使用共同气体的硼植入制造技术

本发明专利技术公开一种提高卤素系源气体的离子束品质的设备及各种方法。出乎意料地，将例如氩或氖等稀有气体引入至离子源腔室可增加所期望的离子物质的百分比，同时减少污染物及含卤素的离子的量。此在未经质量分析的离子植入机中尤其有益，于所述离子植入机中所有离子被植入至工件内。在一个实施例中，将包含加工物质及卤素的第一源气体引入至离子源腔室中，还引入包含氢化物的第二源气体及包含稀有气体的第三源气体。这三种源气体的组合与在不使用第三源气体时所将发生的相比，可产生具有更高百分比的纯加工物质离子的离子束。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用共同气体的硼植入
本专利技术实施例涉及一种用于在离子植入系统中提高离子束品质的设备及各种方法，且更具体而言，涉及使用共同气体来提高硼离子束的品质。
技术介绍
半导体工件常常被植入有掺杂剂的物质以产生所需传导性。举例而言，太阳电池可被植入有掺杂剂的物质以产生发射区。此植入可使用各种不同的机构来进行。在一个实施例中，使用离子源。为提高过程效率及降低成本，在某些实施例中，使自离子源提取的离子直接朝工件加速，而未进行任何质量分析。换言之，使在离子源中产生的离子加速并将其直接植入工件中。使用质量分析器以自离子束移除不需要的物质。质量分析器进行的移除暗指自离子源提取的所有离子均将被植入工件中。因此，也可能在离子源内产生的不需要的离子，所述不需要的离子随后被植入工件中。此种现象在源气体为例如氟化物等卤素系化合物时可能最为明显。氟离子及中性物(亚稳态的或受激发的)可与离子源的内表面发生反应，从而释放例如硅、氧、碳及铝等不想要的离子以及作为杂质元素而存在的重金属。此外，也可将卤素离子植入工件中。因此，尤其对于其中采用卤素系源气体的实施例而言，提高射束品质的设备及方法将为有益的。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种植入工件的方法，其特征在于，包括：在腔室中对包含加工物质及氟的第一源气体以及氖供能，以在所述腔室中形成等离子体；以及自所述等离子体提取离子并将所述离子引向所述工件，其中与不使用氖时的基线相比，自所述等离子体提取的纯加工物质离子的量占所有含加工物质的离子的百分比增加了至少5％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种植入工件的方法，其特征在于，包括：在腔室中对包含加工物质及氟的第一源气体以及氖供能，以在所述腔室中形成等离子体；以及自所述等离子体提取离子并将所述离子引向所述工件，其中与不使用氖时的基线相比，自所述等离子体提取的纯加工物质离子的量占所有含加工物质的离子的百分比增加了至少5％。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述腔室中对包含氢以及硅及锗中的至少一者的第二源气体供能，以自所述第二源气体产生离子；以及自所述等离子体提取自所述第二源气体产生的所述离子并将来自所述第二源气体的所述离子引向所述工件。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子被引向所述工件且未进行质量分析。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，与所述基线相比，自所述等离子体提取的所述纯加工物质离子的量占所述所有含加工物质的离子的百分比增加了至少10％。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，与所述基线相比，自所述等离子体提取的氟离子对加工物质离子的比率减小了至少5％。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，与所述基线相比，所述纯加工物质离子的射束电流增加了至少10％。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，氖构成引入至所述腔室中的总气体的20％至90％。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一源气体包含BF3或B2F4。9.一种将掺杂剂植入工件中的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：具本雄，维克拉姆·M·博斯尔，约翰·A·弗龙梯柔，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国,US