显示器的像素结构制造技术

本发明专利技术公开一种显示器的像素结构，包含：一第一像素区域；及一第二像素区域，与所述第一像素区域相邻接；其中所述第一像素区域具有一第一直流残留电场，所述第二像素区域具有一第二直流残留电场，所述第一直流残留电场与所述第二直流残留电场彼此的电场方向相反。本发明专利技术通过电极结构的交替设计，以达到降低或消除聚集在绝缘层与电极间的残余离子,从而减弱或消除残像现象。

【技术实现步骤摘要】
显示器的像素结构
本专利技术是有关于一种显示器的像素结构，特别是有关于一种优化残像的显示器的像素结构。
技术介绍
近年来，随着显示技术的创新及发展，显示器的应用场景也越来越多样化。一些需要长时间显示静态画面的应用场景中，在显示器切换画面时会出现残像(Image-sticking)现象，影响显示效果及消费者的观感。残像现象产生的主要原因是由于液晶显示器驱动电路中的薄膜晶体管(TFT)存在寄生电容。若长时间保持液晶上下极板电压大小不变，液晶分子中残留的可移动离子在同一方向电场中容易聚集在分子的同一侧，形成内电场，当液晶显示器的画面由高灰阶切换到低灰阶时，所述内电场与液晶上下极板的电场相互抵消，使得液晶无法达到预期的偏转角度，最终产生残像现象。液晶面板的寄生电容受到制程结构的限制、绝缘层沉积的厚度、电阻不同会造成寄生电容的不同，制程上不容易改善。现有技术中，液晶显示器的显示画面的闪烁(Flicker)值可以作为衡量当前直流残留效应是否严重的标准。其原因是交流驱动的正负极电压与公共电极电压的压差不相等，若数据线进行极性反转，则使得画面亮度发生变化进而使得画面闪烁，其中，画面闪烁程度的大小取决于闪烁值的大小，因此，闪烁值越大直流残留效应越严重。可以藉由闪烁讯号最小化以调整适当的驱动参数电压，减少面板累积的残存电荷进而改善残像的问题。另外液晶面板仍会因为制程误差的漂移，使得液晶面板间的负载出现差异，造成液晶面板会出现不同的馈通电压，若使用已知的公共电压调整，会出现闪烁不均的现象。另外，已知采用可变电阻调整公共电压的方式，需要依赖操作人员目视来调整闪烁。但操作人员对闪烁的敏感度并不同，造成判断闪烁的品管标准不同，且操作人员的调整会花费很多人力成本，造成效能及品质不均且成本高昂。故，有必要提供一种显示器的像素结构，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种显示器的像素结构，以解决现有技术所存在的液晶显示器中存在寄生电容造成残像现象的问题。本专利技术的主要目的在于提供一种显示器的像素结构，其可以改善残像现象的问题。本专利技术的次要目的在于提供一种显示器的像素结构，其可以通过公共电极与像素电极结构的交替设计，以达到降低或消除聚集在绝缘层与电极间的残余离子,从而减弱或消除残像现象。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术一实施例提供一种显示器的像素结构，包含：一第一像素区域，所述像素结构在所述第一像素区域中包含：一第一电极；一绝缘保护层，设置于所述第一电极上；一第二电极，设置于所述绝缘保护层上；及一绝缘层，设置于所述第二电极上；以及一第二像素区域，与所述第一像素区域相邻接，所述像素结构在所述第二像素区域中包含所述第一电极、所述绝缘保护层、所述第二电极及所述绝缘层，其中所述绝缘保护层设置于所述第二电极上，所述第一电极设置于所述绝缘保护层上，及所述绝缘层设置于所述第一电极上；其中在所述第一像素区域中的所述绝缘层具有一第一离子极性，在所述第二像素区域中的所述绝缘层具有一第二离子极性，所述第一离子极性与所述第二离子彼此的极性相反，所述第一离子极性的多个第一离子及所述第二离子极性的多个第二离子通过所述绝缘层重新分布扩散或中和。在本专利技术的一实施例中，所述第一离子极性为负，及所述第二离子极性为正。在本专利技术的一实施例中，所述第一电极为一公共电极，及所述第二电极为一像素电极。在本专利技术的一实施例中，在所述第一像素区域中的所述绝缘层与所述第二电极相接触。在本专利技术的一实施例中，所述绝缘层为一聚酰亚胺层。再者，本专利技术另一实施例另提供一种显示器的像素结构，包含：一第一像素区域；及一第二像素区域，与所述第一像素区域相邻接；其中所述第一像素区域具有一第一直流残留电场，所述第二像素区域具有一第二直流残留电场，所述第一直流残留电场与所述第二直流残留电场彼此的电场方向相反，所述第一直流残留电场的多个第一离子及所述第二直流残留电场的多个第二离子通过所述绝缘层重新分布扩散或中和。在本专利技术的一实施例中，所述像素结构在所述第一像素区域中包含：一第一电极；一第二电极，设置于所述第一电极上；及一绝缘层，设置于所述第二电极上；以及所述像素结构在所述第二像素区域中包含：所述第二电极；所述第一电极，设置于所述第二电极上；及所述绝缘层，设置于所述第一电极上。在本专利技术的一实施例中，所述第一电极为一公共电极，及所述第二电极为一像素电极。在本专利技术的一实施例中，在所述第一像素区域中的所述绝缘层与所述第二电极相接触。在本专利技术的一实施例中，所述绝缘层为一聚酰亚胺层。与现有技术相比较，本专利技术的显示器的像素结构，这样不但可改善液晶显示器中存在寄生电容造成残像现象的问题，还可以使得不需依赖操作人员目视来调整闪烁，进而节省操作人员调整闪烁所花费的人力成本，以达到产品的效能及品质的改善。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1是本专利技术第一实施例的显示器的像素结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。本文所用术语“残像(Image-Sticking)”是指显示器长期显示同一静止画面，在改变显示内容后留下之前画面的现象。本文所用术语“像素区域”是指显示器图像显示的基本单元。一个像素区域在设计上通常是一个正方形，一个正方形的像素又会分割为红，绿，蓝三种颜色单元。本文所用术语“一”、“一个”及“至少一”包含复数引用，除非上下文另有明确规定。例如，术语“一电极”或“至少一电极”可以包含多个电极，包含其组合物。本文中所揭露的大小及数值不应意图被理解为严格限于所述精确数值。相反的，除非另外指明，各种大小旨在表示所引用的数值以及功能上与所述数值相同的范围。例如所揭露的大小为“10微米”是指“约10微米”。请参照图1所示，本专利技术实施例为达成本专利技术的前述目的，提供一种显示器的像素结构1，例如应用在作为薄膜晶体管(TFT)显示器的数组基板上的像素结构，所述像素结构1包含：一第一像素区域A及一第二像素区域B。所述像素结构1在所述第一像素区域A中包含：一第一电极11；一绝缘保护层12；及一绝缘层14。在本实施例中，所述第一电极11为一公共电极；所述绝缘保护层12设置于所述第一电极11上；所述第二电极13设置于所述绝缘保护层12上，本实施例中所述第二电极13为一像素电极；及所述绝缘层14设置于所述第二电极13上，本实施例中所述绝缘层14为一聚酰亚胺层。所述第二像素区域B与所述第一像素区域A相邻接，所述像素结构1在所述第二像素区域B中包含所述第一电极11、所述绝缘保护层12、所述第二电极13及所述绝缘层14，其中所述绝缘保护层12设置于所述第二电极13上，所述第一电极11设置于所述绝缘保护层12上，及所述绝缘层14设置于所述第一电极11上。换句话说，在所述第一像素区域A中所述第一电极11及所述第二电极13的配置与在所述第二像素区域B中所述第一电极11及所述第二电极13的配置相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示器的像素结构，其特征在于：所述像素结构包含：一第一像素区域，所述像素结构在所述第一像素区域中包含：一第一电极；一绝缘保护层，设置于所述第一电极上；一第二电极，设置于所述绝缘保护层上；及一绝缘层，设置于所述第二电极上；以及一第二像素区域，与所述第一像素区域相邻接，所述像素结构在所述第二像素区域中包含所述第一电极、所述绝缘保护层、所述第二电极及所述绝缘层，其中所述绝缘保护层设置于所述第二电极上，所述第一电极设置于所述绝缘保护层上，及所述绝缘层设置于所述第一电极上；其中在所述第一像素区域中的所述绝缘层具有一第一离子极性，在所述第二像素区域中的所述绝缘层具有一第二离子极性，所述第一离子极性与所述第二离子彼此的极性相反，所述第一离子极性的多个第一离子及所述第二离子极性的多个第二离子通过所述绝缘层重新分布扩散或中和。

【技术特征摘要】
1.一种显示器的像素结构，其特征在于：所述像素结构包含：一第一像素区域，所述像素结构在所述第一像素区域中包含：一第一电极；一绝缘保护层，设置于所述第一电极上；一第二电极，设置于所述绝缘保护层上；及一绝缘层，设置于所述第二电极上；以及一第二像素区域，与所述第一像素区域相邻接，所述像素结构在所述第二像素区域中包含所述第一电极、所述绝缘保护层、所述第二电极及所述绝缘层，其中所述绝缘保护层设置于所述第二电极上，所述第一电极设置于所述绝缘保护层上，及所述绝缘层设置于所述第一电极上；其中在所述第一像素区域中的所述绝缘层具有一第一离子极性，在所述第二像素区域中的所述绝缘层具有一第二离子极性，所述第一离子极性与所述第二离子彼此的极性相反，所述第一离子极性的多个第一离子及所述第二离子极性的多个第二离子通过所述绝缘层重新分布扩散或中和。2.如权利要求1所述的显示器的像素结构，其特征在于：所述第一离子极性为负，及所述第二离子极性为正。3.如权利要求1所述的显示器的像素结构，其特征在于：所述第一电极为一公共电极，及所述第二电极为一像素电极。4.如权利要求1所述的显示器的像素结构，其特征在于：在所述第一像素区域中的所述绝缘层与所述第二电极相接触；在所述第二像素区域中的所述绝缘层与所述第一电极相接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：王超，梅新东，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42