A surface treatment method of organic-inorganic hybrid perovskite film relates to a perovskite solar cell. Perovskite absorbing layer was prepared by one step method, and surface defects of perovskite film were treated by gas phase. The salt gas at A position obtained by high temperature heating in A metal box is introduced into B metal box heated at high temperature with perovskite substrate. While the surface defects of perovskite are passivated by the reaction between the modified gas and the surface of perovskite, the relatively closed high temperature metal box also inhibits the volatilization of residual solvents in perovskite films, which is beneficial to reducing the energy required for lattice adjustment during the growth of perovskite crystals, and to reducing the body defects and surface defects of perovskite crystals. Therefore, the photoelectric performance of perovskite solar cells can be significantly improved. It has the characteristics of simple process conditions, easy operation, flexibility, energy saving and environmental protection.
【技术实现步骤摘要】
一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的表面处理方法
本专利技术涉及钙钛矿太阳能电池,尤其是涉及通过气相法实现钙钛矿晶型ABX3中A位盐修饰钝化钙钛矿表面缺陷的制备,获得高结晶性、钝化钙钛矿表面缺陷的一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的表面处理方法。
技术介绍
随着经济社会的发展和进步,人们在享受高科技发展给人们的生活带来便利的同时,高能耗高排放等环境污染问题也随之困扰着人们。因此环境友好型的新能源受到了全世界的广泛关注。而钙钛矿太阳能电池作为太阳能电池家族中的新兴成员,它的光电转换效率,从2009年首次报道的3.8%【1】到2018年的23.2%【2】,短短9年的时间,将近20%的飞速提升,吸引了众多研究者的极大关注。钙钛矿太阳能电池有着高效率、制备工艺简单、低成本等显著优点。常见的制备方法从制备步骤来看,有一步、两步法,从成膜方式来看有液相成膜法、气象成膜法。然而,不管是用哪种方法,其实质都是钙钛矿晶粒生长的过程。晶粒生长的过程一般总是伴随着缺陷的存在,而作为半导体材料,钙钛矿晶粒中缺陷的存在极大地影响了其光生电子-空穴对的有效分离效率,从而影响太阳能电池的光电转换效率、迟滞等器 ...
【技术保护点】
1.一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的表面处理方法,其特征在于包括以下步骤:1)一步法制备钙钛矿吸光层;2)气相后处理钙钛矿薄膜表面缺陷。
【技术特征摘要】
1.一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的表面处理方法,其特征在于包括以下步骤:1)一步法制备钙钛矿吸光层;2)气相后处理钙钛矿薄膜表面缺陷。2.如权利要求1所述一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的表面处理方法,其特征在于在步骤1)中,所述一步法制备钙钛矿吸光层的具体方法为:首先在FTO或者ITO导电薄膜基底上制备电子传输层,将配制好的钙钛矿前驱体制备成膜,再将基片退火,让多余溶剂挥发,备用;所述钙钛矿前驱体的B位盐过量。3.如权利要求2所述一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的表面处理方法,其特征在于所述B位盐过量为PbI2过量,PbI2过量为0%~10%。4.如权利要求2所述一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的表面处理方法,其特征在于所述成膜的方法为一步旋涂法、两步旋涂法、一步蒸汽法、两步蒸汽法、刮涂、卷对卷。5.如权利要求2所述一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的表面处理方法,其特征在于所述退火的温度为30~400℃,退火的时间为0.05~60min。6.如权利要求1所述一...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨隆凯,虞旺,罗毅,何欣,吴扬,刘克永,
申请(专利权)人:领旺上海光伏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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