The utility model discloses a dual-energy X-ray detector, which comprises a low-energy sub-plate, a low-energy scintillator array and a first photodiode array arranged on the first PCB board in turn along the direction of ray incidence; a high-energy sub-plate, including a high-energy scintillator array and a second photodiode array arranged on the second PCB board in turn along the direction of ray incidence; and the low-energy sub-plate and a high-energy photodiode array. The energetic sub-plate is connected directly to the motherboard through a straight pin in turn along the incident direction of the ray, and the center points of the pixels of the first optical isolator are aligned with the center points of the corresponding high-energy scintillator arrays; the first optical isolator is said to be the low-energy scintillator array or the first photodiode array. The detector sub-boards of the utility model are directly connected with the motherboard through straight pins, which realizes the compact basic structure of the detector, improves the integration degree, realizes the high reliability connection of the detector and the reliability of the product operation, and greatly reduces the product cost.
【技术实现步骤摘要】
一种双能量X射线探测器
本专利技术涉及辐射检测
更具体地,涉及一种双能量X射线探测器。
技术介绍
X射线是波长很短的电磁波,具有很高的穿透本领。利用X射线进行探测时,X射线穿透被检物体之后,其能谱会硬化,硬化程度与被检物体的材料成分及穿透方向的厚度有关。传统的双能量X射线探测器是由高、低能两个探测器组成,通常是用可插拔阵列和分立放大电路,其中每个探测器又包括一个闪烁体阵列和一个光电二极管阵列。低能阵列探测器布置在靠近被检物体的一侧,主要吸收X射线能谱中的低能部分,高能阵列探测器布置在低能阵列探测器后边,主要吸收X射线能谱中的高能部分。一般在低能阵列探测器和高能阵列探测器之间还配置一个滤波片来进一步吸收X射线能谱中剩余的低能部分。利用双能量X射线探测器输出原始的图像信号,处理系统基于上述原始的图像信号,比较出物体在两个不同能量下的透射比,计算出穿透物体的X射线能谱中低能部分和高能部分的相对差别,进而提供材料识别的依据。一方面,传统双能量X射线探测器集成度低;而且通常使用软排线把高低能信号连接到数字母板;软排线成本较高。虽然在维修、更换阵列方面具有一定灵活性, ...
【技术保护点】
1.一种双能量X射线探测器,其特征在于,包括对应设置的低能子板和高能子板,其中:所述低能子板包括沿射线入射方向依次设置于第一PCB板上的低能闪烁体阵列和第一光电二极管阵列,所述第一光电二极管阵列用于检测所述低能闪烁体阵列发出的光信号并转化为所述低能子板的电信号;所述高能子板包括沿射线入射方向依次设置于第二PCB板上的高能闪烁体阵列和第二光电二极管阵列,所述第二光电二极管阵列用于检测所述高能闪烁体阵列发出的光信号并转化为所述高能子板的电信号;所述低能子板和高能子板沿射线入射方向依次通过直插针直接连接到母板上,第一光隔器件各像元中心点与对应高能闪烁体阵列各像元中心点对准,其中, ...
【技术特征摘要】
1.一种双能量X射线探测器,其特征在于,包括对应设置的低能子板和高能子板,其中:所述低能子板包括沿射线入射方向依次设置于第一PCB板上的低能闪烁体阵列和第一光电二极管阵列,所述第一光电二极管阵列用于检测所述低能闪烁体阵列发出的光信号并转化为所述低能子板的电信号;所述高能子板包括沿射线入射方向依次设置于第二PCB板上的高能闪烁体阵列和第二光电二极管阵列,所述第二光电二极管阵列用于检测所述高能闪烁体阵列发出的光信号并转化为所述高能子板的电信号;所述低能子板和高能子板沿射线入射方向依次通过直插针直接连接到母板上,第一光隔器件各像元中心点与对应高能闪烁体阵列各像元中心点对准,其中,所述第一光隔器件为所述低能闪烁体阵列或第一光电二极管阵列。2.根据权利要求1所述双能量X射线探测器,其特征在于,所述第一光隔器件为低能闪烁体阵列时,所述低能闪烁体阵列设置有光隔。3.根据权利要求1所述双能量X射...
【专利技术属性】
技术研发人员:高占军,
申请(专利权)人:同源微北京半导体技术有限公司,
类型:新型
国别省市:北京,11
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