
胶体（Colloid）量子点是基于液相分布的纳米材料体系。胶体量子点通过不同的制备工艺（旋涂、打印、转印或涂布等），制备量子点多层或单层薄膜。在无机物前驱体和量子点的体系中，无机物前驱体包裹量子点一直以来是一个问题，一般通过真空物理沉积、PECVD等方法，可以很好的用无机物前驱体包裹量子点。但是这些方法受到真空工艺的限制，无法应用到溶液法中。另外，这些方法在量子点、有机物和无机物前驱体的包裹应用上十分捉襟见肘，因为一般的真空物理沉积，PECVD等由于能量太高无法使用有机物。可以沉积有机物的蒸镀法，不是沉积无机物前驱体的理想工艺，这是由于无机物前驱体的气化温度过高。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种无机物包裹量子点的混合薄膜及制备方法与QLED器件，旨在解决现有无机物包裹量子点受限于真空工艺，难以应用于溶液法中的问题。本专利技术的技术方案如下：一种无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其中，包括：步骤A、将无机物前驱体与量子点混合于溶剂中，得到含无机物前驱体和量子点的混合液；步骤B、通过溶液法将混合液制成混合薄膜；步骤C、通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理，得到无机物包裹量子点的混合薄膜。所述的无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其中，在混合液中加入有机物，得到无机物、有机物包裹量子点的混合薄膜。所述的无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其中，所述有机物为乙醇胺、2-苯氧基乙醇，乙二醇丁醚中的一种或多种。所述的无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其中，所述步骤A中，所述无机物前驱体为醋酸锌、醋酸钼、醋酸镍、醋酸钛、醋酸钨中的一种或多种。所述的无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其中，所述溶剂为甲氧基乙醇。所述的无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其中，所述步骤C具体包括：将含无机物前驱体和量子点的混合薄膜置于HHIC反应器中，通入H2，并使H2转变成H等离子，通过H等离子对含无机物前驱体和量子点的混合薄膜进行交联处理，使得无机物前驱体和量子点之间发生交联，得到无机物包裹量子点的混合薄膜。所述的无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其中，所述步骤C具体包括：将含无机物前驱体、有机物和量子点的混合薄膜置于HHIC反应器中，通入H2，并使H2转变成H等离子，通过H等离子对含无机物前驱体、有机物和量子点的混合薄膜进行交联处理，使得无机物前驱体、有机物和量子点之间发生交联，得到无机物、有机物包裹量子点的混合薄膜。所述的无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其中，所述H等离子的能量为1~100eV，所述交联处理的时间为1~30min。一种无机物包裹量子点的混合薄膜，其中，所述无机物包裹量子点的混合薄膜采用如上任一所述的制备方法制备而成。一种QLED器件，其中，所述QLED器件包括如上所述的无机物包裹量子点的混合薄膜。有益效果：本专利技术利用HHIC技术，通过溶液法即可制成无机物和量子点交联的混合薄膜，形成无机物包裹量子点的结构。附图说明图1为本专利技术一种无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法较佳实施例的流程图。具体实施方式本专利技术提供一种无机物包裹量子点的混合薄膜及制备方法与QLED器件，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。HHIC（Hyperthermalhydrogeninducedcross-linking)技术是通过H2作为起始反应剂，然后使H2转变成H等离子，接着以适合能量的H等离子打开C-H，H-O，S-H，H-N等化学键。之后这些打开的化学键重新接合，从而把化学物质交联在一起。此方法耗时短，条件要求低（室温），对反应物没有特殊要求，而且不会产生新的物质。具体地，HHIC反应器中，通过电子回旋加速离子源，利用电子回旋共振使等离子体电离。微波被注入到一定体积的频率对应的电子回旋共振。该容积包含低压气体如氢气、氦气等。微波的交替电场设置为与气体自由电子的回转周期同步,并增加其垂直动能。随后,当带电的自由电子与体积中的气体碰撞时,如果它们的动能大于原子或分子的电离能,它们就会引起电离。电离后的粒子通过电场加速获得一定的动能，获得动能的粒子通过碰撞，把能量传递到不带电的粒子。通过调节电场的大小，控制粒子的动能。已具有一定动能的粒子如H2作为起始反应剂，交联目标薄膜。一般的，带有H键的键能如下表1。表1因此用一定能量的H2，可以打开H键。形成氢元素和其他基团的自由基，涉及到的反应如下：-C-H→-C•+H••(1)；-N-H→-N•+H••(2)；-O-H→-O•+H••(3)；-Si-H→-Si•+H••(4)；-P-H→-P•+H••(5)；-S-H→-S•+H••(6)；=C-H→=C•+H••(7)。上述自由基可以相互结合，从而使物质交联到一起。在有机物中，-C-H键是大量存在的，并且-C-H的键能和H-H键的键能很接近，因此，-C-H是最可能发生交联反应的。而通过调节电场可以控制反应能量，从而有针对性的打开不同的化学键。使用H2作为反应物，不会产生新的副产物。而生成的H2，返回通过气流带走。当自由基形成后，可以在薄膜中扩散：•C-C-C-……-C-C-C-H→H-C-C-C-……-C-C-C•(8)一开始自由基在薄膜的表面浓度很大，通过扩散，自由基可以向薄膜内部迁移，这样交联反应在薄膜内部发生，从而使整个薄膜交联。以此同时，自由基是非常活跃的，不同的自由基之间可以相互反应，自由基与非自由基可以发生质子交换，例如下式(9)：-X•+H-R-→-X-H+•R-(9)；其中H-R-是烷烃基团，X是其他因素，因此这种质子交换的反应，可以扩大交联的物质范围。在量子点的表面含有各种有机配体，本专利技术通过HHIC方法可以使有机配体和其他有机/无机基团交联，涉及到的反应式主要为式(1)和(8)。具体地，图1为本专利技术的一种无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法较佳实施例的流程图，如图1所示，其包括步骤：步骤S100、将无机物前驱体与量子点混合于溶剂中，得到含无机物前驱体和量子点的混合液；具体地，所述无机物前驱体可以为醋酸锌、醋酸钼、醋酸镍、醋酸钛、醋酸钨等中的一种或两种，优选的所述无机物前驱体为醋酸锌。具体地，所述溶剂可以为但不限于甲氧基乙醇。具体地，所述量子点（QD）可以为但不限于红光量子点、绿光量子点、蓝光量子点和黄光量子点以及红外光量子点和紫外光量子点中的一种或多种。例如，所述量子点可以为红光量子点、绿光量子点或蓝光量子，还可以为红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点的混合量子点。即本专利技术可以将一种颜色的量子点与无机物前驱体混合，还可以是将不同颜色的量子点与无机物前驱体混合。步骤S200、通过溶液法将混合液制成混合薄膜；所述步骤S200具体为，旋涂所述混合液，将混合液制成一层混合薄膜，成膜后真空干燥或通过加热的方式（加热温度为60~100℃，如80℃）使溶剂挥发，加热时间为10~20min本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、将无机物前驱体与量子点混合于溶剂中，得到含无机物前驱体和量子点的混合液；步骤B、通过溶液法将混合液制成混合薄膜；步骤C、通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理，得到无机物包裹量子点的混合薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、将无机物前驱体与量子点混合于溶剂中，得到含无机物前驱体和量子点的混合液；步骤B、通过溶液法将混合液制成混合薄膜；步骤C、通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理，得到无机物包裹量子点的混合薄膜。2.根据权利要求1所述的无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其特征在于，在混合液中加入有机物，得到无机物、有机物包裹量子点的混合薄膜。3.根据权利要求2所述的无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机物为乙醇胺、2-苯氧基乙醇，乙二醇丁醚中的一种或多种。4.根据权利要求1或2所述的无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述无机物前驱体为醋酸锌、醋酸钼、醋酸镍、醋酸钛、醋酸钨中的一种或多种。5.根据权利要求1或2所述的无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其特征在于，所述溶剂为甲氧基乙醇。6.根据权利要求1所述的无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤C具体包括：将含无机物前驱体和量子点...

【专利技术属性】
技术研发人员：向超宇，钱磊，曹蔚然，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44