转移头阵列、转移头和转移无机发光二极管的方法技术

本发明专利技术公开了一种转移头阵列、转移头和转移无机发光二极管的方法。该转移头用于转移无机发光二极管，包括：在第一方向上依次设置的第一凹槽和第二凹槽，且第一凹槽与第二凹槽连通，其中，第一凹槽用于提供无机发光二极管进出转移头的出入口，无机发光二极管由第一凹槽进入第二凹槽后，至少部分结构被第二凹槽限制在转移头内。通过本发明专利技术，能够通过一种结构简单的转移头实现无机发光二极管的拾取与转移。

Method of Transfer Head Array, Transfer Head and Transfer Inorganic Light Emitting Diode

The invention discloses a method for transferring head array, transferring head and transferring inorganic light emitting diode. The transfer head is used for transferring the inorganic light emitting diode, including: the first groove and the second groove arranged in the first direction in turn, and the first groove is connected with the second groove. The first groove is used to provide the entrance and exit of the inorganic light emitting diode into the transfer head. After the inorganic light emitting diode enters the second groove from the first groove, at least part of the structure is limited by the second groove to rotate. Remove the head. Through the invention, the pickup and transfer of the inorganic light emitting diode can be realized by a simple structure transfer head.

【技术实现步骤摘要】
转移头阵列、转移头和转移无机发光二极管的方法
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种转移头阵列、转移头和转移无机发光二极管的方法。
技术介绍
传统的无机发光二极管(InorganicLightEmittingDiode，ILED)通常作为背光源用于液晶显示器的背光模组中，随着显示技术和无机发光二极管的发展，无机发光二极管作为像素应用于高分辨率显示面板中，实现了一种无机发光二极管显示面板。其中，在制作无机发光二极管显示面板时，一般需要在生长基板上生长ILED，然后再将生长好的ILED转运至阵列基板。目前，普遍的想法是采用转移头将ILED拾取然后转移到阵列基板，现有转移头主要利用静电力、范德华力、磁力等实现ILED的拾取与转移，转移头的结构比较复杂，不仅导致转移头的制备工艺复杂，难以制作，而且使用过程中容易损坏，导致拾取和转运的成功率降低。因此，提供一种结构简单的转移头，成为目前急需解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种转移头阵列、转移头和转移无机发光二极管的方法，以通过一种结构简单的转移头实现ILED的拾取与转移。为了达到上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种转移头。该转移头用于转移无机发光二极管，包括：在第一方向上依次设置的第一凹槽和第二凹槽，且第一凹槽与第二凹槽连通，其中，第一凹槽用于提供无机发光二极管进出转移头的出入口，无机发光二极管由第一凹槽进入第二凹槽后，至少部分结构被第二凹槽限制在转移头内。为了达到上述目的，第二方面，本专利技术提供了一种转移头阵列。该转移头阵列包括呈阵列排布的多个转移头，该转移头为本专利技术提供的任意一种转移头。为了达到上述目的，第三方面，本专利技术还提供了一种转移无机发光二极管的方法。该转移无机发光二极管的方法包括如下步骤：提供第一基板，其中，第一基板上包括若干无机发光二极管；提供转移头，其中，转移头包括第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽用于提供无机发光二极管进出转移头的出入口，第二凹槽用于至少将无机发光二极管的部分结构限制在转移头内；将转移头下压，以使位于第一基板的无机发光二极管经由第一凹槽进入转移头内；移动转移头，以使无机发光二极管由第一凹槽移动至第二凹槽；抬起转移头，以使无机发光二极管从第一基板上剥离。为了达到上述目的，第四方面，本专利技术还提供了另一种转移无机发光二极管的方法。该转移无机发光二极管的方法包括如下步骤：提供第二基板，其中，第二基板用于设置若干无机发光二极管；将位于转移头的第二凹槽内的无机发光二极管与第二基板固定，其中，第二凹槽用于至少将无机发光二极管的部分结构限制在转移头内；移动转移头，以使无机发光二极管由第二凹槽移动至转移头的第一凹槽，其中，第一凹槽用于提供无机发光二极管进出转移头的出入口；抬起转移头，以使无机发光二极管经由第一凹槽脱离转移头。与现有技术相比，本专利技术提供的转移头阵列、转移头和转移无机发光二极管的方法，至少实现了如下的有益效果：转移头利用物理结构实现对无机发光二极管的拾取和释放，转移头结构简单，相对通过电、磁等复杂结构实现的转移头，极大的降低了工艺难度和工艺成本，采用该转移头转移无机发光二极管时，转移过程中不容易损坏转移头，从而提高了拾取和释放的成功率。同时，通过包括若干该转移头的转移头阵列，能够实现对若干无机发光二极管的转移，对于无机发光二极管的巨量转运，提供了一种简单可靠的方法。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1是本专利技术一种实施例提供的转移头的结构示意图；图2为沿图1中切线A-A得到的转移头的剖面图；图3为沿图1中切线B-B得到的转移头的剖面图；图4是本专利技术一种实施例提供的无机发光二极管位于转移头的第一凹槽的示意图；图5是沿图4中切线A-A得到的转移头的剖面图；图6是本专利技术一种实施例提供的无机发光二极管位于转移头的第二凹槽的示意图；图7为沿图6中切线B-B得到的转移头的剖面图；图8是本专利技术一种实施例提供的转移无机发光二极管的方法的步骤流程图；图9是本专利技术一种实施例提供的转移无机发光二极管的流程示意图；图10是本专利技术另一种实施例提供的转移无机发光二极管的方法的步骤流程图；图11是本专利技术另一种实施例提供的转移无机发光二极管的流程示意图；图12是本专利技术一种实施例提供的转移头的第一凹槽与无机发光二极管的对比示意图；图13是本专利技术另一种实施例提供的转移头的第一凹槽与无机发光二极管的对比示意图；图14是本专利技术另一种实施例提供的转移头俯视图；图15是本专利技术一种实施例提供的转移头的第二凹槽与无机发光二极管的对比示意图；图16是本专利技术一种实施例提供的无机发光二极管的结构示意图；图17是本专利技术另一种实施例提供的转移头的第一凹槽与无机发光二极管的对比示意图；图18是本专利技术又一种实施例提供的转移头的第二凹槽与无机发光二极管的对比示意图；图19是本专利技术又一种实施例提供的转移头的第二凹槽与无机发光二极管的对比示意图；图20是本专利技术另一种实施例提供的转移头的结构示意图；图21为沿图20中切线A-A得到的转移头的剖面图；图22是本专利技术又一种实施例提供的转移头的结构示意图；图23为沿图22中切线B-B得到的转移头的剖面图；图24是本专利技术又一种实施例提供的转移无机发光二极管的方法的步骤流程图；图25是本专利技术又一种实施例提供的转移无机发光二极管的流程示意图；图26是本专利技术又一种实施例提供的转移无机发光二极管的方法的步骤流程图；图27是本专利技术又一种实施例提供的转移无机发光二极管的流程示意图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。在本专利技术的实施例中，提供了一种用于转移无机发光二极管的转移头，该转移头可将无机发光二极管由生长基板转移至显示面板的阵列基板。图1是本专利技术一种实施例提供的转移头的结构示意图，图2是沿图1中切线A-A得到的转移头的剖面图，图3是沿图1中切线B-B得到的转移头的剖面图，在一种实施例中，如图1至图3所示，该转移头10包括第一凹槽11和第二凹槽12，其中，第一凹槽11和第二凹槽12在第一方向x上依次设置且相互连通，也即，第一凹槽11和第二凹槽12形成转移头10上相互连通的通槽。如图1所示，第一方向x可以为直线所指的方向，第一方向x也可以为曲线所指的方向等。总之，只需要第一凹槽11和第二凹槽12在第一方向x上依次设置且相互连通即可，使得待转移的无机发光二极管能够沿着第一凹槽11和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转移头，其特征在于，用于转移无机发光二极管，所述转移头包括：在第一方向上依次设置的第一凹槽和第二凹槽，且所述第一凹槽与所述第二凹槽连通，其中，所述第一凹槽用于提供所述无机发光二极管进出所述转移头的出入口，所述无机发光二极管由所述第一凹槽进入所述第二凹槽后，至少部分结构被所述第二凹槽限制在所述转移头内。

【技术特征摘要】
1.一种转移头，其特征在于，用于转移无机发光二极管，所述转移头包括：在第一方向上依次设置的第一凹槽和第二凹槽，且所述第一凹槽与所述第二凹槽连通，其中，所述第一凹槽用于提供所述无机发光二极管进出所述转移头的出入口，所述无机发光二极管由所述第一凹槽进入所述第二凹槽后，至少部分结构被所述第二凹槽限制在所述转移头内。2.根据权利要求1所述的转移头，其特征在于，所述第一凹槽的第一距离大于所述无机发光二极管的第二距离，其中，所述第一距离为所述第一凹槽在第二方向上相对的两侧内壁之间的最小距离，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述第二距离为所述无机发光二极管在第三方向上相对两侧外壁之间的最大距离，所述无机发光二极管包括多层堆叠结构，所述第三方向与所述多层堆叠结构的堆叠方向垂直。3.根据权利要求2所述的转移头，其特征在于，所述第一凹槽的第一截面的形状与所述无机发光二极管的第二截面的形状相同，其中，所述第一截面与所述第一方向和所述第二方向均平行，所述第二截面与所述多层堆叠结构的堆叠方向垂直。4.根据权利要求3所述的转移头，其特征在于，所述第一截面与所述第二截面均为圆形或正多边形。5.根据权利要求2所述的转移头，其特征在于，所述第二凹槽的第三距离小于所述第二距离，其中，所述第三距离为所述第二凹槽在第二方向上相对的两侧内壁之间的最小距离，所述第二凹槽具有所述第三距离的位置与所述第二凹槽的槽底之间的距离大于0。6.根据权利要求5所述的转移头，其特征在于，所述第二凹槽的第三截面为梯形，其中，所述第三截面与所述第一方向垂直，所述梯形具有相对设置且相互平行的长边和短边，所述梯形的长边对应所述第二凹槽的槽底。7.根据权利要求6所述的转移头，其特征在于，所述第一凹槽的第四截面为矩形，其中，所述第四截面与所述第一方向垂直；所述第四截面在所述第二方向上的宽度与所述梯形的长边相等。8.根据权利要求5所述的转移头，其特征在于，所述第二凹槽的第三截面为矩形，其中，所述第三截面与所述第一方向垂直；所述第二凹槽在第二方向上相对的两侧内壁上分别设置有凸起，其中，两个所述凸起之间的距离为所述第三距离。9.根据权利要求8所述的转移头，其特征在于，所述第二凹槽两侧内壁上设置的凸起之间的距离可调。10.根据权利要求1所述的转移头，其特征在于，所述第二凹槽的第三距离大于所述无机发光二极管的第四距离，其中，所述第三距离为所述第二凹槽在第二方向上相对的两侧内壁之间的最小距离，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述第四距离为所述无机发光二极管在第三方向上相对两侧外壁之间的最小距离，所述无机发光二极管包括多层堆叠结构，所述第三方向与所述多层堆叠结构的堆叠方向垂直。11.根据权利要求1所述的转移头，其特征在于，所述第一凹槽靠近所述第二凹槽一侧的槽底部设置有第一通孔，所述转移头还包括第一固定块，所述第一固定块可经由所述第一通孔伸入所述第一凹槽，并在所述第一凹槽的深度方向上移动。12.根据权利要求1所述的转移头，其特征在于，所述第二凹槽的槽底部设置有第二通孔，所述转移头还包括第二固定块，所述第二固定块可经由所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：何泽尚，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31