一种晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种晶体管及其制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成第一导电类型的外延层；在所述外延层上形成第一导电类型的多晶硅层；去除预设区域外的多晶硅层，所保留的预设区域的多晶硅层为发射区；在所述发射区的表面形成第一氧化层；以所述第一氧化层为掩膜，在所述外延层表面形成沟槽；通过离子注入工艺在所述沟槽暴露出来的外延层表面区域内形成第二导电类型的扩散区；通过高温退火工艺，使所述扩散区的杂质在所述发射区下方扩散到一起形成基区，同时所述发射区内的杂质扩散至所述基区的表层，形成发射极结；所述方法形成的晶体管的基区与发射区之间具有良好界面态，放大系数稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体的说是一种晶体管及其制作方法。
技术介绍
现有技术中，基区均通过注入工艺后采用退火工艺形成，基区结深及结形貌受退火工艺影响很大，而多晶发射极工艺均通过多晶内大剂量注入，之后高温快速热退火，使得杂质扩散进入基区形成发射极结。在基区及发射区的接触表面，会经历大量的工艺过程，特别是基区窗口的光刻和刻蚀和发射极窗口的光刻和刻蚀，对于基区表面带来大量的缺陷，最终导致器件的放大系数非常不稳定。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种晶体管以及制作方法，能够使所述晶体管的放大系数更加稳定，提供器件性能。第一方面，本专利技术实施例提供了一种晶体管，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层；形成在所述外延层上的第一导电类型的发射区，所述发射区的形成步骤包括：在所述外延层上形成第一导电类型的多晶硅层；去除预设区域外的多晶硅层，所保留的预设区域的多晶硅层为发射区；形成在所述外延层顶部区域内的基区，所述基区的部分区域与所述发射区之间形成有发射极结。形成在所述发射区表面的第一氧化层，所述第一氧化层上形成有发射极接触孔；形成在暴露出来的基区表面的介质层，所述介质层上形成有基极接触孔；以及发射极、基极以及集电极，所述集电极位于所述衬底远离所述外延层一侧，所述发射极通过所述发射极接触孔连接所述发射区，所述基极通过所述基极接触孔连接所述基区。第二方面，本专利技术实施例提供了一种晶体管的制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成第一导电类型的外延层；在所述外延层上形成第一导电类型的多晶硅层；去除预设区域外的多晶硅层，所保留的预设区域的多晶硅层为发射区；在所述发射区的表面形成第一氧化层；以所述第一氧化层为掩膜，在所述外延层表面形成沟槽；通过离子注入工艺在所述沟槽暴露出来的外延层表面区域内形成第二导电类型的扩散区；通过高温退火工艺，使所述扩散区的杂质在所述发射区下方扩散到一起形成基区，同时所述发射区内的杂质扩散至所述基区的表层，形成发射极结；形成分别与所述发射区、基区以及所述衬底电连接的发射极，基极以及集电极。可以理解，本专利技术通过在所述发射区两侧形成所述沟槽，再通过离子注入工艺在所述沟槽暴露出来的外延层表面区域内形成第二导电类型的扩散区，再通过对所述外延层及所述发射区进行高温退火工艺，使所述扩散区的杂质在所述发射区下方扩散到一起形成基区，同时所述发射区内的杂质扩散至所述基区的表层，形成发射极结，通过方式形成所述基区，使基区表面无需经过如光刻及刻蚀的工艺流程，因此可以实现对基区与发射区的接触表面的保护，保证了基区与发射区之间良好界面态，使器件具有稳定的放大系数，提高器件良率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。构成本专利技术的一部分附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明书用于解释本专利技术，并不构成对不让你专利技术的不当限定。图1是本专利技术实施例提出的制作晶体管的方法的流程示意图；图2是本专利技术实施例提出的晶体管的剖面结构示意图；图3至图11是本专利技术实施例提出的制作晶体管的方法的剖面结构示意图；附图标记说明：1、衬底；2、外延层；3、多晶硅层；4、发射区；5、第一氧化层；51、第二氧化层；6、沟槽；71、扩散区；7、基区；8、发射极结；9、介质层；101、发射极；102、基极；103、集电极。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和有益技术效果更加清晰明白，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。请参阅图1及图2，图1是本专利技术实施例提出的制作晶体管的方法的流程示意图，图2是本专利技术实施例提出的晶体管的剖面结构示意图；本专利技术提供一种晶体管的制作方法，包括：步骤S01：提供第一导电类型的衬底1，在所述衬底1上形成第一导电类型的外延层2；步骤S02：在所述外延层2上形成第一导电类型的多晶硅层；步骤S03：去除预设区域外的多晶硅层，所保留的预设区域的多晶硅层为发射区4；步骤S04：在所述发射区4的表面形成第一氧化层5；步骤S05：以所述第一氧化层5为掩膜，在所述外延层表面形成沟槽；步骤S06：通过离子注入工艺在所述沟槽暴露出来的外延层2表面区域内形成第二导电类型的扩散区71；步骤S07：通过高温退火工艺，使所述扩散区71内的杂质在所述发射区4下方扩散到一起形成基区7，同时所述发射区4内的杂质扩散至所述基区7的表层形成发射极结8；步骤S08：形成分别与所述发射区4、基区7以及所述衬底1电连接的发射极101，基极102以及集电极103。可以理解，本专利技术通过在所述发射区4两侧形成所述沟槽，再通过离子注入工艺在所述沟槽暴露出来的外延层2表面区域内形成第二导电类型的扩散区71，再通过对所述外延层2及所述发射区4进行高温退火工艺，使所述扩散区71的杂质在所述发射区4下方扩散到一起形成基区7，同时所述发射区4内的杂质扩散至所述基区7的表层，形成发射极结8，通过方式形成所述基区，使基区表面无需经过如光刻及刻蚀的工艺流程，因此可以实现对基区8与发射区4的接触表面的保护，保证了基区7与发射区4之间良好界面态，使器件具有稳定的放大系数，提高器件良率。下面参照附图，对上述形成所述晶体管的方法加以详细阐述。为方便后面的描述，特在此说明：所述第一导电类型可以为N型，那么，所述第二导电类型为P型，反之，所述第一导电类型也可以为P型，相应的，所述第二导电类型为N型。在接下来的实施例中，均以所述第一导电类型为N型及所述第二导电类型为P型为例进行描述，但并不对此进行限本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成第一导电类型的外延层；在所述外延层上形成第一导电类型的多晶硅层；去除预设区域外的多晶硅层，所保留的预设区域的多晶硅层为发射区；在所述发射区的表面形成第一氧化层；以所述第一氧化层为掩膜，在所述外延层表面形成沟槽；通过离子注入工艺在所述沟槽暴露出来的外延层表面区域内形成第二导电类型的扩散区；通过高温退火工艺，使所述扩散区的杂质在所述发射区下方扩散到一起形成基区，同时所述发射区内的杂质扩散至所述基区的表层，形成发射极结；形成分别与所述发射区、基区以及所述衬底电连接的发射极，基极以及集电极。

【技术特征摘要】
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成第一导电类型的外延层；在所述外延层上形成第一导电类型的多晶硅层；去除预设区域外的多晶硅层，所保留的预设区域的多晶硅层为发射区；在所述发射区的表面形成第一氧化层；以所述第一氧化层为掩膜，在所述外延层表面形成沟槽；通过离子注入工艺在所述沟槽暴露出来的外延层表面区域内形成第二导电类型的扩散区；通过高温退火工艺，使所述扩散区的杂质在所述发射区下方扩散到一起形成基区，同时所述发射区内的杂质扩散至所述基区的表层，形成发射极结；形成分别与所述发射区、基区以及所述衬底电连接的发射极，基极以及集电极。2.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述外延层上形成第一导电类型的多晶硅层具体包括：在所述外延层上淀积一层多晶硅；对所述多晶硅进行离子注入工艺，形成所述第一导电类型的多晶硅层。3.如权利要求2所述的晶体管的制作方法，其特征在于，对所述多晶硅进行离子注入工艺时，所注入的离子为砷离子，注入剂量为1E16-2E16/cm3，注入能量为30KeV-50KeV。4.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述发射区的表面形成第一氧化层具体包括：对所述发射区及所述外延层进行氧化工艺，以在所述发射区表面及所述外延层上表面形成第二氧化层；光刻及刻蚀所述第二氧化层，去除所述外延层上表面的第二氧化层，所述发射区表面所保留的第二氧化层为所述第一氧化层。5.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述形成分别与所述发射区、基区接触区以及所述衬底连接的发射极，基极以及集电极具体包括：在暴露出来的基区上形成介质层；做所述介质层及所述第一氧化层的光刻及刻蚀工艺，以在所述介质层和所述第一氧化层上分别形成基极接触孔和发射极接触孔；分别在...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市南硕明泰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44