The invention provides a grounding structure of a microwave monolithic integrated circuit and its installation process, which relates to the field of microwave monolithic integrated circuit. The structure includes MMIC chip, metal cavity, circuit board and DC needle, welding between DC needle and metal cavity, welding between DC needle and circuit board, and the metal cavity is provided with a sinking hole one, a circular channel and two sinking holes in turn on the side close to the circuit board. The center of the sinking hole 1, channel and sinking hole 2 is located on the same axis. The sinking hole 1, channel and sinking hole 2 jointly connect the inside and outside of the metal cavity, forming a step 1 between sinking hole 1 and channel, and a step 2 between sinking hole 2 and channel; DC needle includes needle and needle body, step 1 can limit needle position, and solder filling zone between sinking hole 1 inner wall and needle is formed. A positioning gasket is arranged in the sinking hole 2, and a through hole is arranged in the center of the positioning gasket for the needle body to pass through. The invention solves the problem that the DC needle can not be correctly and rapidly aligned with the circuit board when there are more DC needles.
【技术实现步骤摘要】
一种微波单片集成电路接地结构及其安装工艺
本专利技术涉及微波单片集成电路领域,尤其涉及一种微波单片集成电路接地结构及其安装工艺。
技术介绍
基础单模块的功放芯片MMIC(即微波单片集成电路)主电源供电和负压偏置分别是从调制电路板加入,其中有主电源+VCC输入、-2V电源输入和GND公共地。MMIC芯片需要安装在一个能够传播电磁波的空腔内,此空腔的表面为金属层(或者整个空腔都是采用金属,下面,将此空腔称作金属空腔)。金属空腔设置在调制电路板上,MMIC芯片设置在金属空腔内部,且通过金属腔体与调制电路板连接。MMIC芯片通过银胶直接粘结在金属腔体上,金属腔体外部再使用银胶与调制电路板外露镀金底层粘结在一起,使电路板地(GND)与MMIC芯片地通过金属腔体形成电源地通路。每个MMIC芯片工作在低电压大电流状态时,印制板松动时接地不良时,粘结处的电阻增大,相当于在地线回路上等效串联了一只分压电阻,将会导致MMIC芯片的电源电压降低,从而影响MMIC功率降低;印制板接地粘结不良将造成粘结处电阻时大时小,不仅模块功率降低,而且会造成MMIC芯片电源电压高低波动,形成纹波电压,则会导致模块散谱现象,使得整机杂散大;MMIC芯片接地不良还会造成MMIC栅负压波动不稳定,这不仅会造成芯片工作状态不稳定,使输出杂散增大,而且严重者会损坏MMIC芯片,使得整机功率降低。为解决上述问题,目前的方法是采用螺钉固定电路板的方法,此方法中调制电路板地与金属腔体地之间压接的方法。此方法中主要是通过螺钉固定电路板,让电路板底层露出的镀金层与金属腔体紧密接触而形成地回路。但是,受模块金属腔体 ...
【技术保护点】
1.一种微波单片集成电路接地结构,其特征在于,包括MMIC芯片(1)、金属腔体(2)、电路板(3)和DC针(4),DC针(4)与金属腔体(2)之间焊接,DC针(4)与电路板(3)之间焊接;所述金属腔体(2)靠近电路板(3)的一侧设有依次贯通的沉孔一(5)、圆形通道(6)和沉孔二(7),沉孔一(5)、通道(6)、沉孔二(7)共同将金属腔体(2)内部和外部贯通,沉孔一(5)和沉孔二(7)的直径均大于通道(6)的直径,沉孔一(5)与通道(6)之间形成台阶一(8),沉孔二(7)与通道(6)之间形成台阶二(9);DC针(4)包括针头(4a)和针身(4b),台阶一(8)能够对针头(4a)进行限位,沉孔一(5)内壁与针头(4a)之间形成焊料填充区(10);沉孔二(7)内设有定位垫片(11),定位垫片(11)中央设有用于针身(4b)通过的通孔(11a),通孔(11a)的直径大于针身(4b)直径0.1‑0.2mm。
【技术特征摘要】
1.一种微波单片集成电路接地结构,其特征在于,包括MMIC芯片(1)、金属腔体(2)、电路板(3)和DC针(4),DC针(4)与金属腔体(2)之间焊接,DC针(4)与电路板(3)之间焊接;所述金属腔体(2)靠近电路板(3)的一侧设有依次贯通的沉孔一(5)、圆形通道(6)和沉孔二(7),沉孔一(5)、通道(6)、沉孔二(7)共同将金属腔体(2)内部和外部贯通,沉孔一(5)和沉孔二(7)的直径均大于通道(6)的直径,沉孔一(5)与通道(6)之间形成台阶一(8),沉孔二(7)与通道(6)之间形成台阶二(9);DC针(4)包括针头(4a)和针身(4b),台阶一(8)能够对针头(4a)进行限位,沉孔一(5)内壁与针头(4a)之间形成焊料填充区(10);沉孔二(7)内设有定位垫片(11),定位垫片(11)中央设有用于针身(4b)通过的通孔(11a),通孔(11a)的直径大于针身(4b)直径0.1-0.2mm。2.根据权利要求1所述的一种微波单片集成电路接地结构,其特征在于,所述通道(6)的直径为所述针身(4b)直径的两倍或两倍以上。3.根据权利要求1所述的一种微波单片集成电路接地结构,其特征在于,所属金属腔体(2)为表面涂覆金属层的腔体。4.根据权利要求1所述的一种微波单片集成电路接地结构,其特征在于,所述定位垫片(11)的外径比沉孔二(7)的直径小0.1-0.2mm。5.一种微波单片集成电路接地结构的安装工艺,所述结构的金属腔体(2)包括底部和顶部,其特征在于,所述安装工艺包括如下步骤:步骤1:在金属腔体(2)的底部上需要安装DC针(4)处制...
【专利技术属性】
技术研发人员:姜世君,
申请(专利权)人:成都天箭科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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