【技术实现步骤摘要】
一种双层栅网球形二次电子收集器
本专利技术涉及电子收集器领域，具体地，涉及一种双层栅网球形二次电子收集器。
技术介绍
具有一定能量的电子束轰击固体材料时，材料表面会发射出电子，这种现象称为固体材料的二次电子发射现象。材料表面发射出的二次电子与初始入射电子的数目比称为二次电子发射系数，它是材料的一种特征表面参数。二次电子发射过程在各类电子倍增管以及扫描电子显微镜等表面分析设备中得到了广泛的应用，但二次电子倍增过程引发的各种放电现象却对高功率微波器件、航天器、粒子加速器以及电真空器件的工作可靠性存在不利影响，准确测量固体材料的二次电子发射特性在各相关领域中都是一个很重要的问题。电子射入固体材料表面后，入射电子将与材料表层的晶格原子发生弹性和非弹性碰撞，在其射程范围内激发出大量的次级电子，这些次级电子被晶格原子散射后扩散至表面，克服表面势垒逸出后成为材料发射出的二次电子。根据二次电子发射的物理机理，一般定义能量小于50eV的二次电子为真二次电子，能量高于50eV的二次电子为背散射电子。材料表面的二次电子发射系数不仅与材料种类、材料表面粗糙度等材料特征有关，还与入射电子能...
【技术保护点】
1.一种双层栅网球形二次电子收集器，其特征在于，所述收集器包括：由内到外的：球形接地栅网、球形偏压栅网、球形二次电子收集极、球形接地屏蔽电极；球形接地栅网、球形偏压栅网、球形二次电子收集极、球形接地屏蔽电极均由上下两个半球组合成一个球体；上半球的顶部开有入射电子枪导管插入孔，用于导入入射电子束，下半球的底部开有样品测试载台插入孔，用于将被测样品通过样品测试载台送入二次电子收集器中心；两层球形栅网与两层球形电极之间彼此绝缘，内层球形栅网接地，用于屏蔽偏压球形栅网引入的电场；外层球形栅网接偏压电源，通过正负偏压的切换实现对真二次电子和背散射电子的甑别；外层球形栅网接可调电压的负...
【技术特征摘要】
1.一种双层栅网球形二次电子收集器，其特征在于，所述收集器包括：由内到外的：球形接地栅网、球形偏压栅网、球形二次电子收集极、球形接地屏蔽电极；球形接地栅网、球形偏压栅网、球形二次电子收集极、球形接地屏蔽电极均由上下两个半球组合成一个球体；上半球的顶部开有入射电子枪导管插入孔，用于导入入射电子束，下半球的底部开有样品测试载台插入孔，用于将被测样品通过样品测试载台送入二次电子收集器中心；两层球形栅网与两层球形电极之间彼此绝缘，内层球形栅网接地，用于屏蔽偏压球形栅网引入的电场；外层球形栅网接偏压电源，通过正负偏压的切换实现对真二次电子和背散射电子的甑别；外层球形栅网接可调电压的负电压源，对能够通过外层球形栅网的二次电子进行能量筛选。2.根据权利要求1所述的双层栅网球形二次电子收集器，其特征在于，球形二次电子收集极的内表面做镀金处理，外表面接外敷绝缘层的信号引出线，该信号引出线与球形接地屏蔽电极上安装的SMA同轴接线座相连，通过同轴信号传输线将被测信号传输至I/V放大器。3.根据权利要求2所述的双层栅网球形二次电子收集器，其特征在于，被测信号接入I/V放大器前先通过偏压电源，通过该偏压电源在球形二次电子收集极上施加静电压，将被到达球形二次电子收集极表面的二次电子所打出的三次电子进行抑制。4.根据权利要求3所述的双层栅网球形二次电子收集器，其特征在于，球形接地屏蔽电极的上半球赤道面开有两个孔，外敷绝缘层的导线穿过其中一个孔将偏压连接到球形偏压栅网，另一个孔上方安装一个SMA同轴接线座，使得被测信号从被接收到开始即在同轴线中传输。5.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员：何佳龙，龙继东，彭宇飞，李杰，杨振，刘平，王韬，李喜，董攀，蓝朝晖，郑乐，刘尔祥，赵伟，杨洁，石金水，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院流体物理研究所，
类型：发明
国别省市：四川,51
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