【技术实现步骤摘要】
JFET型自激式交错并联Flyback变换器
本专利技术涉及交错并联Flyback变换器，尤其是一种适用于低电压输入的交错并联Flyback变换器，可应用于LED驱动、能量收集、辅助电源等场合。
技术介绍
和他激式Flyback变换器相比，自激式交错并联Flyback变换器具有输入/输出电流纹波小、易于启动、易于扩容、成本低等优点。增强型MOSFET和BJT是常见的半导体器件，都可用于构建自激式交错并联Flyback变换器。当应用于低电压输入的场合时，增强型MOSFET因其栅源极阈值电压较高而不适用。基极-发射极导通电压较低的BJT虽适用，但是它的驱动和导通损耗均较大。
技术实现思路
为了克服现有BJT在构建低电压输入的交错并联Flyback变换器时存在损耗较大的不足，本专利技术提供一种JFET型自激式交错并联Flyback变换器，目的在于同时实现低输入电压启动、宽输入电压范围工作和高效率。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种JFET型自激式交错并联Flyback变换器，包括变压器T1、变压器T2、N型JFET管J1、N型JFET管J2、二极管D1、二极管...
【技术保护点】
1.一种JFET型自激式交错并联Flyback变换器，其特征在于：所述JFET型自激式交错并联Flyback变换器包括变压器T1、变压器T2、N型JFET管J1、N型JFET管J2、二极管D1、二极管D2、电容Co、驱动支路1和驱动支路2，驱动支路j具有端口aj、端口bj、端口cj和端口dj，j的取值范围为1至2，直流电源Vi的正端同时与变压器T1原边的一端和变压器T2原边的一端相连，变压器T1原边的另一端同时与N型JFET管J1的漏极和驱动支路2的端口c2相连，变压器T1副边的一端同时与驱动支路2的端口d2和二极管D1的阳极相连，二极管D1的阴极同时与二极管D2的阴极、电...
【技术特征摘要】
1.一种JFET型自激式交错并联Flyback变换器，其特征在于：所述JFET型自激式交错并联Flyback变换器包括变压器T1、变压器T2、N型JFET管J1、N型JFET管J2、二极管D1、二极管D2、电容Co、驱动支路1和驱动支路2，驱动支路j具有端口aj、端口bj、端口cj和端口dj，j的取值范围为1至2，直流电源Vi的正端同时与变压器T1原边的一端和变压器T2原边的一端相连，变压器T1原边的另一端同时与N型JFET管J1的漏极和驱动支路2的端口c2相连，变压器T1副边的一端同时与驱动支路2的端口d2和二极管D1的阳极相连，二极管D1的阴极同时与二极管D2的阴极、电容Co的一端和负载的一端相连，电容Co的另一端同时与负载的另一端、变压器T1副边的另一端和变压器T2副边的另一端相连，变压器T2原边的另一端同时与N型JFET管J2的漏极和驱动支路1的端口c1相连，变压器T2副边的一端同时与驱动支路1的端口d1和二极管D2的阳极相连，直流电源Vi的负端同时与N型JFET管J1的源极、N型JFET管J2的源极、驱动支路1的端口b1和驱动支路2的端口b2相连，N型JFET管J1的栅极与驱动支路1的端口a1相连，N型JFET管J2的栅极与驱动支路2的端口a2相连，变压器T1原边的一端和变压器T1副边的另一端是同名端关系，变压器T2原边的一端和变压器T2副边的另一端是同名端关系。2.如权利要求1所述的JFET型自激式交错并联Flyback变换器，其特征在于：所述驱动支路1中，当N型JFET管J2导通时，其端口a1和端口b1之间产生负电压关断N型JFET管J1；所述驱动支路2中，当N型JFET管J1导通时，其端口a2和端口b2之间产生负电压关断N型JFET管J2。3.如权利要求1或2所述的JFET型自激式交错并联Flyback变换器，其特征在于：所述驱动支路j包括稳压管Zaj、电阻Raj和电容Caj，驱动支路j的端口aj同时与稳压管Zaj的阳极和电阻Raj的一...
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