一种CsPbBr3薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种CsPbBr3薄膜的制备方法，包括如下步骤：清洗单晶硅衬底表面，用氮气吹干后，将其置入脉冲激光沉积系统的真空生长室；将衬底温度升至90℃；采用脉冲激光沉积技术刻蚀靶材，在单晶硅表面生长一层CsPbBr3薄膜；生长结束后将样品取出，用去离子水清洗后，用氮气吹干。该制备方法简单，反应温度低，反应时间短，成本低，适用于工业化生产；可以获得大面积均匀致密、结晶质量高且光电性能优异的CsPbBr3薄膜，满足其在发光材料、太阳能电池等光电器件领域中的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种CsPbBr3薄膜的制备方法
本专利技术涉及半导体材料领域，具体涉及一种CsPbBr3薄膜的制备方法。
技术介绍
近年来，一些钙钛矿结构的半导体材料，由于具有优良的光学吸收和电荷传导特性，成为目前太阳能电池领域的研究热点。相对于有机-无机杂化钙钛矿材料，全无机卤素钙钛矿材料（CsPbX3，X=Cl,Br,I）化学稳定性较高，且具有极高的荧光量子效率（高达90%）、荧光波长可调且覆盖整个可见光波段、线宽窄等特点，有望应用于新一代显示和照明技术中。此外，全无机钙钛矿材料具有极高的吸收系数，其光吸收能力比其它有机染料高10倍以上；而且它的八面体体系也有利于电子和空穴的传输，使得该材料具有高的载流子迁移率和较长的载流子寿命。值得注意的是，全无机钙钛矿材料CsPbX3作为直接带隙半导体材料，除了具有较高的光吸收系数和优异的载流子传输特性外，其特殊的发光性能长期以来也一直吸引人们的关注。全无机钙钛矿材料一般具有较高的激子结合能，从而表现出强的室温光致发光特性。此外，超低的体缺陷密度也使得钙钛矿材料表现出极高的发光效率。这些优势使得全无机钙钛矿材料在发光二极管、激光器件、场效应晶体管及光电探测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CsPbBr3薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：清洗单晶硅衬底表面，用氮气吹干后，将其置入脉冲激光沉积系统的真空生长室；S2：利用L‑MBE程序将衬底升温至90℃，稳定十分钟，电流约为2A；S3：采用脉冲激光沉积技术刻蚀靶材，在单晶硅衬底表面生长一层CsPbI3薄膜；S4：生长结束后将样品取出，用去离子水清洗后，用氮气吹干。

【技术特征摘要】
1.一种CsPbBr3薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：清洗单晶硅衬底表面，用氮气吹干后，将其置入脉冲激光沉积系统的真空生长室；S2：利用L-MBE程序将衬底升温至90℃，稳定十分钟，电流约为2A；S3：采用脉冲激光沉积技术刻蚀靶材，在单晶硅衬底表面生长一层CsPbI3薄膜；S4：生长结束后将样品取出，用去离子水清洗后，用氮气吹干。2.根据权利要求1所述的CsPbI3薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中衬底升温的工艺条件为：升温温度范围为室温~200℃。3.根据权利要求1所述的CsPbBr3薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中生长的CsPbI3薄膜的沉积厚度为100nm~400nm。4.根据权利要求1所述的CsPbBr3薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中脉冲激光沉积技术的具体工艺条件为：背景真空为1×10-6Pa~5×10-6Pa，衬底温度为室温~400℃，激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张立春，黄于，赵风周，张登英，徐满，
申请(专利权)人：鲁东大学，
类型：发明
国别省市：山东,37