显示装置和电子设备制造方法及图纸

为了提供具有高分辨率和显示具有较高的均匀性的显示图像的显示装置和设置有显示装置的电子设备。该显示装置设置有驱动晶体管，该驱动晶体管具有：设置在半导体基板中的第一导电型活性区域、设置为横断活性区域的开口、设置在包括开口内部的活性区域上的栅极绝缘膜、填充开口的栅电极、和设置在活性区域的两侧(其中开口位于其间)上的第二导电型扩散区域。该显示装置还设置有由驱动晶体管驱动的有机电致发光元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置和电子设备
本公开涉及显示装置和电子设备。
技术介绍
近年来，随着显示装置的分辩率改善，构成显示装置的像素的显示元件和驱动显示元件的驱动晶体管变得越来越微细化。此处，场效应晶体管的阈值电压变化与沟道宽度和沟道长度的降低成反比增加。因此，随着显示装置的分辩率改善，驱动晶体管的特征变化增大，以及显示图像的均匀性降低。例如，以下专利文献1公开了利用阈值电压可控的驱动晶体管驱动显示元件的技术，以抑制显示图像由于晶体管的特征变化导致的显示不均匀性。另外，由于构成显示装置的像素的显示元件变得更微细化，驱动显示元件所需的电流的量减小。因此，通过降低驱动晶体管的栅极电压，降低驱动晶体管的导通电流(on-current)来实现适用于驱动显示元件的电流的量。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2012-255874号公报
技术实现思路
技术问题然而，在降低栅极电压的情况下，用接近阈值电压的栅极电压控制驱动晶体管。在这种情况下，针对每个驱动晶体管存在的阈值电压的变化对导通电流(on-current)具有较大影响；因此，驱动晶体管之间的导通电流变化增大，以及显示图像的均匀性降低。因此，要求改善由于显示元件和驱动晶体管更微细化导致的显示图像的均匀性的下降。因此，本公开提出了能够显示具有高分辨率和较高均匀性的显示图像的新的、改善的显示装置，和包括显示装置的电子设备。问题的解决方案根据本公开，提供了包括以下各项的显示装置：驱动晶体管，其包括设置在半导体基板中的第一导电型活性区域、设置为横断活性区域的开口、设置在包括开口内部的活性区域上的栅极绝缘膜、填充开口的栅电极和设置在活性区域的两侧上夹着开口的第二半导体型扩散区域；和配置为由驱动晶体管驱动的有机电致发光元件。另外，根据本公开，提供了包括含有以下各项的显示单元的电子设备：驱动晶体管，驱动晶体管包括设置在半导体基板中的第一导电型活性区域、设置为横断活性区域的开口、设置在包括开口内部的活性区域上的栅极绝缘膜、填充开口的栅电极和设置在活性区域的两侧上夹着开口的第二导电型扩散区域；和配置为由驱动晶体管驱动的有机电致发光元件。根据本公开，可以在没有驱动晶体管所占用面积增加的情况下，将沟道(channel，通道)长度制造为更长；因此，导通电流的绝对值可以下降。因此，驱动晶体管之间的阈值电压变化可以对导通电流具有较小的影响，其可以改善显示图像的均匀性。专利技术的效果根据上述的本公开，可以提供显示具有高分辨率和较高的均匀性的显示图像的显示装置，和包括显示装置的电子设备。应注意上述效果不必须是限制性的。通过或代替以上效果，可以实现本说明书中所描述的任何一种效果或可以由本说明书领会其他效果。附图说明[图1]是用于描述构成应用根据本公开的技术的显示装置的一个像素的回路的回路图。[图2]是应用根据本公开的技术的显示装置的一个像素的沿厚度方向的截面图。[图3]是用于描述用于根据本公开的第一实施方式的显示装置的驱动晶体管和选择晶体管的平面结构的说明性图。[图4]是图3的沿着截线A的截面图。[图5]是图3的沿着截线B的截面图。[图6]是图3的沿着截线C的截面图。[图7]是用于描述用于根据本公开的第二实施方式的显示装置的驱动晶体管和选择晶体管的平面结构的说明性图。[图8]是图7的沿着截线D的截面图。[图9]是用于描述根据实施方式的生产晶体管的方法的步骤的截面图。[图10]是用于描述根据实施方式的生产晶体管的方法的步骤的截面图。[图11]是用于描述根据实施方式的生产晶体管的方法的步骤的截面图。[图12]是用于描述根据实施方式的生产晶体管的方法的步骤的截面图。[图13]是用于描述根据实施方式的生产晶体管的方法的步骤的截面图。[图14]是用于描述根据实施方式的生产晶体管的方法的步骤的截面图。[图15]是示出了导通电流变化相对于设置在驱动晶体管中的开口的数量和深度的关系的图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细描述本公开的优选的实施方式。注意在本书说明和附图中，用相同的参考数字表示具有基本相同的功能和结构的结构元件，且省略了这些结构元件的重复说明。注意将按以下顺序进行描述。1.第一实施方式1.1.显示装置的示意性构造1.2.晶体管的构造2.第二实施方式2.1.晶体管的构造2.2.生产晶体管的方法2.3.晶体管的效果3.结论<1.第一实施方式>(1.1.显示装置的示意性构造)首先，参考图1和2描述应用了根据本公开的技术的显示装置的示意性构造。图1是用于描述构成应用根据本公开的技术的显示装置1的一个像素的回路的回路图。如图1所示，构成显示装置1的一个像素的回路包括有机电致发光元件OLED、驱动晶体管DTr、容量元件C和选择晶体管STr。有机电致发光元件OLED是例如自发光的发光元件，其中堆叠了阳极、有机发光层和阴极。有机电致发光元件OLED的阳极经由驱动晶体管DTr连接至电源线PL，以及有机电致发光元件OLED的阴极连接到具有接地电位的地面线。即，有机电致发光元件OLED用作显示装置1的一个像素。具体地，包括有机电致发光元件OLED的一个像素用作例如发射单颜色诸如红色、绿色或蓝色的光的子像素。另外，一个显示像素由发射红光的像素、发射绿光的像素和发射蓝光的像素组成，以及多个显示像素在矩阵中排列；因此配置能够显示相应于输入信号的图像的显示面板。驱动晶体管DTr是例如场效应晶体管。驱动晶体管DTr的源极和漏极中的一个连接到电源线PL，以及源极和漏极中的另一个连接到有机电致发光元件OLED的阳极。另外，驱动晶体管DTr的栅极连接到选择晶体管STr的源极和漏极中的一个。驱动晶体管DTr串联连接至有机电致发光元件OLED，并根据选择晶体管STr施加的栅极电压的大小控制在有机电致发光元件OLED中流动的电流，从而驱动有机电致发光元件OLED。选择晶体管STr是例如场效应晶体管。选择晶体管STr的源极和漏极中的一个连接到驱动晶体管DTr的栅极，以及源极和漏极中的另一个连接到信号线DL。另外，选择晶体管STr的栅极连接到扫描线SL。选择晶体管STr取样信号线DL的电压，然后将该电压施加于驱动晶体管DTr的栅极，从而控制施加于驱动晶体管DTr的栅极的信号电压。容量元件C是例如电容器。容量元件C的一端连接到驱动晶体管DTr的栅极，以及容量元件C的另一端连接到电源线PL。容量元件C将驱动晶体管DTr的栅极和源极之间的电压保持在预定电压。现在，将参考图2描述应用了根据本公开的技术的显示装置1的一个像素的堆叠结构。图2是应用根据本公开的技术的显示装置1的一个像素的沿厚度方向的截面图。如图2所示，显示装置1的一个像素包括半导体基板30、选择晶体管STr、驱动晶体管DTr、绝缘层40、包含配线51的多层配线层50、阳极61、有机发光层62、阴极63、保护层70和滤色器80。半导体基板30可以是例如单晶、多晶或无定形硅(Si)基板。包括半导体诸如硅的基板促进微细图案化；因此，可以更容易地形成微细化的驱动晶体管DTr和微细化的选择晶体管STr。驱动晶体管DTr和选择晶体管STr设置在半导体基板30上。驱动晶体管DTr和选择晶体管STr各自可以是例如包括设置在半导体基板30中的沟道区和源极/漏极区和设置在沟道区上的栅电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：驱动晶体管，所述驱动晶体管包括设置在半导体基板中的第一导电型活性区域，设置为横断所述活性区域的开口，设置在包括所述开口的内部的所述活性区域上的栅极绝缘膜，填充所述开口的栅电极，和设置在所述活性区域的两侧上夹着所述开口的第二导电型扩散区域；和配置为由所述驱动晶体管驱动的有机电致发光元件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.28 JP 2016-0905111.一种显示装置，包括：驱动晶体管，所述驱动晶体管包括设置在半导体基板中的第一导电型活性区域，设置为横断所述活性区域的开口，设置在包括所述开口的内部的所述活性区域上的栅极绝缘膜，填充所述开口的栅电极，和设置在所述活性区域的两侧上夹着所述开口的第二导电型扩散区域；和配置为由所述驱动晶体管驱动的有机电致发光元件。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，将多个所述开口设置为串联排列。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，将具有高于所述活性区域的浓度的第一导电型沟道截断区域设置在每个所述开口之间。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，将所述沟道截断区域设置为横断所述活性区域。5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，将所述沟道截断区域设置在所述半导体基...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻川真平，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP