氧化物烧结体和溅射靶、及其制造方法技术

一种氧化物烧结体，其中，设锌、铟、镓和锡的含量相对于除氧以外的全部金属元素的比例(原子％)分别为[Zn]、[In]、[Ga]和[Sn]时，满足40原子％≤[Zn]≤55原子％、20原子％≤[In]≤40原子％、5原子％≤[Ga]≤15原子％、和5原子％≤[Sn]≤20原子％，相对密度为95％以上，含有5～20体积％的InGaZn2O5作为晶相。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化物烧结体和溅射靶、及其制造方法
本专利技术涉及以溅射法成膜用于液晶显示器、有机EL显示器等的显示装置的薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)的氧化物半导体薄膜时所用的氧化物烧结体和溅射靶、及其制造方法。
技术介绍
用于TFT的非晶(非晶质)氧化物半导体薄膜，若与通用的非晶硅(a－Si)相比，则载流子迁移率高，光学带隙大，并且能够以低温成膜。因此，可期待其在要求大型、高分辨率且高速驱动的次世代显示器中的利用，和面向耐热性低的树脂基板上的应用等。作为适合这些用途的氧化物半导体，提出有含In的非晶质氧化物半导体。例如，In－Ga－Zn系氧化物半导体便受到注目。在上述氧化物半导体薄膜的形成时，适合使用对与该薄膜具有相同组成的材料所构成的溅射靶(以下，称为“靶材”)进行溅射的溅射法。若在溅射中发生异常放电，则靶材开裂。因此，为了抑制靶材的裂纹，调节靶材中的晶相的含量受到研究(例如，专利文献1～4)。专利文献1公开有一种由In－Ga－Zn－Sn系氧化物烧结体构成的靶材，其中，作为主相，将InGaZn2O5相的比例控制在3％以下。专利文献2公开有一种由In－Ga－Sn系氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化物烧结体，其中，设锌、铟、镓和锡的以原子％计的含量相对于除氧以外的全部金属元素的比例分别为[Zn]、[In]、[Ga]和[Sn]时，满足40原子％≤[Zn]≤55原子％，20原子％≤[In]≤40原子％，5原子％≤[Ga]≤15原子％，和5原子％≤[Sn]≤20原子％，相对密度为95％以上，作为晶相，含有5～20体积％的InGaZn2O5。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.19 JP 2016-083840;2017.01.19 JP 2017-007851.一种氧化物烧结体，其中，设锌、铟、镓和锡的以原子％计的含量相对于除氧以外的全部金属元素的比例分别为[Zn]、[In]、[Ga]和[Sn]时，满足40原子％≤[Zn]≤55原子％，20原子％≤[In]≤40原子％，5原子％≤[Ga]≤15原子％，和5原子％≤[Sn]≤20原子％，相对密度为95％以上，作为晶相，含有5～20体积％的InGaZn2O5。2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其中，所述氧化物烧结体中的气孔的最大当量圆直径为3μm以下。3.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其中，所述氧化物烧结体中的气孔的平均当量圆直径相对于最大当量圆直径的相对比为0.3以上且1.0以下，平均当量圆直径、最大当量圆直径的单位是μm。4.根据权利要求1～3中任一项所述的氧化物烧结体，其中，[Zn]/[In]高于1.75并低于2.25，作为晶相，还含有30～90体积％的Zn2SnO4，和1～20体积％的InGaZnO4。5.根据权利要求1～3中任一项所述的氧化物烧结体，其中，[Zn]/[In]低于1.5，作为晶相，还含有30～90体积％的In2O3。6.根据权利要求1～3中任一项所述的氧化物烧结体，其中，作为晶相，还含有高于0体积％并在10体积％以下的InGaZn3O6。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：田尾幸树，中根靖夫，畠英雄，
申请(专利权)人：株式会社钢臂功科研，
类型：发明
国别省市：日本,JP