一种法兰和半导体功率器件制造技术

本发明专利技术实施例提供一种法兰和一种半导体功率器件，其中，所述法兰包括法兰本体和嵌件，所述嵌件嵌入所述法兰本体的上端面或下端面，并嵌绕于所述法兰本体的四周；其中，所述嵌件为适配于所述法兰本体端面形状；所述法兰本体的热膨胀系数高于所述嵌件的热膨胀系数。有效提高了法兰结构的机械可靠性，改善了半导体功率器件、集成电路板中法兰结构和芯片之间的CTE失配问题。

【技术实现步骤摘要】
一种法兰和半导体功率器件
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种法兰、一种半导体功率器件和一种集成电路板。
技术介绍
随着通信技术的不断演进，基站对功率放大器的功率、效率、带宽等性能要求越来越高。Si基LDMOS受到频率和功率密度的限制，性能已基本发挥到了极限。为了达到新的功率特性水平，满足未来通信的需求，氮化镓宽禁带半导体功率放大器逐渐成为基站功放的主流选择。由于具有禁带宽度大、击穿电场强度高、和电子饱和速度高等特性，氮化镓宽禁带半导体器件在功率应用方面具有得天独厚的优势，其功率密度可以达到Si基LDMOS的5倍以上，效率提升10％以上。目前现有GaN功率放大器主要采用陶瓷空腔封装，器件法兰一般为金属材料，常用为CuW、CuMoCu等，作为器件载体并同时实现器件对外散热。其中CuW的热导率只有不到200W/m·K，CuMoCu也只有300W/m·K左右；且其中CuMoCu加工工艺复杂，成本高昂，因此本领域中常用的法兰器件通常具有散热性能较差且工艺复杂，成本高等问题。对此，现有技术中给出了一些高散热性的封装方法。图1为一种现有功率封装结构，包括金属钼作为基体的法兰14与外表的铜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种法兰，其特征在于，包括法兰本体和嵌件；其中，所述嵌件嵌入所述法兰本体的上端面或下端面，并嵌绕于所述法兰本体的四周；其中，所述嵌件为适配于所述法兰本体端面的形状；所述法兰本体的热膨胀系数高于所述适配于所述法兰本体端面形状的嵌件的热膨胀系数。

【技术特征摘要】
1.一种法兰，其特征在于，包括法兰本体和嵌件；其中，所述嵌件嵌入所述法兰本体的上端面或下端面，并嵌绕于所述法兰本体的四周；其中，所述嵌件为适配于所述法兰本体端面的形状；所述法兰本体的热膨胀系数高于所述适配于所述法兰本体端面形状的嵌件的热膨胀系数。2.根据权利要求1所述的法兰，所述嵌件嵌入所述法兰本体的上端面，所述嵌件的表面和所述法兰本体的上端面位于同一平面上。3.根据权利要求1所述的法兰，所述嵌件嵌入所述法兰本体的下端面，所述嵌件的表面和所述法兰本体的下端面位于同一平面上。4.根据权利要求1-3所述的法兰，其特征在于，所述嵌件材料为钼，或者为钨，或者为铁镍。5.一种法兰，其特征在于，包括法兰本体，上嵌件和下嵌件，其中，所述上嵌件嵌入所述法兰本体的上端面，所述下嵌件嵌入所述法兰本体的下端面，所述上嵌件和下嵌件均嵌绕于所述法兰本体的四周；其中，所述上嵌件适配于所述法兰本体上端面形状；所述下嵌件为适配于所述法兰本体下端面形状；所述法兰本体的热膨胀系数高于所述嵌件的热膨胀系数。6.根据权利要求5所述的法兰，所述上嵌件的表面和...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁昌发，曹梦逸，张宗民，谢荣华，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44