【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制造方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
为了实现显示装置的窄边框设计,通常需要缩减显示装置中显示基板非显示区域的尺寸。相关技术中,显示基板的非显示区域设置有多条电源信号线,该多条电源信号线可以用于为显示区域设置的像素单元提供电源信号。例如该多条电源信号线可以包括:用于提供高电平的VDD电源信号线以及用于提供低电平的VSS电源信号线。但是,在缩减显示基板非显示区域的尺寸后,电源信号线的线宽变窄,导致电源信号线的电阻变大,影响显示装置的显示效果。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置,可以解决相关技术中由于电源信号线的线宽变窄,导致电源信号线的电阻变大,进而影响显示装置的显示效果的问题。所述技术方案如下:第一方面,提供了一种显示基板,所述显示基板包括:衬底基板,以及设置在所述衬底基板上的遮光层,所述遮光层由导电材料制成,且所述遮光层位于非显示区域的部分包括间隔设置的第一遮光图案和第二遮光图案;所述遮光层远离所述衬底基板的一侧设置有中间绝缘层,所述中间绝缘层位于所述非显示区域的部分设置有第一过孔和第二过孔;所述中间绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置有金属层,所述金属层位于所述非显示区域的部分包括间隔设置的第一电源信号线和第二电源信号线,所述第一电源信号线通过所述第一过孔与所述第一遮光图案连接,所述第二电源信号线通过所述第二过孔与所述第二遮光图案连接。可选的,所述金属层远离所述衬底基板的一侧设置有第一电极层,所述第一电极层包括位于所述非显示区域且与所述第一电源信 ...
【技术保护点】
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:衬底基板,以及设置在所述衬底基板上的遮光层,所述遮光层由导电材料制成,且所述遮光层位于非显示区域的部分包括间隔设置的第一遮光图案和第二遮光图案;所述遮光层远离所述衬底基板的一侧设置有中间绝缘层,所述中间绝缘层位于所述非显示区域的部分设置有第一过孔和第二过孔;所述中间绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置有金属层,所述金属层位于所述非显示区域的部分包括间隔设置的第一电源信号线和第二电源信号线,所述第一电源信号线通过所述第一过孔与所述第一遮光图案连接,所述第二电源信号线通过所述第二过孔与所述第二遮光图案连接。
【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:衬底基板,以及设置在所述衬底基板上的遮光层,所述遮光层由导电材料制成,且所述遮光层位于非显示区域的部分包括间隔设置的第一遮光图案和第二遮光图案;所述遮光层远离所述衬底基板的一侧设置有中间绝缘层,所述中间绝缘层位于所述非显示区域的部分设置有第一过孔和第二过孔;所述中间绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置有金属层,所述金属层位于所述非显示区域的部分包括间隔设置的第一电源信号线和第二电源信号线,所述第一电源信号线通过所述第一过孔与所述第一遮光图案连接,所述第二电源信号线通过所述第二过孔与所述第二遮光图案连接。2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述金属层远离所述衬底基板的一侧设置有第一电极层,所述第一电极层包括位于所述非显示区域且与所述第一电源信号线接触的搭接电极,以及位于显示区域的多个间隔设置的第一电极块;所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧设置有发光层,且所述发光层位于所述显示区域内;所述发光层远离所述衬底基板的一侧设置有第二电极层,所述第二电极层覆盖所述显示区域和所述非显示区域,并与所述搭接电极接触。3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述衬底基板远离所述遮光层的一侧设置有多个传感器;所述发光层包括多个间隔设置的发光单元;所述遮光层还包括:位于所述显示区域的第三遮光图案,所述第三遮光图案中设置有多个通孔,每个所述通孔在所述衬底基板上的正投影,与一个所述传感器在所述衬底基板上的正投影重叠,且每个所述通孔在所述衬底基板上的正投影与每个所述发光单元在所述衬底基板上的正投影均不重叠。4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第三遮光图案与所述第二遮光图案为一体结构。5.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,每个所述第一电极块在所述衬底基板上的正投影,与一个所述发光单元在所述衬底基板上的正投影重叠。6.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:设置在所述金属层远离所述衬底基板一侧的平坦层,且所述平坦层在所述衬底基板上的正投影与所述第一电源信号线在所述衬底基板上的正投影不重叠;所述第一电极块设置在所述平坦层远离所述衬底基板的一侧。7.根据权利要求1至5任一所述的显示基板,其特征在于,所述金属层位于所述非显示区域的部分包括两条所述第一电源信号线,两条所述第一电源信号线相对设置在显示区域的两侧;所述中间绝缘层位于所述非显示区域的部分设置有多个所述第一过孔,每条所述第一电源信号线...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨慧娟,刘庭良,董向丹,高永益,冯靖伊,都蒙蒙,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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