切割带一体型粘接性片制造技术

本发明专利技术提供一种切割带一体型粘接性片，其适于在为了通过半导体晶圆的单片化得到带有粘接性薄膜的半导体芯片而使用切割带一体型粘接性片进行的割断用扩展工序中实现粘接性片的良好割断。本发明专利技术的切割带一体型粘接性片(X)具备切割带(20)和粘接性片。切割带(20)具有包含基材(21)和粘合剂层(22)的层叠结构。粘接性片以能剥离的方式与切割带(20)的粘合剂层(22)密合。粘接性片例如为半导体芯片背面保护用的薄膜(10)。粘接性片的、对宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距16mm、‑15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、且断裂伸长率为1.2％以下。

Cutting tape integrated adhesive sheet

The invention provides a cutting tape integral adhesive chip, which is suitable for realizing good cutting of the adhesive chip in the cutting expansion process using the cutting tape integral adhesive chip in order to obtain the semiconductor chip with the adhesive film through the monolithic process of the semiconductor wafer. The cutting belt integral adhesive sheet (X) of the invention has a cutting belt (20) and an adhesive sheet. The cutting belt (20) has a laminated structure comprising a substrate (21) and an adhesive layer (22). The adhesive sheet is closely bound to the adhesive layer (22) of the cutting strip (20) in a peeling manner. Adhesive wafers such as films (10) for protection of the back of semiconductor chips. The fracture strength and elongation at break of the bonded sheet and the bonded sheet with 2 mm width are less than 1.2N and 1.2% under the conditions of 16 mm initial chuck spacing, 15 C and 1.2N/min load increasing speed.

【技术实现步骤摘要】
切割带一体型粘接性片
本专利技术涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割带一体型粘接性片。
技术介绍
在半导体装置的制造过程中，有时会在对作为工件的半导体晶圆贴合与其对应大小的切割带一体型粘接性片的基础上，经过该半导体晶圆的单片化而得到带有粘接性薄膜的半导体芯片。作为切割带一体型粘接性片，可列举出切割带一体型背面保护薄膜、所谓的切割芯片接合薄膜等。切割带一体型背面保护薄膜具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及与该粘合剂层密合的背面保护薄膜，用于得到伴有与半导体芯片背面保护用的芯片大小相当的粘接性薄膜的半导体芯片。另一方面，切割芯片接合薄膜具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及与该粘合剂层密合的芯片接合薄膜，用于得到伴有与芯片大小相当的芯片接合用粘接薄膜的半导体芯片。这些涉及切割带一体型粘接性片的技术记载于例如下述专利文献1～4。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-2173号公报专利文献2：日本特开2010-177401号公报专利文献3：日本特开2011-151360号公报专利文献4：日本特开2016-213244号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题作为使用切割芯片接合薄膜得到带有芯片接合用粘接薄膜的半导体芯片的方法之一，已知有经历用于对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展并将芯片接合薄膜割断的工序的方法。该方法中，首先，在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合作为工件的半导体晶圆。该半导体晶圆被加工为例如能够在之后的芯片接合薄膜的割断中被割断并单片化为多个半导体芯片。接着，为了以从切割带上的芯片接合薄膜上产生分别与半导体芯片密合的多个粘接性薄膜小片的方式割断该芯片接合薄膜，将切割芯片接合薄膜的切割带扩展(割断用的扩展工序)。在该扩展工序中，在芯片接合薄膜上的半导体晶圆中的与芯片接合薄膜割断部位所对应的部位也产生割断，在切割芯片接合薄膜或切割带上将半导体晶圆单片化为多个半导体芯片。接着，例如经过清洗工序后，各半导体芯片与在其上密合的相当于芯片大小的粘接薄膜一起从切割带的下侧通过拾取机构的销构件被顶起并从切割带上被拾取。如此，可以得到带有芯片接合薄膜用粘接薄膜的半导体芯片。该带有粘接薄膜的半导体芯片隔着该粘接薄膜并通过芯片接合而固着于安装基板上。切割带一体型粘接性片用于上述那样的割断用扩展工序时，对于该切割带一体型粘接性片中的粘接性片要求可在该扩展工序中在割断预定部位被适宜地割断。本专利技术是基于以上那样的情况而考虑出的，其目的在于提供一种切割带一体型粘接性片，其适于为了通过半导体晶圆的单片化而得到带有粘接性薄膜的半导体芯片而在使用切割带一体型粘接性片进行的割断用的扩展工序中实现粘接性片的良好割断。用于解决问题的方案根据本专利技术，可提供切割带一体型粘接性片。该切割带一体型粘接性片具备切割带和粘接性片。切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构。粘接性片以能剥离的方式与切割带中的粘合剂层密合。该粘接性片的、对宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距16mm、-15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、优选为1.1N以下、更优选为1N以下。与此同时，粘接性片在相同拉伸试验中的断裂伸长率(断裂时的拉伸部分的长度相对于拉伸前的长度的比例)为1.2％以下、优选为1.1％以下、更优选为1％以下。这种构成的切割带一体型粘接性片可以在半导体装置的制造过程中使用。具体而言，对于本专利技术的切割带一体型粘接性片，作为粘接性片采用了所谓的背面保护薄膜的构成的切割带一体型背面保护薄膜，可以用于得到伴有半导体芯片背面保护用的与芯片大小相当的粘接性薄膜的半导体芯片。另外，对于本专利技术的切割带一体型粘接性片，作为针对粘接性片采用了所谓的芯片接合薄膜的构成的切割芯片接合薄膜，可以用于得到伴有相当于芯片大小的芯片接合用粘接薄膜的半导体芯片。对于该切割带一体型粘接性片中的粘接性片，如上所述，宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距离16mm、-15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、优选为1.1N以下、更优选为1N以下。对于这种构成，在半导体装置的制造过程中得到带有粘接性薄膜的半导体芯片并使用该切割带一体型粘接性片实施割断用扩展工序的情况下，在抑制为了割断切割带上的粘接性片而要作用于该粘接性片的割断力方面是适宜的。对于该切割带一体型粘接性片中的粘接性片，如上所述，宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距16mm、-15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为1.2％以下、优选为1.1％以下、更优选为1％以下。对于这种构成，在半导体装置的制造过程中得到带有粘接性薄膜的半导体芯片并使用该切割带一体型粘接性片来实施割断用扩展工序的情况下，在抑制使切割带上的粘接性片割断所需的拉伸长度方面是适宜的。如上所述，对于本专利技术的切割带一体型粘接性片，在抑制为了割断切割带上的粘接性片而要作用于该粘接性片的割断力方面是适宜地，且适于抑制用于该割断的粘接性片拉伸长度。这样的该切割带一体型粘接性片在用于通过半导体晶圆的单片化而得到带有粘接性薄膜的半导体芯片的割断用扩展工序中的情况下，适于实现粘接性片的良好割断。具体而言，如后述实施例和比较例所示。该切割带一体型粘接性片中的粘接性片优选具有层叠结构，所述层叠结构包含以能剥离的方式与切割带的粘合剂层密合的第1层和该第1层上的第2层。这种构成例如适于单独体现出粘接性片中对切割带粘合剂层侧表面所要求的特性、及对与该表面相对的工件贴附用表面所要求的特性。另外，从兼顾对粘接性片中的第1层和第2层所要求的功能这样的观点出发，第1层的厚度相对于第2层的厚度的比值优选为0.2～4、更优选为0.2～1.5、更优选为0.3～1.3、更优选为0.6～1.1。该切割带一体型粘接性片中的粘接性片为背面保护薄膜时，优选上述第1层具有热固性且上述第2层显示出热塑性。对于本专利技术中第1层具有热固性这样的构成，在对背面保护薄膜的第1层表面实施通过激光标记进行的刻印后经过所谓的回流工序等高温过程的情况下，适于确保刻印信息的辨识性。另外，对于本专利技术中第1层具有热固性而第2层显示出热塑性这样的构成，与背面保护薄膜例如由单一的热固性层构成这样的构成相比，适于在上述割断用扩展工序中实现背面保护薄膜的良好割断。即，背面保护薄膜中第1层具有热固性且第2层显示出热塑性这样的上述构成在兼顾背面保护薄膜中刻印信息的辨识性的确保和良好割断性的实现方面是适宜的。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式的切割带一体型粘接性片的截面示意图。图2表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。图3表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。图4表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。图5表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。图6表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。图7表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。图8表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割带一体型粘接性片，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；及以能剥离的方式与所述切割带的所述粘合剂层密合的粘接性片，所述粘接性片的、对宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距16mm、‑15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、且断裂伸长率为1.2％以下。

【技术特征摘要】
2017.06.27 JP 2017-1247021.一种切割带一体型粘接性片，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；及以能剥离的方式与所述切割带的所述粘合剂层密合的粘接性片，所述粘接性片的、对宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距16mm、-15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、且断裂伸长率为1.2％以下。2.根据权利要求1所述的切割带一体型粘接性片，其中，所述粘接性片具有包含与所述切割带的所述粘合剂层密合的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村龙一，志贺豪士，高本尚英，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP