一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺制造技术

本发明专利技术涉及单晶硅片切割领域。一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺，确定金刚线标准：母线直接60±2μm，金刚线直径：72±5μm；破断张力13±0.5N，确定主辊槽距，主辊槽距=金刚线直径+硅片厚度+5μm=257±5μm，选择最大值即262μm作为主辊槽距；然后分布调整主动轮转速进而调整金刚线的线速度，同时调整放线和收线速度，同时调整硅棒下压速度。本发明专利技术采用60μm金刚线切割单晶硅片，单晶硅片出片数提高至51片/kg，单晶硅片生产成本达到4元/片左右。

【技术实现步骤摘要】
一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺
本专利技术涉及单晶硅片切割领域。
技术介绍
金刚线区别于传统砂浆的切割，重要一点就是，以固结的方式可以参与有效切割的金刚石多，镀层要比砂浆的混合体小，刀锋损失也少，硅片自然会多点，生产加工过程成本降低，光伏投资性价比增高，会推广光伏的发展。金刚线的应用对硅片厂意义重大，生产成本中大约70%消耗在切割环节。因此切割线的技术突破是硅片加工成本下降的最重要途径。金刚石线切割速度是普通钢线的2倍，因此单位产量的折旧、人工和能源成本将降低一半。当前金刚线的价格已大幅下降，。可以这样说，金刚线的大规模应用各项条件都已经成熟。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：如何使用60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片。本专利技术所采用的技术方案是：一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺，确定金刚线标准：母线直接60±2μm，金刚线直径：72±5μm；破断张力13±0.5N，确定主辊槽距，主辊槽距=金刚线直径+硅片厚度+5μm=257±5μm，选择最大值即262μm作为主辊槽距；调整主动轮转速使金刚线的线速度为960m/min，当硅棒与金刚线之间距离为1μm，首先从放线端到收线端送线530m，然后从收线端到放线端回线490m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒3mm的切割；保持主动轮转速不变，首先从放线端到收线端送线530m，然后从收线端到放线端回线490m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒2mm的切割；调整主动轮转速使金刚线的线速度为1320m/min，首先从放线端到收线端送线530m，然后从收线端到放线端回线500m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒14mm的切割；调整主动轮转速使金刚线的线速度为1500m/min，首先从放线端到收线端送线535m，然后从收线端到放线端回线515m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒112mm的切割；保持主动轮转速不变，首先从放线端到收线端送线535m，然后从收线端到放线端回线515m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒2mm的切割；保持主动轮转速不变，首先从放线端到收线端送线480m，然后从收线端到放线端回线530m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒6mm的切割；保持主动轮转速不变，首先从放线端到收线端送线480m，然后从收线端到放线端回线530m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒10mm的切割；保持主动轮转速不变，首先从放线端到收线端送线480m，然后从收线端到放线端回线530m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒5mm的切割；调整主动轮转速使金刚线的线速度为1300m/min，首先从放线端到收线端送线475m，然后从收线端到放线端回线530m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒5mm的切割；调整主动轮转速使金刚线的线速度为1320m/min，首先从放线端到收线端送线475m，然后从收线端到放线端回线530m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒6mm的切割；调整主动轮转速使金刚线的线速度为1020m/min，首先从放线端到收线端送线475m，然后从收线端到放线端回线530m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒全部的切割。本专利技术的有益效果是：本专利技术采用60μm金刚线切割单晶硅片，单晶硅片出片数提高至51片/kg，单晶硅片生产成本达到4元/片左右。具体实施方式制定金刚线标准：母线直接60±2，金刚线直径：72±5μm；破断张力13±0.5N。制定主辊槽距：硅片厚度=主辊槽距-金刚线直径-5μm（磨损值），根据计算硅片厚度为180μm，主辊槽距设定为262μm制定60金刚线切割工艺；（1）张力改进：确保钢线切割能力，以及线弓大小；（2）进线、反线比例，确保硅片切割纹路良好，避免硅片质量外观下降；（3）钢线加速周期，可提高切割能力，但首先确保主辊负载能力；（4）新线使用量，确保金刚线切割能力，同时保证切割成本的控制；（5）进刀速度，生产力的控制，确保高效切割，同时保证硅片切割品质；具体切割过程见下表所示使用60μm金刚线切割单晶硅片，通过减少钢线直径，进而减少金刚线对硅料磨损，增加硅片单片出片数量。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺，其特征在于：确定金刚线标准：母线直接60±2μm，金刚线直径：72±5μm；破断张力13±0.5N，确定主辊槽距，主辊槽距=金刚线直径+硅片厚度+5μm=257±5μm，选择最大值即262μm作为主辊槽距；调整主动轮转速使金刚线的线速度为960m/min，当硅棒与金刚线之间距离为1μm，首先从放线端到收线端送线530m，然后从收线端到放线端回线490m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒3mm的切割；保持主动轮转速不变，首先从放线端到收线端送线530m，然后从收线端到放线端回线490m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒2mm的切割；调整主动轮转速使金刚线的线速度为1320m/min，首先从放线端到收线端送线530m，然后从收线端到放线端回线500m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒14mm的切割；调整主动轮转速使金刚线的线速度为1500m/min，首先从放线端到收线端送线535m，然后从收线端到放线端回线515m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒112mm的切割；保持主动轮转速不变，首先从放线端到收线端送线535m，然后从收线端到放线端回线515m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒2mm的切割；保持主动轮转速不变，首先从放线端到收线端送线480m，然后从收线端到放线端回线530m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒6mm的切割；保持主动轮转速不变，首先从放线端到收线端送线480m，然后从收线端到放线端回线530m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒10mm的切割；保持主动轮转速不变，首先从放线端到收线端送线480m，然后从收线端到放线端回线530m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒5mm的切割；调整主动轮转速使金刚线的线速度为1300m/min，首先从放线端到收线端送线475m，然后从收线端到放线端回线530m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒5mm的切割；调整主动轮转速使金刚线的线速度为1320m/min，首先从放线端到收线端送线475m，然后从收线端到放线端回线530m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒6mm的切割；调整主动轮转速使金刚线的线速度为1020m/min，首先从放线端到收线端送线475m，然后从收线端到放线端回线530m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒全部的切割。...

【技术特征摘要】
1.一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺，其特征在于：确定金刚线标准：母线直接60±2μm，金刚线直径：72±5μm；破断张力13±0.5N，确定主辊槽距，主辊槽距=金刚线直径+硅片厚度+5μm=257±5μm，选择最大值即262μm作为主辊槽距；调整主动轮转速使金刚线的线速度为960m/min，当硅棒与金刚线之间距离为1μm，首先从放线端到收线端送线530m，然后从收线端到放线端回线490m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒3mm的切割；保持主动轮转速不变，首先从放线端到收线端送线530m，然后从收线端到放线端回线490m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒2mm的切割；调整主动轮转速使金刚线的线速度为1320m/min，首先从放线端到收线端送线530m，然后从收线端到放线端回线500m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒14mm的切割；调整主动轮转速使金刚线的线速度为1500m/min，首先从放线端到收线端送线535m，然后从收线端到放线端回线515m，在此过程中将硅棒均匀下压，此过程结束后完成对硅棒112mm的切割；保持主动轮转速不变，首先从放线端到收线端送线535m，然后从收线端到放线端回...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东东，任崇荣，王立明，史婷婷，刘宝华，
申请(专利权)人：山西潞安太阳能科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山西,14