显示面板及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种显示面板及其制造方法，所述显示面板包括一玻璃基板、一绝缘层、一多晶硅层、一栅极绝缘层、一栅极层、一层间绝缘层及一源漏极接触层，所述多晶硅层定义有一第一掺杂区域、一第二掺杂区域及一第三掺杂区域，且所述源漏极接触层接触所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域，所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域具有不同的掺杂类型，使得所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域形成一PN结构，而所述第一掺杂区域及所述第二掺杂区域具有相同的掺杂类型。

Display panel and its manufacturing method

The invention discloses a display panel and a manufacturing method thereof. The display panel comprises a glass substrate, an insulating layer, a polycrystalline silicon layer, a gate insulating layer, a gate layer, an interlayer insulating layer and a source-drain contact layer. The polycrystalline silicon layer defines a first doping region, a second doping region and a third doping region, and the source-drain contact layer is contacted. The first doping region and the third doping region have different doping types, so that the first doping region and the third doping region form a PN structure, while the first doping region and the second doping region have the same doping type.

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制造方法
本专利技术是有关于一种显示面板及其制造方法，特别是有关于一种用于触控的显示面板及其制造方法。
技术介绍
现有技术中的医疗用非晶硅平板探测器即是一种传统光学传感器，包括非晶硅光电二极管与薄膜晶体管。如图1所示，为现有技术一种平板探测器像素单元的一示意图，在一透明基板11上形成有多个像素单元，每个像素单元包括：一薄膜晶体管12及一非晶硅光电二极管13，其中所述非晶硅光电二极管13包括：形成于所述透明基板11表面依次形成一第一遮光层131、一第一绝缘层132，一漏极电极层133，一N型层134，一中间层135，一P型层136以及一接触电极137。进一步来说，一绝缘层14将所述薄膜晶体管12与所述非晶硅光电二极管13绝缘，在所述薄膜晶体管12以及部分无需光照的区域的绝缘层14表面形成有一第二遮光层15，在所述接触电极137上形成有连接电极16，在所述第二遮光层15及所述连接电极16的上方形成所述钝化层17。其中所述第一遮光层131与所述薄膜晶体管12的栅极在同一金属层，所述漏极电极层133与所述薄膜晶体管12的漏极在同一金属层。然而，所述非晶硅光电二极管的主要部分为所述P型层136、所述中间层135以及所述N型层134的叠层，其中所述中间层135经过轻掺杂处理，因此，所述平板探测器的厚度近似于在所述薄膜晶体管12的漏极以上又叠加所述非晶硅光电二极管13的叠层厚度，而且所述非晶硅光电二极管的中间层135的厚度约为1微米，使得平板探测器的厚度较大，入射光在所述平板探测器的像素单元中的光程较长，容易进入相邻的像素单元而产生干扰。另外，所述像素单元包括分开设置的所述薄膜晶体管12与非晶硅光电二极管13，其中所述薄膜晶体管12与非晶硅光电二极管13之间相隔有一距离，使得所述像素单元的占据面积较大，分辨率较低。此外，所述非晶硅光电二极管13需要在形成所述薄膜晶体管12之后单独制作，需要多个步骤成膜与光刻工艺，使得生产成本较高。因此，有必要提供改良的一种显示面板及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示面板及其制造方法，利用在玻璃基板上以多晶硅形成所述薄膜晶体管，同时利用离子植入技术形成非晶硅光电二极管，使得指纹反射光的强弱变化可被非晶硅光电二极管识别。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术一实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括：一玻璃基板；形成在所述玻璃基板上的一绝缘层；形成在所述绝缘层上的一多晶硅层；形成在所述多晶硅层上的一栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的一栅极层；形成在所述栅极层上的一层间绝缘层；及形成在所述层间绝缘层的一源漏极接触层；其中所述多晶硅层定义有一第一掺杂区域、一第二掺杂区域及一第三掺杂区域，且所述源漏极接触层接触所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域，所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域具有不同的掺杂类型，使得所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域形成一PN结构，而所述第一掺杂区域及所述第二掺杂区域具有相同的掺杂类型。在本专利技术的一实施例中，所述第一掺杂区域为二N型重掺杂区，配置用以作为N+型层，所述第三掺杂区域为一P型掺杂区，配置用以作为P型层。在本专利技术的一实施例中，所述多晶硅层还定义有一非掺杂区，所述第二掺杂区域为二N型轻掺杂区，其中所述N型轻掺杂区分别位于所述非掺杂区的相对二侧。在本专利技术的一实施例中，所述N型重掺杂区及所述P型掺杂区所形成的PN结构定义为一非晶硅光电二极管，所述N型轻掺杂区、所述N型重掺杂区及所述栅极层定义为一薄膜晶体管。在本专利技术的一实施例中，所述非掺杂区与所述栅极层在所述玻璃基板的一投影重叠，所述P型掺杂区与所述N型重掺杂区在所述玻璃基板的一投影重叠。在本专利技术的一实施例中，所述显示面板还包含一遮光层，所述遮光层形成在所述玻璃基板上，而且所述绝缘层覆盖在所述遮光层上。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术另一实施例提供一种显示面板的制造方法，所述制造方法包括一多晶硅层形成步骤、一第一掺杂区域掺杂步骤、一第二掺杂区域掺杂步骤、一第三掺杂区域掺杂步骤、一层间绝缘层形成步骤及一源漏极接触层形成步骤；在所述多晶硅层形成步骤中，在一玻璃基板上沉积一绝缘层，并且在所述绝缘层形成一多晶硅层；在所述第一掺杂区域掺杂步骤中，在所述多晶硅层中定义出一第一掺杂区域，并对所述第一掺杂区域进行掺杂；在所述第二掺杂区域掺杂步骤中，依次沉积一栅极绝缘层及一第一金属层，并图案化所述第一金属层作为一栅极层，接着在所述多晶硅层中定义出一第二掺杂区域，并对所述第二掺杂区域进行掺杂，其中所述第一掺杂区域及所述第二掺杂区域具有相同的掺杂类型；在所述第三掺杂区域掺杂步骤中，在所述第一掺杂区域的一表面的一部分定义出一第三掺杂区域，并对所述第三掺杂区域进行掺杂，其中所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域具有不同的掺杂类型，使得所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域形成一PN结构；在所述层间绝缘层形成步骤中，沉积一层间绝缘层，并且在所述层间绝缘层上形成多个开孔；在所述源漏极接触层形成步骤中，在所述开孔沉积一第二金属层，并图案化所述第二金属层作为一源漏极接触层，使得所述源漏极接触层接触所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域。在本专利技术的一实施例中，在所述第一掺杂区域掺杂步骤中，所述第一掺杂区域为二N型重掺杂区，其中对所述N型重掺杂区进行N型掺杂，使得所述N型重掺杂区转化为N+型层。在本专利技术的一实施例中，在所述第二掺杂区域掺杂步骤中，所述第二掺杂区域为二N型轻掺杂区，并且对所述N型轻掺杂区进行N型掺杂，使得所述N型轻掺杂区转化为N-型层。在本专利技术的一实施例中，在所述第三掺杂区域掺杂步骤中，所述第三掺杂区域为一P型掺杂区，其中对所述P型掺杂区进行P型掺杂，使得所述P型掺杂区转化为P型层，且所述P型层位于在所述N+型层上。如上所述，在所述玻璃基板上以多晶硅形成所述薄膜晶体管，同时利用离子植入技术形成所述非晶硅光电二极管，使得指纹反射光的强弱变化可被所述非晶硅光电二极管识别。由于所述薄膜晶体管具有低的漏电流，识别所述非晶硅光电二极管的电流可获得较佳的信噪比。另外，所述PN结构可通过离子植入的深度及离子互补效应来实现N型及P型掺杂，使得所述薄膜晶体管及所述非晶硅光电二极管在制程中同时备置，不用另外再增加复杂的结构及工艺。附图说明图1是现有技术一种平板探测器像素单元的一示意图。图2是本专利技术显示面板的一优选实施例的一示意图。图3是本专利技术显示面板的制造方法的一优选实施例的一流程图。图4是本专利技术显示面板的制造方法的一优选实施例在遮光层形成步骤的一示意图。图5是本专利技术显示面板的制造方法的一优选实施例在多晶硅层形成步骤的一示意图。图6是本专利技术显示面板的制造方法的一优选实施例在N型掺杂步骤的一示意图。图7是本专利技术显示面板的制造方法的一优选实施例在栅极层形成步骤的一示意图。图8是本专利技术显示面板的制造方法的一优选实施例在P型掺杂步骤的一示意图。图9是本专利技术显示面板的制造方法的一优选实施例在层间绝缘层形成步骤的一示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于：所述显示面板包括：一玻璃基板；形成在所述玻璃基板上的一绝缘层；形成在所述绝缘层上的一多晶硅层；形成在所述多晶硅层上的一栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的一栅极层；形成在所述栅极层上的一层间绝缘层；及形成在所述层间绝缘层的一源漏极接触层；其中所述多晶硅层定义有一第一掺杂区域、一第二掺杂区域及一第三掺杂区域，且所述源漏极接触层接触所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域，所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域具有不同的掺杂类型，使得所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域形成一PN结构，而所述第一掺杂区域及所述第二掺杂区域具有相同的掺杂类型。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于：所述显示面板包括：一玻璃基板；形成在所述玻璃基板上的一绝缘层；形成在所述绝缘层上的一多晶硅层；形成在所述多晶硅层上的一栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的一栅极层；形成在所述栅极层上的一层间绝缘层；及形成在所述层间绝缘层的一源漏极接触层；其中所述多晶硅层定义有一第一掺杂区域、一第二掺杂区域及一第三掺杂区域，且所述源漏极接触层接触所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域，所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域具有不同的掺杂类型，使得所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域形成一PN结构，而所述第一掺杂区域及所述第二掺杂区域具有相同的掺杂类型。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述第一掺杂区域为二N型重掺杂区，配置用以作为N+型层，所述第三掺杂区域为一P型掺杂区，配置用以作为P型层。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于：所述多晶硅层还定义有一非掺杂区，所述第二掺杂区域为二N型轻掺杂区，其中所述N型轻掺杂区分别位于所述非掺杂区的相对二侧。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于：所述N型重掺杂区及所述P型掺杂区所形成的PN结构定义为一非晶硅光电二极管，所述N型轻掺杂区、所述N型重掺杂区及所述栅极层定义为一薄膜晶体管。5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于：所述非掺杂区与所述栅极层在所述玻璃基板的一投影重叠，所述P型掺杂区与所述N型重掺杂区在所述玻璃基板的一投影重叠。6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述显示面板还包含一遮光层，所述遮光层形成在所述玻璃基板上，而且所述绝缘层覆盖在所述遮光层上。7.一种如权利要求1的显示面板的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括步...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜源，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42