提供参考电压或电流的系统和方法技术方案

一种电流镜电路，包括：第一部分，具有第一电阻和第一晶体管，该第一晶体管具有被耦合到第一二极管连接的晶体管的控制端子的控制端子；第二部分，具有第二电阻和第二晶体管，该第二晶体管具有被耦合到第二二极管连接的晶体管的控制端子的控制端子，第一部分与第一功率水平电连通，并且第二部分与第二功率水平电连通，第一部分被耦合到第二部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】提供参考电压或电流的系统和方法相关申请的交叉引用本申请请求2016年8月29日提交的美国非临时申请号15,250,064，2016年7月5日提交的美国临时专利申请号62/358,424以及2016年4月8日提交的美国临时专利申请号62/320,260的优先权和权益，其全部内容通过引用结合于此，如同其全部内容在下文完整地阐述并且用于所有适用的目的。
本申请涉及提供参考电压或电流，并且更具体地，涉及使用电流镜电路以提供参考电压或电流的系统和方法。
技术介绍
诸如智能电话的移动计算设备包含多核心芯片，以提供计算能力。处理核心的示例包括数字信号处理器(DSP)核心、图形处理单元(GPU)、中央处理单元(CPU)、调制解调器和相机核心。每个核心可以包括多个时钟以在这些时钟的上升沿或下降沿捕获、存储和传输数字数据。数字处理核心中的时钟可以以多种不同的方式提供。一个示例是使用当暴露于电压时发射已知频率的晶体。另一个示例是基于环形振荡器的电路，诸如数控振荡器。数控振荡器可以包括电源，该电源使用稳定的参考电压以向振荡器提供输出功率。工艺、电压和温度(PVT)变化可以影响数控振荡器的操作。例如，晶体管尺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电流镜电路，包括：第一部分，具有第一电阻器和第一晶体管，所述第一晶体管具有被耦合到第一二极管连接的晶体管的控制端子的控制端子；以及第二部分，具有第二电阻器和第二晶体管，所述第二晶体管具有被耦合到第二二极管连接的晶体管的控制端子的控制端子，所述第一部分与第一功率水平电连通并且所述第二部分与第二功率水平电连通，所述第一部分被耦合到所述第二部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.08 US 62/320,260;2016.07.05 US 62/358,424;1.一种电流镜电路，包括：第一部分，具有第一电阻器和第一晶体管，所述第一晶体管具有被耦合到第一二极管连接的晶体管的控制端子的控制端子；以及第二部分，具有第二电阻器和第二晶体管，所述第二晶体管具有被耦合到第二二极管连接的晶体管的控制端子的控制端子，所述第一部分与第一功率水平电连通并且所述第二部分与第二功率水平电连通，所述第一部分被耦合到所述第二部分。2.根据权利要求1所述的电流镜电路，其中所述第一二极管连接的晶体管被包括在第一二极管连接的成对的晶体管中，所述第一二极管连接的成对的晶体管包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，进一步地，其中所述第二二极管连接的晶体管被包括在第二二极管连接的成对的晶体管中，所述第二二极管连接的成对的晶体管包括NMOS晶体管和PMOS晶体管。3.根据权利要求2所述的电流镜电路，进一步包括放置在所述第一部分和所述第二二极管连接的成对的晶体管之间的参考电压端子。4.根据权利要求1所述的电流镜电路，其中所述第一晶体管的驱动强度与所述第一二极管连接的晶体管的驱动强度的比率是1/X，进一步地，其中所述第二晶体管的所述驱动强度与所述第二二极管连接的晶体管的驱动强度的比率是1/X。5.根据权利要求1所述的电流镜电路，其中所述第一功率水平对应于VDD，并且其中所述第二功率水平对应于地或VSS。6.根据权利要求1所述的电流镜电路，其中所述电流镜电路与数控振荡器和所述数控振荡器的电源被放置在相同的半导体芯片上，其中所述电源被配置为产生电源电压，所述电源电压对应于来自所述电流镜电路的参考电压，并且进一步地，其中所述数控振荡器被配置为接收所述电源电压。7.根据权利要求1所述的电流镜电路，其中所述第一电阻器和所述第一晶体管与所述第二二极管连接的晶体管串联耦合，进一步地其中所述第二电阻器和所述第二晶体管与所述第一二极管连接的晶体管串联耦合。8.根据权利要求1所述的电流镜电路，其中所述第一部分和所述第二部分布置成具有点反射对称性。9.根据权利要求1所述的电流镜电路，进一步包括具有第三晶体管的启动电路，所述第三晶体管具有与所述第一功率水平耦合的第一端子、与所述第一晶体管以及所述第二二极管连接的晶体管耦合的第二端子、以及与分压器耦合的控制端子。10.一种方法，包括：对第一电流和第二电流进行镜像，其中在电源和地之间的所述第一电流的路径包括第一电阻器、第一晶体管以及第一二极管连接的NMOS和PMOS对，进一步地，其中在所述电源和地之间的所述第二电流的路径包括第二电阻、第二晶体管以及第二二极管连接的NMOS和PMOS对，其中镜像包括：将所述第一晶体管的栅极和所述第二二极管连接的NMOS和PMOS对的栅极保持在相同的电压；将所述第二晶体管的栅极和所述第一二极管连接的NMOS和PMOS对保持在相同的电压；以及从放置在所述第一晶体管和所述第一二极管连接的NMOS和PMOS对之间的节点输出参考电压。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述参考电压等于所述第一二极管连接的NMOS和PMOS对的栅源电压之和。12.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：在电源处接收参考电压；以及产生对应于所述参考电压的水平的电源电压。13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：在数控振荡器处接收所述电源电压，其中所述参考电压包括补偿电压水平，所述补偿电压水平对应于影响所述数控振荡器内的器件的工艺或温度变化；以及从所述数控振荡器输出时钟信号。14.根据权利要求10所述的方法，将放置在所述第一晶体管和所述第一二极管连接的NMOS和PMOS对之间的所述节点偏置在对应于电流镜电路的操作点的电压。15.一种半导体器件，包括：在电源和地之间的第一电流路径，其中所述第一电流路径包括串联的：第一电阻器、第一晶体管以及第一二极管连接的NMOS和PMOS对；在所述电源和地之间的第二电流路径，其中所述第二电流路径包括串联的：第二电阻器、第二晶体管以及第二二极管连接的NMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋超，K·王，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US