一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺制造技术

技术编号:19862463 阅读:210 留言:0更新日期:2018-12-22 12:51
本发明专利技术涉及单晶硅片切割领域。一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺,确定金刚线标准:母线直接60±2μm,金刚线直径:72±5μm;破断张力13±0.5N,确定主辊槽距,主辊槽距=金刚线直径+硅片厚度+5μm=257±5μm,选择最大值即262μm作为主辊槽距;然后分布调整主动轮转速进而调整金刚线的线速度,同时调整放线和收线速度,同时调整硅棒下压速度。本发明专利技术采用60μm金刚线切割单晶硅片,单晶硅片出片数提高至51片/kg,单晶硅片生产成本达到4元/片左右。

【技术实现步骤摘要】
一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺
本专利技术涉及单晶硅片切割领域。
技术介绍
金刚线区别于传统砂浆的切割,重要一点就是,以固结的方式可以参与有效切割的金刚石多,镀层要比砂浆的混合体小,刀锋损失也少,硅片自然会多点,生产加工过程成本降低,光伏投资性价比增高,会推广光伏的发展。金刚线的应用对硅片厂意义重大,生产成本中大约70%消耗在切割环节。因此切割线的技术突破是硅片加工成本下降的最重要途径。金刚石线切割速度是普通钢线的2倍,因此单位产量的折旧、人工和能源成本将降低一半。当前金刚线的价格已大幅下降,。可以这样说,金刚线的大规模应用各项条件都已经成熟。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是:如何使用60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片。本专利技术所采用的技术方案是:一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺,确定金刚线标准:母线直接60±2μm,金刚线直径:72±5μm;破断张力13±0.5N,确定主辊槽距,主辊槽距=金刚线直径+硅片厚度+5μm=257±5μm,选择最大值即262μm作为主辊槽距;调整主动轮转速使金刚线的线速度为960m/min,当硅棒与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺,其特征在于:确定金刚线标准:母线直接60±2μm,金刚线直径:72±5μm;破断张力13±0.5N,确定主辊槽距,主辊槽距=金刚线直径+硅片厚度+5μm=257±5μm,选择最大值即262μm作为主辊槽距;调整主动轮转速使金刚线的线速度为960m/min,当硅棒与金刚线之间距离为1μm,首先从放线端到收线端送线530m,然后从收线端到放线端回线490m,在此过程中将硅棒均匀下压,此过程结束后完成对硅棒3mm的切割;保持主动轮转速不变,首先从放线端到收线端送线530m,然后从收线端到放线端回线490m,在此过程中将硅棒均匀下压,此过程结束后...

【技术特征摘要】
1.一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺,其特征在于:确定金刚线标准:母线直接60±2μm,金刚线直径:72±5μm;破断张力13±0.5N,确定主辊槽距,主辊槽距=金刚线直径+硅片厚度+5μm=257±5μm,选择最大值即262μm作为主辊槽距;调整主动轮转速使金刚线的线速度为960m/min,当硅棒与金刚线之间距离为1μm,首先从放线端到收线端送线530m,然后从收线端到放线端回线490m,在此过程中将硅棒均匀下压,此过程结束后完成对硅棒3mm的切割;保持主动轮转速不变,首先从放线端到收线端送线530m,然后从收线端到放线端回线490m,在此过程中将硅棒均匀下压,此过程结束后完成对硅棒2mm的切割;调整主动轮转速使金刚线的线速度为1320m/min,首先从放线端到收线端送线530m,然后从收线端到放线端回线500m,在此过程中将硅棒均匀下压,此过程结束后完成对硅棒14mm的切割;调整主动轮转速使金刚线的线速度为1500m/min,首先从放线端到收线端送线535m,然后从收线端到放线端回线515m,在此过程中将硅棒均匀下压,此过程结束后完成对硅棒112mm的切割;保持主动轮转速不变,首先从放线端到收线端送线535m,然后从收线端到放线端回...

【专利技术属性】
技术研发人员:李东东任崇荣王立明史婷婷刘宝华
申请(专利权)人:山西潞安太阳能科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:山西,14

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