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本发明涉及单晶硅片切割领域。一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺，确定金刚线标准：母线直接60±2μm，金刚线直径：72±5μm；破断张力13±0.5N，确定主辊槽距，主辊槽距=金刚线直径+硅片厚度+5μm=257±5μm，选...该专利属于山西潞安太阳能科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西潞安太阳能科技有限责任公司授权不得商用。
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本发明涉及单晶硅片切割领域。一种60μm金刚线切割180μm厚度单晶硅片的工艺，确定金刚线标准：母线直接60±2μm，金刚线直径：72±5μm；破断张力13±0.5N，确定主辊槽距，主辊槽距=金刚线直径+硅片厚度+5μm=257±5μm，选...