The invention discloses a charging device. A charging device includes a first PMOS tube, a first resistor, a second PMOS tube, a third PMOS tube, a first NPN tube, a fourth PMOS tube, a second NPN tube, a second resistor, a third resistor, a fifth PMOS tube, a fourth resistor and a battery. The stable charging current can be obtained by using the present invention.
【技术实现步骤摘要】
一种充电装置
本专利技术涉及集成电路技术，尤其涉及到一种充电装置。
技术介绍
现有技术的充电电流是随温度会有所变化，这样对电池造成损坏，寿命减少，甚者会产生爆炸。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种充电电流恒定的充电装置。一种充电装置，包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NPN管、第四PMOS管、第二NPN管、第二电阻、第三电阻、第五PMOS管、第四电阻和电池：所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的漏极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五...
【技术保护点】
1.一种充电装置，其特征在于：包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NPN管、第四PMOS管、第二NPN管、第二电阻、第三电阻、第五PMOS管、第四电阻和电池；所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的漏极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端，漏极接所述第三PMOS管的漏...
【技术特征摘要】
1.一种充电装置，其特征在于：包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NPN管、第四PMOS管、第二NPN管、第二电阻、第三电阻、第五PMOS管、第四电阻和电池；所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的漏极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第一NPN管的基极和集电极接在...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐中干，
申请(专利权)人：杭州展虹科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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