【技术实现步骤摘要】
一种改变苯类盘状液晶分子取向的方法
本专利技术涉及液晶分子的表面诱导取向,特别是一种改变苯类盘状液晶分子取向的方法。
技术介绍
盘状液晶分子具有平面或者接近平面的刚性芳香内核结构,刚性芳香内核中心具有较大的共轭π键,由于此类共轭π键具有较多的电子云富集,盘状液晶分子之间可以通过电子云的相互作用自组装成柱状结构,在柱状结构内部电子云的重叠可以形成一维导电通道,电子在沿此一维导电通道上传输具有较高的迁移速率。通常情况下,大部分盘状液晶分子自组装形成柱状时,倾向于沿着衬底表面形成边朝上(edge-on)的分子取向,此时电荷的传输方向为平行于衬底的方向(如图1所示)。为了进一步利用盘状液晶分子电荷迁移率较高的优点,并且将其运用于发光器件(OLED)、太阳能电池(OPV)等电子器件的制作,需要对其柱状排列的分子取向进行改变,形成面朝上(face-on)的分子取向,此时盘状有机分子自组装形成的一维导电通道为垂直于衬底的方向(如图2所示)。现有的盘状有机分子取向技术是通过外加电场或精确控制热处理温度的方法来实现分子面朝上的垂直取向,主要有以下缺点:1、需要对盘状液晶分子薄膜层外 ...
【技术保护点】
1.一种改变苯类盘状液晶分子取向的方法,其特征在于步骤如下:(1)用氮化镓作为衬底,分别采用丙酮、异丙醇、去离子水对所述衬底进行超声清洗,每次清洗时间15min,然后用氮气清理所述衬底表面;(2)采用磁控溅射方法在所述衬底表面沉积ZnO薄膜,靶材为99.9%锌靶,衬底温度200℃,氧气流量2sccm,射频功率150W,溅射时间20min,即制得ZnO薄膜衬底;(3)将所述ZnO薄膜衬底放入马弗炉中,400℃高温退火25min,然后在所述ZnO薄膜上旋涂厚度为70nm的PMMA薄膜,放入真空干燥箱中150℃干燥20min;(4)采用电子束光刻系统对所述PMMA薄膜进行曝光,刻 ...
【技术特征摘要】
1.一种改变苯类盘状液晶分子取向的方法,其特征在于步骤如下:(1)用氮化镓作为衬底,分别采用丙酮、异丙醇、去离子水对所述衬底进行超声清洗,每次清洗时间15min,然后用氮气清理所述衬底表面;(2)采用磁控溅射方法在所述衬底表面沉积ZnO薄膜,靶材为99.9%锌靶,衬底温度200℃,氧气流量2sccm,射频功率150W,溅射时间20min,即制得ZnO薄膜衬底;(3)将所述ZnO薄膜衬底放入马弗炉中,400℃高温退火25min,然后在所述ZnO薄膜上旋涂厚度为70nm的PMMA薄膜,放入真空干燥箱中150℃干燥20min;(4)采用电子束光刻系统对所述PMMA薄膜进行曝光,刻蚀图案为排列整齐的圆点,所述圆点的直径为30nm,所述圆点之间的间隔为30-50nm,然后采用20%异丙醇和80%甲基异丁酮的混合溶剂进行显影1min...
【专利技术属性】
技术研发人员:张智,易子川,杨健君,刘黎明,迟锋,水玲玲,
申请(专利权)人:电子科技大学中山学院,
类型:发明
国别省市:广东,44
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