半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺技术

本申请提供了一种半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺。该半导体器件的制作方法包括：步骤S1，在基底的表面上间隔设置两个接触电极；步骤S2，在各接触电极的远离基底的表面上以及两个接触电极之间的基底的表面上设置加热电极，各接触电极的远离基底的表面的部分裸露。该制作方法中，在接触电极的表面上直接设置加热电极，该方法避免了现有技术中在接触电极和加热电极之间设置通孔连接层，有效减少工艺步骤，减少光刻板层数，降低流片周期，节约成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺。
技术介绍
现有技术中，光电子集成芯片中，加热器的接触电极和加热电极之间通常通过金属通孔电连接，这样使得光电子集成芯片的工艺流程较复杂，效率较低。在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺，以解决现有技术中光电子集成芯片的工艺流程较复杂，流片周期较长的问题。为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件的制作方法，该制作方法包括：步骤S1，在基底的表面上间隔设置两个接触电极；步骤S2，在各上述接触电极的远离上述基底的表面上以及两个上述接触电极之间的上述基底的表面上设置加热电极，各上述接触电极的远离上述基底的表面的部分裸露。进一步地，上述基底的形成过程包括：提供包括依次叠置设置的衬底、隔离层和波导层的预基底，上述波导层的材料的折射率大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，在基底的表面上间隔设置两个接触电极；以及步骤S2，在各所述接触电极的远离所述基底的表面上以及两个所述接触电极之间的所述基底的表面上设置加热电极，各所述接触电极的远离所述基底的表面的部分裸露。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，在基底的表面上间隔设置两个接触电极；以及步骤S2，在各所述接触电极的远离所述基底的表面上以及两个所述接触电极之间的所述基底的表面上设置加热电极，各所述接触电极的远离所述基底的表面的部分裸露。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述基底的形成过程包括：提供包括依次叠置设置的衬底、隔离层和波导层的预基底，所述波导层的材料的折射率大于所述隔离层的材料的折射率；对所述波导层进行刻蚀，形成波导；在所述波导的裸露表面上以及所述波导两侧的所述隔离层的裸露表面上设置包层，形成所述基底，所述包层的材料的折射率小于所述波导的材料的折射率，所述接触电极设置在所述波导两侧的所述包层的远离所述衬底的表面上。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述隔离层的材料和/或所述包层的材料包括SiO2。4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述波导层的材料包括Si、Si3N4与SiOH中的至少一种。5.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2包括：在所述接触电极的远离所述基底的表面上以及两个所述接触电极之间的所述基底的表面上设置加热电极层；以及去除各所述接触电极表面上的部分加热电极层，且剩余的所述接触电极表面上的部分所述加热电极层和两个所述接触电极之间的部分所述加热电极层连接在一起，使得所述接触电极的远离所属基底的部分表面裸露，剩余的所述加热电极层形成所述加热电极。6.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤S2之后，所述制作方法还包括：在所述加热电极的远离所述基底的表面上、裸露的所述基底的表面上以及裸露的所述接触电极的表面上设置保护层；以及刻蚀去除位于所述接触电极表面上的部分所述保护层，使得各所述接触电极的远离所述基底的表面的部分裸露，剩余的所述保护层形成保护部。7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2包括：在所述接触电极的远离所述基底的表面上以及两个所述接触电极之间的所述基底的表面上设置加热电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：李彬，唐波，李志华，张鹏，余金中，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11