The utility model discloses an anti-interference half-bridge driving circuit. After inputting QD_L terminal and QD_H terminal signals, the leakage output of the MOS transistor M1 is obtained through inductance L1 and inductance L2, respectively, and then through MOS transistor M1 and MOS transistor M2. The inductance L1 before the gate of the MOS transistor M1 can effectively suppress the spike interference generated in the circuit when power is turned on, thus avoiding the overshoot of the MOS transistor M1. The inductance L2 before the gate of the MOS M2 can effectively suppress the overshoot of the MOS M2 caused by the spike interference in the circuit during power-on, thus effectively avoiding the damage of the overshoot to the MOS M2.
【技术实现步骤摘要】
一种抗干扰的半桥驱动电路
本技术涉及驱动
，具体来说，涉及一种抗干扰的半桥驱动电路。
技术介绍
半桥驱动电路主要是通过功率管产生交流电触发信号，从而产生大电流进一步驱动下级负载，半桥驱动电路一般通过MOS管实现，但是在半桥驱动电路上电时的尖峰干扰会对MOS管产生过冲，从而导致MOS管的损坏。
技术实现思路
针对相关技术中的上述技术问题，本技术提出一种抗干扰的半桥驱动电路，能够克服现有技术的上述不足。为实现上述技术目的，本技术的技术方案是这样实现的：一种抗干扰的半桥驱动电路，包括输入QD_L端和QD_H端，所述QD_H端连接变压器L的一个输入端，所述的变压器L的一个输出端连接电阻RA1的一端和电阻RA3的一端，所述的电阻RA1的另一端连接二极管D1的正极，所述二极管D1的负极连接三极管VA1的发射极、电阻RA5的一端、稳压管ZA1的负极和电感L1的一端，所述三极管VA1的集极与所述电阻RA3的另一端连接，所述三极管VA1的集电极与所述变压器L的另一个输出端、电阻RA5的另一端和稳压管ZA1的正极连接，所述电感L1的另一端连接MOS管M1的栅极，所述MOS管M1的源极连...
【技术保护点】
1.一种抗干扰的半桥驱动电路，其特征在于，包括输入QD_L端和QD_H端，所述QD_H端连接变压器L的一个输入端，所述的变压器L的一个输出端连接电阻RA1的一端和电阻RA3的一端，所述的电阻RA1的另一端连接二极管D1的正极，所述二极管D1的负极连接三极管VA1的发射极、电阻RA5的一端、稳压管ZA1的负极和电感L1的一端，所述三极管VA1的集极与所述电阻RA3的另一端连接，所述三极管VA1的集电极与所述变压器L的另一个输出端、电阻RA5的另一端和稳压管ZA1的正极连接，所述电感L1的另一端连接MOS管M1的栅极，所述MOS管M1的源极连接所述稳压管ZA1的正极和MOS管M...
【技术特征摘要】
1.一种抗干扰的半桥驱动电路，其特征在于，包括输入QD_L端和QD_H端，所述QD_H端连接变压器L的一个输入端，所述的变压器L的一个输出端连接电阻RA1的一端和电阻RA3的一端，所述的电阻RA1的另一端连接二极管D1的正极，所述二极管D1的负极连接三极管VA1的发射极、电阻RA5的一端、稳压管ZA1的负极和电感L1的一端，所述三极管VA1的集极与所述电阻RA3的另一端连接，所述三极管VA1的集电极与所述变压器L的另一个输出端、电阻RA5的另一端和稳压管ZA1的正极连接，所述电感L1的另一端连接MOS管M1的栅极，所述MOS管M1的源极连接所述稳压管ZA1的正极和MOS管M2的漏极，所述MOS管M2的栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：张靖竟，鄂凌松，
申请(专利权)人：北京金晟达生物电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11
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