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本发明提供了一种CsPbBr3薄膜的制备方法，包括如下步骤：清洗单晶硅衬底表面，用氮气吹干后，将其置入脉冲激光沉积系统的真空生长室；将衬底温度升至90℃；采用脉冲激光沉积技术刻蚀靶材，在单晶硅表面生长一层CsPbBr3薄膜；生长结束后将样品...
该专利属于鲁东大学所有，仅供学习研究参考，未经过鲁东大学授权不得商用。

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