【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装
本专利技术涉及一种半导体装置封装及一种制造半导体装置封装的方法。具体而言，本专利技术涉及一种半导体装置封装，包含用于电气互连的穿玻璃通孔(TGV)。
技术介绍
半导体装置封装的集成无源装置(IPD)可包含用于电气互连的穿玻璃通孔(TGV)。钻孔技术用于在相对厚(例如，大于约300微米(μm))的玻璃衬底中形成TGV。支撑/保护膜(例如，味之素堆积膜(ABF))可用于处理相对薄(例如，小于约300μm)的玻璃衬底。在此类情况下，ABF膜可涂覆到玻璃衬底的两侧并且可在衬底上两次执行钻孔操作以形成TGV。然而，钻孔操作可损坏玻璃衬底，尤其相对薄的玻璃衬底。此外，ABF的平坦度不够好，并且可能会不利地影响后续过程(例如，形成电容器的过程)。
技术实现思路
在一或多个实施例中，半导体装置封装包含衬底、第一绝缘层、支撑膜及互连结构。所述衬底具有第一侧壁、第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一绝缘层处于所述衬底的所述第一表面上并且具有第二侧壁。所述第一绝缘层具有第一表面及邻近于所述衬底且与所述第一绝缘层的所述第一表面相对的第二表面。所述支撑膜处于所述衬底的...
【技术保护点】
1.一种半导体装置封装，其包括：衬底，所述衬底具有第一侧壁、第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一绝缘层，所述第一绝缘层处于所述衬底的所述第一表面上并且具有第二侧壁，其中所述第一绝缘层具有第一表面及邻近于所述衬底且与所述第一绝缘层的所述第一表面相对的第二表面；支撑膜，所述支撑膜处于所述衬底的所述第二表面上并且具有第三侧壁，其中所述支撑膜具有邻近于所述衬底的第一表面及与所述支撑膜的所述第一表面相对的第二表面；及互连结构，所述互连结构通过所述第一绝缘层及所述支撑膜从所述第一绝缘层的所述第一表面延伸到所述支撑膜的所述第二表面，所述互连结构覆盖所述第一、第二及第三侧壁。
【技术特征摘要】
2017.06.08 US 15/618,0841.一种半导体装置封装，其包括：衬底，所述衬底具有第一侧壁、第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一绝缘层，所述第一绝缘层处于所述衬底的所述第一表面上并且具有第二侧壁，其中所述第一绝缘层具有第一表面及邻近于所述衬底且与所述第一绝缘层的所述第一表面相对的第二表面；支撑膜，所述支撑膜处于所述衬底的所述第二表面上并且具有第三侧壁，其中所述支撑膜具有邻近于所述衬底的第一表面及与所述支撑膜的所述第一表面相对的第二表面；及互连结构，所述互连结构通过所述第一绝缘层及所述支撑膜从所述第一绝缘层的所述第一表面延伸到所述支撑膜的所述第二表面，所述互连结构覆盖所述第一、第二及第三侧壁。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一绝缘层的所述第一表面是顶部表面且所述互连结构覆盖所述第一绝缘层的所述顶部表面，并且所述支撑膜的所述第二表面是底部表面且所述互连结构覆盖所述支撑膜的所述底部表面。3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其进一步包括穿透所述衬底、所述第一绝缘层及所述支撑膜的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层覆盖所述互连结构、所述第一绝缘层的所述顶部表面的一部分及所述支撑膜的所述底部表面的一部分。4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括安置于所述衬底的所述第一表面上且连接到所述互连结构的无源组件层。5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述衬底包括玻璃材料。6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述衬底的厚度小于约300微米(μm)。7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一绝缘层包括第一绝缘材料且所述支撑膜包括第二绝缘材料，并且所述第一绝缘材料不同于所述第二绝缘材料。8.一种半导体装置封装，其包括：衬底，所述衬底具有第一侧壁、第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一支撑膜，所述第一支撑膜处于所述衬底的所述第二表面上并且具有底部表面及第二侧壁；第二支撑膜，所述第二支撑膜处于所述衬底的所述第一表面上并且具有顶部表面及第三侧壁；以及互连结构，所述互...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建桦，陈明宏，施旭强，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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