一种剥离CVD机台内玻璃基板的方法技术

本发明专利技术提供一种剥离CVD机台内剥离玻璃基板的方法，所述方法包括以下步骤：先将下电极板向远离上电极板的方向以第一预设速度下降至第一预设距离，此时边缘支撑棒刚好接触到所述玻璃基板；然后设定所述下电极板以第二预设速度下降至第二预设距离，此时所述玻璃基板的边缘部位与所述下电极板剥离，周边支撑棒刚好接触到所述玻璃基板；所述下电极板以第三预设速度下降，此过程中所述周边支撑棒对应的所述玻璃基板与所述下电极板剥离，且对应所述玻璃基板中心的中心支撑棒刚好接触到所述玻璃基板，下降至第三预设距离时，所述玻璃基板与所述下电极板的全部剥离；所述下电极板恢复至所述第一预设速度下降至第四预设距离。

【技术实现步骤摘要】
一种剥离CVD机台内玻璃基板的方法
本专利技术涉及液晶面板制造领域，尤其涉及一种剥离CVD机台内玻璃基板的方法。
技术介绍
CVD(化学气相淀积)真空腔中进行制程过程中，玻璃基板放置于下电极(Susceptor)的上方，制程完成后需将玻璃基板与下电极剥离开送出。然而在制程过程中因高压功率影响使生成带电粒子具有吸引作用，且玻璃基板与下电极的光滑面因真空作用贴合在一起，这两个原因导致玻璃基板在剥离过程中极易造成破片，需要通入H2中和多余电荷，破除玻璃基板与下电极之间真空，使得玻璃能完整剥离开来。而CVD机台原有的剥离方式不佳，在剥离过程中由于下降速度的设计没有考虑到玻璃基板变形下垂因素，存在下降速度及下降距离设计不科学的问题，容易造成破片，然而破片会影响真空腔室的产能降低，从而严重影响了机台的工作时间和单件工时的提升。因此，有必要提供一种剥离CVD机台内玻璃基板的方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种剥离CVD机台内玻璃基板的方法，使CVD制程结束后玻璃基板与下电极板剥离更加顺利，能够避免造成玻璃基板破片。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种剥离CVD机台内玻璃基板的方法，CVD机台的真空腔室内包括相对设置的上电极板与下电极板，玻璃基板承载于所述下电极板上，且所述下电极板上活动设置有支撑棒，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤S1、在化学气相淀积制程结束后，向所述真空腔室通入H2，承载所述玻璃基板的所述下电极板向远离所述上电极板的方向以第一预设速度下降至第一预设距离，此时对应所述玻璃基板边缘的边缘支撑棒刚好接触到所述玻璃基板；步骤S2、所述下电极板以第二预设速度继续下降至第二预设距离，此时所述边缘支撑棒对应的所述玻璃基板已与所述下电极板剥离，对应所述玻璃基板中心周边的周边支撑棒刚好接触到所述玻璃基板；步骤S3、所述下电极板...

【技术特征摘要】
1.一种剥离CVD机台内玻璃基板的方法，CVD机台的真空腔室内包括相对设置的上电极板与下电极板，玻璃基板承载于所述下电极板上，且所述下电极板上活动设置有支撑棒，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤S1、在化学气相淀积制程结束后，向所述真空腔室通入H2，承载所述玻璃基板的所述下电极板向远离所述上电极板的方向以第一预设速度下降至第一预设距离，此时对应所述玻璃基板边缘的边缘支撑棒刚好接触到所述玻璃基板；步骤S2、所述下电极板以第二预设速度继续下降至第二预设距离，此时所述边缘支撑棒对应的所述玻璃基板已与所述下电极板剥离，对应所述玻璃基板中心周边的周边支撑棒刚好接触到所述玻璃基板；步骤S3、所述下电极板以第三预设速度下降至第三预设距离，此过程中所述周边支撑棒对应的所述玻璃基板与所述下电极板剥离，且对应所述玻璃基板中心的中心支撑棒刚好接触到所述玻璃基板，在到达所述第三预设距离时，所述玻璃基板与所述下电极板完全剥离；步骤S4、所述下电极板的下降速度恢复至所述第一预设速度，所述下电极板下降至第四预设距离以便于所述玻璃基板的取出。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述边缘支撑棒的长度大于所述周边支撑棒的长度。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述周边支撑棒的长度大...

【专利技术属性】
技术研发人员：许永贵，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44