一种二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种二极管及其制备方法，所述二极管包括：第一导电类型的衬底，第一导电类型的外延层，形成于所述衬底的多个第二导电类型的第一埋层，形成于所述外延层的第二导电类型的阱区，正面金属和背面金属，该衬底、外延层以及埋层在该二极管的阴极形成寄生的三极晶体管，从而使得二极管获得较软的反向恢复特性。

【技术实现步骤摘要】
一种二极管及其制备方法
本专利技术涉及半导体器件的设计和制造加工领域，尤其涉及一种二极管及其制造方法。
技术介绍
快速恢复二极管(Fastrecoverydiode，简称FRD)是一种开关特性好、反向恢复时间短的二极管，快速恢复二极管广泛应用于开关电源、逆变器、变频器、PWM脉宽调制器、电机、静电感应等电力电子
快速恢复二极管的一个工作周期中包含正向恢复和反向恢复。正向恢复特性是指快速恢复二极管从正向导通开始到出现较高的瞬态压降，经过一定时间后才能处于稳定状态，该时间长短反映了正向恢复特性；反向恢复特性是指在较短的时间内，二极管能够从正向导通状态恢复到反向关断状态，而反向恢复时间的长短会直接影响整个电路系统的功耗，反向恢复时间越长，系统所浪费的功耗就越大。传统工艺的快速恢复二极管已经不能满足新的应用需求，新应用要求快速恢复二极管不仅要有更短的反向恢复时间，还要求具有较软的恢复特性。
技术实现思路
本专利技术提供一种二极管，使其具有较软的反向恢复特性。一方面，本专利技术提供一种二极管，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，形成于所述衬底的上表面，所述外延层的掺杂浓度低于所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二极管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，形成于所述衬底的上表面，所述外延层的掺杂浓度低于所述衬底的掺杂浓度；多个第二导电类型的第一埋层，所述第一埋层位于所述衬底与所述外延层之间；第二导电类型的阱区，形成于所述外延层上；正面金属和背面金属。

【技术特征摘要】
1.一种二极管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，形成于所述衬底的上表面，所述外延层的掺杂浓度低于所述衬底的掺杂浓度；多个第二导电类型的第一埋层，所述第一埋层位于所述衬底与所述外延层之间；第二导电类型的阱区，形成于所述外延层上；正面金属和背面金属。2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，还包括：第一导电类型的第二埋层，所述第二埋层位于所述衬底与所述外延层之间，所述第一埋层及所述第二埋层间隔设置。3.根据权利要求1或2所述的二极管，其特征在于，还包括：多个第二导电类型的高掺杂区，通过注入工艺形成于所述阱区内，所述高掺杂区的上表面与所述阱区的上表面持平，所述高掺杂区的掺杂浓度高于所述阱区的掺杂浓度。4.根据权利要求3所述的二极管，其特征在于，还包括：多个第一导电类型的多晶硅，形成于所述阱区之上，所述多晶硅与所述多个高掺杂区间隔设置，且每个多晶硅均设置于两个高掺杂区中间。5.根据权利要求3所述的二极管，其特征在于，所述第一埋层的位置和数量与所述高掺杂区的位置和数量相对应。6.一种二极管制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底；...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳林涛，王永贵，
申请(专利权)人：深圳市天佑照明有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44