一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳制造技术

本实用新型专利技术公开一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，包括依次连接的一级放大器、一级引晶段、二级放大器和二级引晶段，一级放大器和二级放大器均为两端开口的圆锥形壳体，一级引晶段和二级引晶段均呈两端开口的圆柱形壳体，一级放大器直径较大的一端与一级引晶段密封连接，一级引晶段的另一端密封连接有圆环形挡板，圆环形挡板的内圈与二级放大器直径较小的一端密封连接，二级放大器直径较大的一端与二级引晶段的一端密封连接。本实用新型专利技术籽晶法单晶生长取向精确控制模壳及制造方法提高了籽晶法制备单晶合金的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳
本技术涉及单晶生长设备
，特别是涉及一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳。
技术介绍
单晶合金的制备主要是应用定向凝固工艺，采用螺旋选晶法和籽晶法得到所需合金的单晶组织。螺旋选晶法是现在普遍应用的单晶制备方法，螺旋选晶法是指通过螺旋型晶体生长通道与晶粒在单向热流条件下择优生长的耦合作用逐渐淘汰晶粒制备单晶体的方法。籽晶法是指在选取的优良的单晶体上切取一定晶体取向的籽晶，采用在籽晶表面外延生长出单晶体，所制得单晶体的晶体取向与籽晶的晶体取向一致。选晶法的优点是工艺简单，不易产生杂晶，但缺点是只能制备合金择优生长取向的单晶组织，晶体取向得不到控制。籽晶法的优点是可以精确控制晶体取向，但缺点是成本比较高，工艺复杂，容易产生杂晶，控制难度大，且传统籽晶法所用籽晶为圆柱体结构，籽晶二次取向不易标定。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，以解决上述现有技术存在的问题，降低籽晶法的成本，提高籽晶法制备单晶合金的生产效率，并避免籽晶法中杂晶的产生。为实现上述目的，本技术提供了如下方案：本技术提供一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，包括依本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，其特征在于：包括依次连接的一级放大器、一级引晶段、二级放大器和二级引晶段，所述一级放大器和所述二级放大器均为两端开口的圆锥形壳体，所述一级引晶段和所述二级引晶段均呈两端开口的圆柱形壳体，所述一级放大器直径较大的一端与所述一级引晶段密封连接，所述一级引晶段的另一端密封连接有圆环形挡板，所述圆环形挡板的内圈与所述二级放大器直径较小的一端密封连接，所述二级放大器直径较大的一端与所述二级引晶段的一端密封连接。

【技术特征摘要】
1.一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，其特征在于：包括依次连接的一级放大器、一级引晶段、二级放大器和二级引晶段，所述一级放大器和所述二级放大器均为两端开口的圆锥形壳体，所述一级引晶段和所述二级引晶段均呈两端开口的圆柱形壳体，所述一级放大器直径较大的一端与所述一级引晶段密封连接，所述一级引晶段的另一端密封连接有圆环形挡板，所述圆环形挡板的内圈与所述二级放大器直径较小的一端密封连接，所述二级放大器直径较大的一端与所述二级引晶段的一端密封连接。2.根据权利要求1所述的籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，其特征在于：所述一级放大器的锥度大于所述二级放大器的锥度，所述一级放大器的底面直径与所述二级放大器的底面直径相等。3.根据权利要求1所述的籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，其特征在于：所述一级引晶段...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴延玲，宫声凯，林杰，李树索，胡斌，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：新型
国别省市：北京,11