半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一逻辑单元及第二逻辑单元，在衬底上在第一方向上彼此相邻；栅极电极，在第一逻辑单元及第二逻辑单元的每一者中在第一方向上延伸；电源线，在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸；以及连接结构，将电源线电连接到第一逻辑单元的有源图案及第二逻辑单元的有源图案。连接结构位于电源线下方且从第一逻辑单元延伸到第二逻辑单元。连接结构的顶表面处于比栅极电极的顶表面的水平高度高的水平高度。在本发明专利技术的半导体器件中，单个连接结构可将电源线电连接到不同逻辑单元的源极/漏极区。由此，半导体器件的集成度可因此得到提高且制造可因此得到简化。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法[相关申请的交叉参考]本申请主张在2017年6月8日提出申请的韩国专利申请第10-2017-0071832号的优先权，所述韩国专利申请的全部内容并入本文供参考。
本专利技术概念涉及一种半导体器件以及制造所述半导体器件的方法，且更具体来说，涉及包括场效应晶体管的半导体器件以及制造所述半导体器件的方法。
技术介绍
由于半导体器件的大小小、功能多及/或制作成本低，因此半导体器件被视为电子产业中的重要因素。半导体器件可被分类为以下中的任一种：存储逻辑数据的半导体存储器件；处理逻辑数据的运算的半导体逻辑器件；以及具有存储元件及逻辑元件二者的混合半导体器件。随着电子产业向前发展，半导体器件对高集成度的需要越来越强。举例来说，日益要求半导体器件具有高的可靠性、高的速度、及/或多功能。半导体器件逐渐变得复杂且被高度集成以满足这些所要求特性。
技术实现思路
本专利技术概念的一些实施例提供一种包括高度集成的场效应晶体管的半导体器件。本专利技术概念的实施例提供一种制造包括高度集成的场效应晶体管的半导体器件的方法。根据本专利技术概念的示例性实施例，一种半导体器件可包括：栅极电极，在第一逻辑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；第一逻辑单元，设置在所述衬底上且包括第一有源图案；第二逻辑单元，设置在所述衬底上且包括第二有源图案；第一栅极电极，在第一方向上延伸且设置在所述第一逻辑单元上；第二栅极电极，在所述第一方向上延伸且设置在所述第二逻辑单元上；电源线，在所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向垂直；以及连接结构，将所述电源线电连接到所述第一有源图案及所述第二有源图案，其中所述连接结构设置在所述电源线下方且从所述第一逻辑单元延伸到所述第二逻辑单元，且所述连接结构的顶表面处于比所述第一栅极电极的顶表面的水平高度高的水平高度。

【技术特征摘要】
2017.06.08 KR 10-2017-00718321.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；第一逻辑单元，设置在所述衬底上且包括第一有源图案；第二逻辑单元，设置在所述衬底上且包括第二有源图案；第一栅极电极，在第一方向上延伸且设置在所述第一逻辑单元上；第二栅极电极，在所述第一方向上延伸且设置在所述第二逻辑单元上；电源线，在所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向垂直；以及连接结构，将所述电源线电连接到所述第一有源图案及所述第二有源图案，其中所述连接结构设置在所述电源线下方且从所述第一逻辑单元延伸到所述第二逻辑单元，且所述连接结构的顶表面处于比所述第一栅极电极的顶表面的水平高度高的水平高度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅极电极在所述第一方向上与所述第一栅极电极对齐，且在平面图中，所述连接结构在所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间伸展。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括绝缘图案，所述绝缘图案位于所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间并将所述第一栅极电极与所述第二栅极电极隔开，其中所述连接结构跨越所述绝缘图案。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述连接结构包括：第一接触部，设置在所述第一有源图案上；第二接触部，设置在所述第二有源图案上；以及桥接部，将所述第一接触部连接到所述第二接触部，且在所述第二方向上或在第三方向上延伸，所述第三方向垂直于所述第一方向及所述第二方向。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二接触部在所述第二方向上相对于虚拟线偏置，且所述虚拟线跨越所述第一接触部的中心伸展且在所述第一方向上延伸。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述连接结构包括：多个第一接触部，设置在所述第一有源图案上；多个第二接触部，设置在所述第二有源图案上；以及桥接部，将所述多个第一接触部连接到所述多个第二接触部，且在平面图中，在所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元之间的所述边界处以锯齿形路径延伸。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源图案及所述第一栅极电极构成第一晶体管，且所述第二有源图案及所述第二栅极电极构成第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管具有相同的导电性。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述电源线与所述连接结构之间的通孔，其中在平面图中，所述通孔具有在与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向上延伸的棒形状，且所述连接结构具有位于所述通孔下方的部分，所述连接结构的所述部分在所述第三方向上延伸。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源图案包括：第一沟道区，设置在所述第一栅极电极下方；以及多个第一源极/漏极区，设置在所述第一沟道区的相对两侧处，其中所述第二有源图案包括：第二沟道区，设置在所述第二栅极电极下方；以及多个第二源极/漏极区，设置在所述第二沟道区的相对两侧处，且其中所述连接结构将所述多个第一源极/漏极区连接到所述多个第二源极/漏极区。10.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；第一逻辑单元，设置在所述衬底上且包括第一有源图案；第二逻辑单元，设置在所述衬底上且包括第二有源图案；第一栅极电极，在第一方向上延伸且设置在所述第一逻辑单元上；第二栅极电极，在所述第一方向上延伸且设置在所述第二逻辑单元上；电源线，在所述第一逻辑单元与所述第二逻辑...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱钰博，金柄成，朴哲弘，李海王，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR