一种宽输入电压供电装置制造方法及图纸

技术编号:19938045 阅读:56 留言:0更新日期:2018-12-29 06:20
本发明专利技术公开一种宽输入电压供电装置,包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、二极管V1、V3、V6、PMOS管V2、V4、V5、三极管V7以及电容C1;二极管V3、PMOS管V4和电阻R4、R5构成第一过压探测门限电路,PMOS管V2、二极管V1、电阻R3构成第二过压探测门限电路,PMOS管V5、二极管V6、三级管V7、电阻R1、R2、R6、R7构成第三过压探测门限电路,使用三个PMOS管构成三个过压探测门限,来分段控制输入电压供电装置,输入较低电压时,也即后续电路能承受的电压范围,通过判断输入电压范围,来控制两个PMOS管,保证输入电压直接供到后续电路上,从而减少调整三极管的功率损耗,调整三极管发热严重的现象;本供电装置结构简单、成本低、可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
一种宽输入电压供电装置
本专利技术涉及开关电源
,具体是一种宽输入电压供电装置。
技术介绍
开关电源的宽输入供电电压范围一般由线性稳压电路构成,主要包括限流电阻、稳压管、调整三极管构成。但这种结构有一个缺陷,就是当输入电压较小(后续电路能承受的电压范围),供电电流大时,调整三极管的功率损耗很大,调整三极管发热严重,对可靠性有影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种宽输入电压供电装置,该装置能够针对供电电路减少调整三极管的功率损耗,解决三极管发热严重的现象,并且结构简单、成本低、可靠性高。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种宽输入电压供电装置,包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、二极管V1、V3、V6、PMOS管V2、V4、V5、三极管V7以及电容C1;电阻R1与R2相串联在外电压输入Vin与GND之间,R1与R2的连接端与PMOS管V5的栅极相连,PMOS管V5的源极连接GND,电阻R6与二极管V6串联在外电压输入Vin与GND之间,电阻R6与二极管V6的连接端与PMOS管V5的漏极相连;电阻R7的一端连接至电阻R6与V6的连接端,另一端连接至三本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽输入电压供电装置,其特征在于,包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、二极管V1、V3、V6、PMOS管V2、V4、V5、三极管V7以及电容C1;电阻R1与R2相串联在外电压输入Vin与GND之间,R1与R2的连接端与PMOS管V5的栅极相连,PMOS管V5的源极连接GND,电阻R6与二极管V6串联在外电压输入Vin与GND之间,电阻R6与二极管V6的连接端与PMOS管V5的漏极相连;电阻R7的一端连接至电阻R6与V6的连接端,另一端连接至三极管V7的基极;三极管V7的集电极连接电压输入Vin端、发射极连接电压端Vi;电阻R3与二极管V1串联在外电压输入Vin与GND之间,...

【技术特征摘要】
1.一种宽输入电压供电装置,其特征在于,包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、二极管V1、V3、V6、PMOS管V2、V4、V5、三极管V7以及电容C1;电阻R1与R2相串联在外电压输入Vin与GND之间,R1与R2的连接端与PMOS管V5的栅极相连,PMOS管V5的源极连接GND,电阻R6与二极管V6串联在外电压输入Vin与GND之间,电阻R6与二极管V6的连接端与PMOS管V5的漏极相连;电阻R7的一端连接至电阻R6与V6的连接端,另一端连接至三极管V7的基...

【专利技术属性】
技术研发人员:桑泉陈雪山
申请(专利权)人:北方电子研究院安徽有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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