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一种二极管及其制备方法技术
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文档序号:19862453
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本发明涉及一种二极管及其制备方法,所述二极管包括:第一导电类型的衬底,第一导电类型的外延层,形成于所述衬底的多个第二导电类型的第一埋层,形成于所述外延层的第二导电类型的阱区,正面金属和背面金属,该衬底、外延层以及埋层在该二极管的阴极形成寄生...
该专利属于深圳市天佑照明有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市天佑照明有限公司授权不得商用。
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