薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管、显示基板及显示面板技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管的制造方法，制造方法包括：形成有源层；形成源漏金属材料层，源漏金属材料层包括源极区、漏极区和位于源极区和漏极区之间的绝缘预备区；对绝缘预备区进行氧化处理，以使得绝缘预备区形成为绝缘块、源极区形成为源极、漏极区形成为漏极。本发明专利技术还提供采用薄膜晶体管的制造方法制造的薄膜晶体管、包括薄膜晶体管的显示基板以及包括显示基板的显示面板，薄膜晶体管的制造方法可以避免形成源极和漏极过程中对有源层的污染和损害，使得所述薄膜晶体管的源极、漏极与所述有源层形成良好的欧姆接触，进而提升所述薄膜晶体管的器件稳定性。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管、显示基板及显示面板
本专利技术涉及氧化物薄膜晶体管制造
，具体地，涉及一种薄膜晶体管的制造方法、采用该方法制造的薄膜晶体管、包括所述薄膜晶体管的显示基板以及包括所述显示基板的显示面板。
技术介绍
在现有技术中，一般在金属氧化物薄膜晶体管形成有源层后，采用背沟道刻蚀(BCE)工艺或者刻蚀阻挡工艺制造源漏电极。对于金属氧化物薄膜晶体管而言，为了确保该金属氧化物薄膜晶体管的性能，应当降低有源层与源极、有源层与漏极之间的接触电阻，使得有源层与源极、有源层与漏极之间具有良好的欧姆接触。因此，如何设计一种新的薄膜晶体管制造方法，以使得利用该方法制造的所述薄膜晶体管的源极、漏极与所述有源层形成良好的欧姆接触，进而提升所述薄膜晶体管的性能成为亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管的制造方法、采用该方法制造的薄膜晶体管、包括所述薄膜晶体管的显示基板以及包括所述显示基板的显示面板，所述薄膜晶体管的制造方法制造的所述薄膜晶体管的源极、漏极与所述有源层形成良好的欧姆接触，进而提升所述薄膜晶体管的器件稳定性。为了解决上述问题，作为本专利技术第一个方面，提供了一种薄膜晶体管的制造方法，其中，所述制造方法包括：形成有源层；形成源漏金属材料层，所述源漏金属材料层包括源极区、漏极区和位于所述源极区和所述漏极区之间的绝缘预备区；对所述绝缘预备区进行氧化处理，以使得所述绝缘预备区形成为绝缘块、所述源极区形成为源极、所述漏极区形成为漏极，所述绝缘块将所述源极和所述漏极绝缘间隔开。优选地，对所述绝缘预备区进行氧化处理的步骤包括：形成掩膜图形，所述掩膜图形包括源极保护块、漏极保护块和镂空区，所述源极保护块设置在所述源极区上方，所述漏极保护块设置在所述漏极区上方，所述镂空区设置在所述源极保护块和所述漏极保护块之间，以露出所述绝缘预备区的表面；通入含氧工艺气体，利用所述含氧工艺气体通过所述镂空区对所述绝缘预备区进行氧化，以使得所述绝缘预备区被氧化形成所述绝缘块。优选地，通入含氧工艺气体的步骤中，对所述含氧工艺气体进行等离子化。优选地，在形成有源层的步骤中，采用磁控溅射工艺形成所述有源层，其中，磁控溅射的靶材包括由氧化铟、氧化镓、氧化锌烧结而成的有源层靶材，溅射用工艺气体包括惰性气体和氧气。优选地，随着形成有源层的步骤的进行，执行磁控溅射工艺的工艺腔室中的氧气通量逐渐减少。作为本专利技术的第二个方面，提供一种薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管由本专利技术所提供的上述制造方法制成，所述薄膜晶体管包括有源层和源漏层，所述源漏层设置在所述有源层厚度方向的一侧，所述源漏层包括一体成型的源极、漏极和绝缘块，所述源极和所述漏极之间形成有间隔，所述绝缘块设置在所述间隔中，以将所述源极和所述漏极绝缘间隔，所述绝缘块由形成所述源极和所述漏极的材料进行氧化获得的材料制成。优选地，所述薄膜晶体管还包括栅极和栅极绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述有源层和所述栅极之间。优选地，所述薄膜晶体管还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏层。作为本专利技术的第三个方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管为本专利技术所提供的上述薄膜晶体管。作为本专利技术的第四个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括显示基板，其中，所述显示基板为本专利技术所提供的上述显示基板。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为本专利技术所提供的所述薄膜晶体管的制造方法的流程示意图；图2为本专利技术图1中步骤S103的具体步骤流程示意图；图3a至图3f为采用本专利技术所提供的所述薄膜晶体管的制造方法制得的所述薄膜晶体管的结构示意图。附图标记说明101：衬底基板102：栅极103：栅绝缘层104：有源层105：源极106：漏极107：绝缘块108：钝化层具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。作为本专利技术第一个方面，提供了一种薄膜晶体管的制造方法，其中，如图1所示，所述制造方法包括：步骤S101、形成有源层；步骤S102、形成源漏金属材料层，所述源漏金属材料层包括源极区、漏极区和位于所述源极区和所述漏极区之间的绝缘预备区；步骤S103、对所述绝缘预备区进行氧化处理，以使得所述绝缘预备区形成为绝缘块、所述源极区形成为源极、所述漏极区形成为漏极，所述绝缘块将所述源极和所述漏极绝缘间隔开。在步骤S101、步骤S102中，如图3c和图3d所示，在形成有源层104之后，在有源层104上形成源漏金属材料层，划分所述源漏金属材料层，使得所述绝缘预备区位于所述源极区和所述漏极区之间；在步骤S103中，对所述绝缘预备区进行氧化处理，使得位于所述绝缘预备区的源漏金属材料绝缘化形成为绝缘块，如图3e所示，绝缘块107将设置在源极105和漏极106之间，使得源极105与漏极106绝缘间隔。在上述氧化所述绝缘预备区形成所述绝缘块的过程中，氧化处理必然会引入氧元素，对于利用氧化物制成的有源层而言，步骤S103中引入的氧元素可以减少所述有源层的氧空位，从而有利于所述源极、所述漏极与所述有源层形成良好的欧姆接触，进而保证所述薄膜晶体管的性能稳定性。此外，通过上述步骤制造所述薄膜晶体管，在形成源极和漏极的工艺过程中，通过对所述源漏金属材料层中的绝缘预备区进行氧化形成绝缘块，在形成所述绝缘块的同时，利用所述绝缘块将所述源漏金属层间隔为所述源极和所述漏极，无需湿刻工艺，从而可以避免对所述有源层造成污染和损害。在本专利技术中，进一步地，如图2所示，对所述绝缘预备区进行氧化处理的步骤包括：步骤S1031、形成掩膜图形，所述掩膜图形包括源极保护块、漏极保护块和镂空区，所述源极保护块设置在所述源极区上方，所述漏极保护块设置在所述漏极区上方，所述镂空区设置在所述源极保护块和所述漏极保护块之间，以露出所述绝缘预备区的表面；步骤S1032、通入含氧工艺气体，利用所述含氧工艺气体通过所述镂空区对所述绝缘预备区进行氧化，以使得所述绝缘预备区被氧化形成所述绝缘块。如上所述，在步骤S1031中，形成所述掩膜图形具体可以包括，在所述源漏金属材料层上涂布光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影以形成所述掩膜图形。进一步地，在步骤S1032中，向执行氧化处理的工艺腔室内通入含氧工艺气体，由于所述掩膜图形的遮挡，只有所述绝缘预备区的源漏金属材料层通过所述镂空区暴露在所述含氧工艺气体中，因此，所述含氧工艺气体对所述绝缘预备区进行氧化以形成所述绝缘块。在本专利技术中，对如何利用含氧工艺气体对镂空区对应的绝缘预备区进行氧化并没有特殊的规定。例如，可以通过常规的通入高温的含氧工艺气体的方式将绝缘预备区氧化。优选地，通入含氧工艺气体的步骤S1032中，对所述含氧工艺气体进行等离子化，以使得所述含氧工艺气体中形成包括氧离子的等离子体，从而可以提高氧化效率，并且可以对有源层进行充分的氧注入。如上所述，对通入工艺腔室的所述含氧工艺气体进行电离，以使得所述含氧工艺气体形成为包括氧离子的等离子体，利用所述包括氧离子的等离子体对所述绝缘预备区进行注入，所述氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：形成有源层；形成源漏金属材料层，所述源漏金属材料层包括源极区、漏极区和位于所述源极区和所述漏极区之间的绝缘预备区；对所述绝缘预备区进行氧化处理，以使得所述绝缘预备区形成为绝缘块、所述源极区形成为源极、所述漏极区形成为漏极，所述绝缘块将所述源极和所述漏极绝缘间隔开。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：形成有源层；形成源漏金属材料层，所述源漏金属材料层包括源极区、漏极区和位于所述源极区和所述漏极区之间的绝缘预备区；对所述绝缘预备区进行氧化处理，以使得所述绝缘预备区形成为绝缘块、所述源极区形成为源极、所述漏极区形成为漏极，所述绝缘块将所述源极和所述漏极绝缘间隔开。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对所述绝缘预备区进行氧化处理的步骤包括：形成掩膜图形，所述掩膜图形包括源极保护块、漏极保护块和镂空区，所述源极保护块设置在所述源极区上方，所述漏极保护块设置在所述漏极区上方，所述镂空区设置在所述源极保护块和所述漏极保护块之间，以露出所述绝缘预备区的表面；通入含氧工艺气体，利用所述含氧工艺气体通过所述镂空区对所述绝缘预备区进行氧化，以使得所述绝缘预备区被氧化形成所述绝缘块。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，通入含氧工艺气体的步骤中，对所述含氧工艺气体进行等离子化。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的制造方法，其特征在于，在形成有源层的步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：李梁梁，崔大林，胡贵光，李潭，邹振游，付婉霞，陈周煜，霍亚洲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，福州京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11