液晶配向膜的制造方法及液晶显示元件技术

本发明专利技术提供一种液晶配向膜的制造方法以及液晶显示元件。在上述方法中，将利用特定制法所得的具有特定组成的液晶配向剂涂布于薄膜电晶体基材上形成预涂层，之后使预涂层经过预先加热处理、后加热处理及配向处理而制得具有适当的阻抗光安定性的液晶配向膜。上述薄膜电晶体基材包含材料为氧化铟镓锌的主动层。包含利用上述方法所制得的液晶配向膜的液晶显示元件，具有良好的积蓄电荷消除性。

【技术实现步骤摘要】
液晶配向膜的制造方法及液晶显示元件
本专利技术是有关于一种液晶配向膜的制造方法以及液晶显示元件，且特别是有关于一种设于包含氧化铟镓锌(IndiumGalliumZincOxide；IGZO)的主动层的薄膜电晶体基材上的液晶配向膜的制造方法以及液晶显示元件。
技术介绍
近年来，新的液晶显示元件的开发蓬勃发展，其中，例如业界开发出液晶显示元件，其借由单侧基板上以栉齿状方式配置两个电极来驱动液晶，使基板表面产生平行电场，以控制液晶分子。上述液晶显示元件一般被称为横向电场效应型(IPS型)，已知其具有出色的广视角特性。然而，上述IPS型液晶显示元件仍有因离子密度过高而产生残影的问题。日本专利特开第2006-259716号公报揭示一种低离子密度的液晶配向膜及一种用以制备液晶配向膜的含哌嗪(piperazine)结构的二胺化合物。通过使用含哌嗪结构的二胺化合物，所制得的配向膜可改善离子密度过高的问题。然而，上述液晶配向剂所制得的液晶配向膜应用于IPS型液晶显示元件时，仍有积蓄电荷消除缓慢，导致残留电荷过高，进而生成残影的问题。由上述可知，为了符合目前IPS型液晶显示器业者的要求，提供一种可形成积本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶配向膜的制造方法，其特征在于，其是将液晶配向剂涂布在薄膜电晶体基材上而形成预涂层，以及使该预涂层经过预先加热处理、后加热处理及配向处理而制得该液晶配向膜，其中该薄膜电晶体基材包含材料为氧化铟镓锌(IGZO)的主动层，且该液晶配向剂包含：聚合物(A)，其是由混合物反应而获得，其中该混合物包含四羧酸二酐组份(a)及二胺组份(b)，且该二胺组份(b)包含由式(b‑1)表示的二胺化合物(b1)：

【技术特征摘要】
2017.06.13 TW 1061196821.一种液晶配向膜的制造方法，其特征在于，其是将液晶配向剂涂布在薄膜电晶体基材上而形成预涂层，以及使该预涂层经过预先加热处理、后加热处理及配向处理而制得该液晶配向膜，其中该薄膜电晶体基材包含材料为氧化铟镓锌(IGZO)的主动层，且该液晶配向剂包含：聚合物(A)，其是由混合物反应而获得，其中该混合物包含四羧酸二酐组份(a)及二胺组份(b)，且该二胺组份(b)包含由式(b-1)表示的二胺化合物(b1)：在该式(b-1)中，该h表示1至12的整数；以及溶剂(B)，且其中该液晶配向膜的阻抗光安定性△RUV小于500GΩ，且该阻抗光安定性△RUV是经由下述步骤所测得：提供检测单元，其中该检测单元是由基板、该基板上的画素电极以及该画素电极上的该液晶配向膜所组成；使用离子密度测定系统，将频率设为0.01Hz以及振幅设为10V的电压，借由该检测单元中所流通的电流及相对应的电压，测量该检测单元的第一阻抗Ri，其中该电流为3.16nA，且测量该第阻抗Ri的操作是在23℃的温度和50％的湿度下进行；以照度6mW/cm2的白色发光二极管照射该检测单元达300秒并测量该检测单元的第二阻抗Rf；以及利用下式(1)计算该阻抗光安定性(△RUV)：△RUV＝Ri-Rf式(1)。2.根据权利要求1所述的液晶配向膜的制造方法，其特征在于该液晶配向膜的该阻抗光安定性△RUV小于400GΩ。3.根据权利要求1所述的液晶配向膜的制造方法，其特征在于该液晶配向膜的该阻抗光安定性△RUV小于300GΩ。4.根据权利要求1所述的液晶配向膜的制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建智，张维伦，梁育豪，
申请(专利权)人：奇美实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71