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本发明公开一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一逻辑单元及第二逻辑单元，在衬底上在第一方向上彼此相邻；栅极电极，在第一逻辑单元及第二逻辑单元的每一者中在第一方向上延伸；电源线，在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间的边界...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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