一种电子传输材料及其有机发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种电子传输材料及其有机发光器件，涉及有机光电材料技术领域。本发明专利技术通过在1,3,5‑三嗪主体结构上，连接取代或未取代的邻菲啰啉基或者取代或未取代的苯并喹啉基基团，该组合方式形成的电子传输材料具有良好的电子传输能力，应用于有机发光器件中作为电子传输层，可提高空穴和电子在发光层的复合率，提高器件的发光效率。该组合方式增大了共轭体系，连续的π共轭体系带来较好的电子流动性，从而具有高的电子迁移率，提高载流子传输性能，使得载流子传输平衡。该类材料制备方法简单、原料易得，作为电子传输层应用于OLED器件中，可以显著地提高器件的发光效率，同时还能有效降低器件的驱动电压，是一类性能优良的OLED材料。

【技术实现步骤摘要】
一种电子传输材料及其有机发光器件
本专利技术涉及有机光电材料
，尤其涉及一种电子传输材料及其有机发光器件。
技术介绍
1987年Kodak公司的Tang等专利技术了三明治型有机双层薄膜发光器件，这一突破性进展，让人们看到了OLED技术走向实用化、走向商业市场的巨大潜力，掀起了有机发光二极管的研究热潮。30年来，OLED技术取得了日新月异的发展，已经从实验室研究走向工业化生产。目前，OLED材料的发展已经到了一个比较成熟的阶段，国内外的材料公司提供着数以百计的创新材料供以选用。应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类，即电荷注入传输材料和发光材料，进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料和空穴注入传输材料，还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。为了制作高性能的OLED发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电特性，譬如，用于有机电致发光研究的电子传输材料，电子传输材料是有机半导体的重要组成部分，一般来说，电子传输材料应满足以下几个条件：1、具有良好的电子传输特性，即电子迁移率高；2、具有较高的电子亲和能，易于由阴极注入电子；3、相对较高的电离能，有利于阻挡空穴；4、不能与发光层形成激基复合物；5、成膜性和热稳定性良好，不易结晶。总体来看，未来OLED的方向是发展高效率、高亮度、低成本的白光器件和全彩色显示器件，但该技术的产业化进程仍面临许多关键问题，如何设计新的性能更好的材料进行调节，一直是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电子传输材料及其有机发光器件，本专利技术提供的电子传输材料具有良好的电子传输性能，热稳定性好，成膜性好，合成方法简单易操作，使用该电子传输材料制备的有机发光器件具有良好的发光效率和寿命表现。本专利技术提供了一种电子传输材料，其分子结构通式如化学式Ⅰ所示：其中，R1、R2独立地选自H、氰基、取代或未取代的C1～C8烷基、取代或未取代的C6～C14芳基、取代或未取代的C3～C13杂芳基中的一种；Ar选自如下基团中的一种：其中，R选自H、取代或未取代的C1～C8烷基、取代或未取代的C6～C14芳基、取代或未取代的C3～C18杂芳基中的一种；L选自单键或如下基团：其中，R3、R4独立地选自H、氰基、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C14芳基、取代或未取代的C3～C18杂芳基中的一种。优选的，R1、R2中至少一个为氰基；L选自单键或如下基团：其中，R3、R4独立地选自H、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基中的一种。优选的，分子结构通式选自化学式Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ中的一种：优选的，L选自单键或如下基团：优选的，R选自C1～C4烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的氮杂咔唑基中的一种。优选的，R选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、哒嗪基、吡嗪基、喹喔啉基、喹唑啉基、吲哚基、氮杂咔唑基中的任意一种；其中，取代基为F、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基中的任意一种或多种。最优选，本专利技术的电子传输材料选自如下所示化学结构中的任意一种：本专利技术还提供了一种有机发光器件，所述有机发光器件包括阴极、阳极和置于所述两电极之间及之外的一个或多个有机物层，所述的有机物层含有本专利技术所述的任一种电子传输材料。优选的，本专利技术所述有机物层包括电子传输层，电子传输层中含有本专利技术所述的任一种电子传输材料。本专利技术的有益效果：本专利技术提供一种电子传输材料及其有机发光器件，本专利技术通过在1,3,5-三嗪主体结构上，连接取代或未取代的邻菲啰啉基或者取代或未取代的苯并喹啉基基团，一方面，该组合方式形成的电子传输材料具有良好的电子传输能力，应用于有机发光器件中作为电子传输层，可提高空穴和电子在发光层的复合率，提高器件的发光效率。一方面，该组合方式增大了共轭体系，连续的π共轭体系带来较好的电子流动性，从而具有高的电子迁移率，提高载流子传输性能，使得载流子传输平衡。一方面，三嗪基团尤其是结构较稳定，耐酸碱及耐高温，具有高的玻璃化温度；三嗪基团作为典型的强吸电子基团，以其为中心结构的化合物具有高的电子迁移率和较低的能级。本专利技术所述电子传输材料制备方法简单，原料易得，能够满足工业化需求。本专利技术所述的电子传输材料应用于有机发光器件中，可作为电子传输层，采用本专利技术所述电子传输材料制备的有机发光器件具有良好的发光效率和降低器件的驱动电压。具体实施方式：下面将结合本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。本专利技术所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基、环烷基，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。本专利技术所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基或稠环芳基，实例可包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等，但不限于此。本专利技术所述杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂芳基可以为单环杂芳基或稠环杂芳基，实例可包括吡啶基、吡咯基、嘧啶基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等，但不限于此。本专利技术所述取代的烷基、取代的芳基、取代的杂芳基，所述取代基独立地选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、苝基、芘基、苯甲基、芴基、9,9-二甲基芴基、二苯胺基、二甲胺基、咔唑基、9-苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、氰基、卤素原子、氘基、三氟甲基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、哌啶基、吡啶基、吡嗪基、三嗪基、嘧啶基、联苯基、三联苯基、硝基等，但不限于此。本专利技术提供了一种电子传输材料，其分子结构通式如化学式Ⅰ所示：其中，R1、R2独立地选自H、氰基、取代或未取代的C1～C8烷基、取代或未取代的C6～C14芳基、取代或未取代的C3～C13杂芳基中的一种；Ar选自如下基团中的一种：其中，R选自H、取代或未取代的C1～C8烷基、取代或未取代的C6～C14芳基、取代或未取代的C3～C18杂芳基中的一种；L选自单键或如下基团：其中，R3、R4独立地选自H、氰基、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C14芳基、取代或未取代的C3～C18杂芳基中的一种。优选的，R1、R2中至少一个为氰基；L选自单键或如下基团：其中，R3、R4独立地选自H、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基中的一种。优选的，分子结构通式选自化学式Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ中的一种：优选的，L选自单键或如下基团：优本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子传输材料，其特征在于，分子结构通式如化学式Ⅰ所示：

【技术特征摘要】
1.一种电子传输材料，其特征在于，分子结构通式如化学式Ⅰ所示：其中，R1、R2独立地选自H、氰基、取代或未取代的C1～C8烷基、取代或未取代的C6～C14芳基、取代或未取代的C3～C13杂芳基中的一种；Ar选自如下基团中的一种：其中，R选自H、取代或未取代的C1～C8烷基、取代或未取代的C6～C14芳基、取代或未取代的C3～C18杂芳基中的一种；L选自单键或如下基团：其中，R3、R4独立地选自H、氰基、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C14芳基、取代或未取代的C3～C18杂芳基中的一种。2.根据权利要求1所述的一种电子传输材料，其特征在于，R1、R2中至少一个为氰基；L选自单键或如下基团：其中，R3、R4独立地选自H、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、中的一种。3.根据权利要求1所述的一种电子传输材料，其特征在于，分子结构通式选自化学式Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ中的一种：4.根据权利要求1所述的一种电子传输材料，其特征在于，L选自单键或如下基团：5.根据权利要求1所述的一种电子传输材料，其特征在于，R选自C1～C4烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩春雪，蔡辉，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22