当前位置: 首页 > 专利查询>TDK株式会社专利>正文

线圈部件制造技术

技术编号:19906403 阅读:27 留言:0更新日期:2018-12-26 03:50
本发明专利技术提供线圈部件,在螺旋状的平面导体被隙缝在径向上分离的线圈中,使位于内周侧的导体部分和位于外周侧的导体部分的电流密度分布均匀化。第一线圈部(100)包括被螺旋状的隙缝(SL1)在径向上分离的第一和第二导体部分(C1、C2)。第二线圈部(200)包括被螺旋状的隙缝(SL2)在径向上分离的第三和第四导体部分(C3、C4)。位于内周侧的第一导体部分(C1)的内周端(C1a)与位于外周侧的第四导体部分(C4)的内周端(C4a)连接,位于外周侧的第二导体部分(C2)的内周端(C2a)与位于内周侧的第三导体部分(C3)的内周端(C3a)连接。根据本发明专利技术,由于内外周之差相互抵消,因此能够进一步使电流密度分布均匀化,降低直流电阻和交流电阻。

【技术实现步骤摘要】
线圈部件
本专利技术涉及线圈部件,尤其是涉及具有螺旋状的平面导体的线圈部件。
技术介绍
作为在各种电子设备中使用的线圈部件,除了在磁芯上卷绕着导线(包覆导线)这一类型的线圈部件之外,已知在绝缘层的表面连续形成有多匝螺旋状的平面导体这一类型的的线圈部件。例如,在专利文献1中公开了这样一种线圈部件,即在多个绝缘层分别形成螺旋状的平面导体,与它们的内周端或者外周端彼此连接。在有螺旋状的平面导体构成的线圈部件中,为了降低直流电阻和交流电阻,增大螺旋状的平面导体的导体宽度即可。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2013-251455号公报专利文献2:日本特开2001-319813号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是,仅单纯地增大平面导体的导体宽度,电流密度的偏差会变大,因此难以充分降低直流电阻和交流电阻。作为进一步使电流密度均匀化的方法,如专利文献2记载的那样,可以列举出平面导体的各匝被螺旋状的隙缝分离为多条的方法,但是在此情况下,会产生这样的问题,即在构成同一匝的平面导体中,在位于内周侧的导体部分与位于外周侧的导体部分的电流密度分布上产生差异。因此,本专利技术的目的在于提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种线圈部件,其特征在于,包括:以螺旋状卷绕多匝的第一线圈部;和与所述第一线圈部重叠,在与所述第一线圈部相反的方向上以螺旋状卷绕多匝的第二线圈部,所述第一线圈部的至少最内周匝包括被螺旋状的隙缝在径向上分离的第一和第二导体部分,所述第二线圈部的至少最内周匝包括被螺旋状的隙缝在径向上分离的第三和第四导体部分,所述第一导体部分位于比所述第二导体部分更靠内周侧的位置,所述第三导体部分位于比所述第四导体部分更靠内周侧的位置,所述第一导体部分的内周端与所述第四导体部分的内周端连接,所述第二导体部分的内周端与所述第三导体部分的内周端连接。

【技术特征摘要】
2017.06.13 JP 2017-1159581.一种线圈部件,其特征在于,包括:以螺旋状卷绕多匝的第一线圈部;和与所述第一线圈部重叠,在与所述第一线圈部相反的方向上以螺旋状卷绕多匝的第二线圈部,所述第一线圈部的至少最内周匝包括被螺旋状的隙缝在径向上分离的第一和第二导体部分,所述第二线圈部的至少最内周匝包括被螺旋状的隙缝在径向上分离的第三和第四导体部分,所述第一导体部分位于比所述第二导体部分更靠内周侧的位置,所述第三导体部分位于比所述第四导体部分更靠内周侧的位置,所述第一导体部分的内周端与所述第四导体部分的内周端连接,所述第二导体部分的内周端与所述第三导体部分的内周端连接。2.如权利要求1所述的线圈部件,其特征在于,所述第一线圈部的包括所述最内周匝的各匝被所述隙缝分离为所述第一和第二导体部分,所述第二线圈部的包括所述最内周匝的各匝被所述隙缝分离为所述第三和第四导体部分。3.如权利要求1所述的线圈部件,其特征在于,所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:小町俊文国塚光祐友成寿绪
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1