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本申请提供了一种半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺。该半导体器件的制作方法包括：步骤S1，在基底的表面上间隔设置两个接触电极；步骤S2，在各接触电极的远离基底的表面上以及两个接触电极之间的基底的表面上设置加热电极，各接触电极的远离...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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