半导体装置制造方法及图纸

存在绝缘的可靠性变低这样的技术问题。从导体层(334)的中心(P)至绝缘构件(333)的边缘部为止的长度(L2)形成得比从导体层(334)的中心(P)至基座构件(307)的突出部(307a)的边缘部为止的长度(L1)长。换言之，突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置。进一步地，绝缘构件(333)的绝缘构件端面(336)与导体层的导体层端面(344)在相同位置处形成端面。这样一来，突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置，从而能够确保绝缘距离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
作为半导体装置，存在进行用于将直流电力转换成交流电力或者将交流电力转换成直流电力的电力转换功能的半导体装置。作为这样的半导体装置，在专利文献1中，公开了如下专利技术：在由1个或者多个半导体芯片、与该半导体芯片连接的1个或者多个导体、搭载它们的陶瓷基板、搭载有陶瓷基板的底板以及散热器构成的电力转换装置中，将绝缘板夹在底板与散热器之间，使散热器接地，提高绝缘耐力。另外，在专利文献2、3中，公开了如下专利技术：具备：在一个面接合有多个半导体元件的引线框、配置于引线框的另一个面的第1绝缘层、在一个面经由第1绝缘层连接有引线框的金属底板以及配置于金属底板的另一个面的第2绝缘层，该专利技术提高绝缘性。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2012－244750号公报专利文献2：日本专利特开2013－229534号公报专利文献3：日本专利特开2013－229535号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在专利文献2、3所记载的半导体装置中，第2绝缘层向金属底板的外部露出地配置，所以，存在因吸湿、热应力而导致绝缘的可靠性与第1绝缘层相比变本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体元件；导体板，其连接到所述半导体元件；金属制的基座构件，其与所述导体板对置，构成半导体装置的封装；以及绝缘构件，其配置于所述导体板与所述基座构件之间，所述绝缘构件将导体层夹在第1绝缘层与第2绝缘层之间而构成，在所述第1绝缘层与所述导体板之间形成静电电容电路，在所述第2绝缘层与所述基座构件之间形成静电电容电路，所述基座构件在所述绝缘构件与所述基座构件的接触部分处，形成有向所述绝缘构件侧突出的突出部，从所述导体层的中心至包含所述导体层的所述绝缘构件的边缘部为止的长度形成得比从所述导体层的中心至所述基座构件的所述突出部的边缘部为止的长度长。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.30 JP 2016-0670361.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体元件；导体板，其连接到所述半导体元件；金属制的基座构件，其与所述导体板对置，构成半导体装置的封装；以及绝缘构件，其配置于所述导体板与所述基座构件之间，所述绝缘构件将导体层夹在第1绝缘层与第2绝缘层之间而构成，在所述第1绝缘层与所述导体板之间形成静电电容电路，在所述第2绝缘层与所述基座构件之间形成静电电容电路，所述基座构件在所述绝缘构件与所述基座构件的接触部分处，形成有向所述绝缘构件侧突出的突出部，从所述导体层的中心至包含所述导体层的所述绝缘构件的边缘部为止的长度形成得比从所述导体层的中心至所述基座构件的所述突出部的边缘部为止的长度长。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导体板与多个所述半导体元件对应地设置有多个，所述导体层与多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：德山健，松下晃，诹访时人，
申请(专利权)人：日立汽车系统株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP