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本实用新型公开了一种抗干扰的半桥驱动电路，通过输入QD_L端和QD_H端输入信号后，分别通过电感L1和电感L2后通过MOS管M1和MOS管M2后从MOS管M1的漏极输出，其中，MOS管M1栅极之前的电感L1能够有效抑制上电时电路中产生的尖峰...
该专利属于北京金晟达生物电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京金晟达生物电子科技有限公司授权不得商用。

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