版图及芯片制造技术

一种版图以及芯片，版图包括多个门阵列备用单元，每个所述门阵列备用单元包含至少一对pmos晶体管和nmos晶体管；在不同的所述门阵列备用单元之间，所述pmos晶体管的有源区相独立，所述nmos晶体管的有源区相独立。本发明专利技术的版图，可以仅修改所述门阵列备用单元金属层的连接方式，就能变换成任意功能单元，不受布局位置的限制，节约时间，提高效率。

【技术实现步骤摘要】
版图及芯片
本专利技术涉及集成电路(IC)，尤其涉及一种版图及芯片。
技术介绍
现代IC设计快速发展，复杂度也不断提高，每当工程变更指令(engineeringchangeorder；ECO)时，越来越要求低成本和短时间。现有做法是在设计结束后，在剩余空间放一些标准单元(standardcell)，把标准单元的输入端接到输入电压(vdd)或接地(gnd)来防止漏电。但是这样的做法往往受限于标准单元的类型和分布位置。很多时候需要用的标准单元放在很远的位置，ECO时会造成连线的困难，甚至引起一连串时序的违反(timingviolation)。现有的修改只能手动修改。并且它没有时序模型(timingmodel)描述这个单元(cell)的时序(timing)情况，所以最后修改出来的版图无法准确预估时序模型。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，克服现有技术中存在的问题，提供一种版图及芯片，可以仅修改所述门阵列备用单元金属层的连接方式，就能变换成任意功能单元，不受布局位置的限制。本专利技术提供一种版图，包括多个门阵列备用单元，每个所述门阵列备用单元包含至少一对pmos晶体管和nmos晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种版图，其特征在于，包括多个门阵列备用单元，每个所述门阵列备用单元包含至少一对pmos晶体管和nmos晶体管；在不同的所述门阵列备用单元之间，所述pmos晶体管的有源区相独立，所述nmos晶体管的有源区相独立。

【技术特征摘要】
1.一种版图，其特征在于，包括多个门阵列备用单元，每个所述门阵列备用单元包含至少一对pmos晶体管和nmos晶体管；在不同的所述门阵列备用单元之间，所述pmos晶体管的有源区相独立，所述nmos晶体管的有源区相独立。2.如权利要求1所述的版图，其特征在于，至少部分所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层的不同连接，以形成不同的功能单元。3.如权利要求2所述的版图，其特征在于，所述门阵列备用单元通过第一层金属层的不同连接，以形成不同的功能单元。4.如权利要求1所述的版图，其特征在于，多个相邻或非相邻的所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层的同连接，形成一个功能单元；或/和，一个所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层的同连接，形成一个功能单元。5.如权利要求1至4中任意一项所述的版图，其特征在于，在不使用时，所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层连接成电容，或不做金属层的连接；和/或，每个所述门阵列备用单元包含两对pmos晶体管和nmos晶体管或四对pmos晶体管和nmos晶体管。6.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨洋，
申请(专利权)人：华大半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31