一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料及其应用制造技术

技术编号:19871778 阅读:54 留言:0更新日期:2018-12-22 15:37
本发明专利技术揭示了一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料及其应用,属于半导体行业存储器技术技术领域。并吡咯核芳香胺类有机半导体材料具有四芳基取代并吡咯核和芳香胺取代基,具高稳定性、有合适能级、高的空穴迁移率、较好的溶解性和成膜性,能够作为空穴传输层材料应用于钙钛矿太阳电池器件中。本发明专利技术合成工艺简单、成本低、产物易于纯化,能获得较好的钙钛矿电池器件性能,利于推广和应用。

【技术实现步骤摘要】
一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料及其应用
本专利技术涉及一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料及其在钙钛矿电池器件中的应用,可用于半导体行业太阳电池

技术介绍
随着能源危机的加重,人们正极力寻找廉价清洁的新能源来代替目前广泛使用的石油、煤、天然气等不可再生能源。太阳能作为一种可再生能源,是基于光伏技术的清洁能源的根本。如何将太阳能来造福人类成为众多学者研究的课题,其中太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的有效手段。近年来,钙钛矿太阳能电池有光电转换效率高,工艺简单等一些优异特性而受到人们广泛关注。钙钛矿太阳电池的深入研究已经将其光电转换效率提高到了23%以上,有可能达到或者超过单晶硅太阳电池25.6%的光电转换效率。这一重大成就与2013年成功被Science评选为十大科学突破之一。但是,目前广泛研究的钙钛矿太阳能电池使用的空穴传输材料主要是基于Spiro-OMeTAD,其他的空穴传输材料合成成本又较高。Spiro-OMeTAD作为空穴传输层材料需要进行预掺杂。掺杂操作会对器件性能、尤其是器件工作稳定性造成影响。因此,近年来,不断有非掺杂型空穴传输材料被设计并合成。然而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料,其特征在于:所述并吡咯核芳香胺类有机半导体材料,其结构通式如通式A所示:

【技术特征摘要】
1.一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料,其特征在于:所述并吡咯核芳香胺类有机半导体材料,其结构通式如通式A所示:其中,Ar1为苯环、萘环、噻吩、并噻吩、芴和苯并噻吩中的一种,Ar2为苯环、萘环、噻吩、并噻吩、芴和苯并噻吩中的一种。2.根据权利要求1所述的一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料,其特征在于:所述通式A可表示为:其中,Ar1为苯环、萘环、噻吩、并噻吩、芴和苯并噻吩中的一种,Ar2为苯环、萘环、噻吩、并噻吩、芴和苯并噻吩中的一种,R为H、甲氧基、甲硫基、二芳基胺或咔唑中的一种。3.根据权利要求1所述的一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料,其特征在于:所述通式A可表示为:其中,Ar1为苯环、萘环、噻吩、并噻吩、芴和苯并噻吩中的一种,Ar2为苯环、萘环、噻吩、并噻吩、芴和苯并噻吩中的一种,R为H、甲氧基、甲硫基、二芳基胺或咔唑中的一种。4.根据权利要求1所述的一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料,其特征在于:所述通式A可表示为:其中,Ar1为苯环、萘环、噻吩、并噻吩...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵保敏张彩霞刘书利傅妮娜黄维
申请(专利权)人:南京邮电大学
类型:发明
国别省市:江苏,32

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