一种基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管，从所述量子点发光二极管的一侧到另一侧依次包括ITO阳极、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层和阴极，还包括界面层，所述界面层设置在所述钙钛矿量子点发光层和电子传输层之间，所述界面层为BCPO层或DPEPO层。界面层的设置有效平衡了电子和空穴的注入，从而提高了钙钛矿量子点发光二极管的发光性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及一种基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
金属卤化物钙钛矿发光材料以其优异的光电特性在太阳能电池、光电探测器、发光二极管、激光等领域备受关注。传统的热注入量子点合成方法通常需要高温和惰性气体保护，制备工艺相对复杂，成本高昂，而在室温条件下制备且不需要惰性气体保护所得的钙钛矿量子点同样具备如此独特的光学特性，如尺寸依赖发光、高色纯度、高量子产率等，同时室温钙钛矿还极易大规模制备，使其在光电子学领域具有巨大的潜在应用价值。当前，科研工作者针对于钙钛矿发光二极管的关注度与日俱增，其发光性能短短几年就有了显著改善，效率的改善很大程度上依赖于电子与空穴的注入平衡程度，其中界面调控是平衡载流子注入的主要方法之一。因此，需要一种基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于为了解决上述问题，提供一种基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管。本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的:一种基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管，从所述量子点发光二极管的一侧到另一侧依次包括ITO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管，从所述量子点发光二极管的一侧到另一侧依次包括ITO阳极、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，还包括界面层，所述界面层设置在所述钙钛矿量子点发光层和电子传输层之间，所述界面层为BCPO层或DPEPO层。

【技术特征摘要】
1.一种基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管，从所述量子点发光二极管的一侧到另一侧依次包括ITO阳极、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，还包括界面层，所述界面层设置在所述钙钛矿量子点发光层和电子传输层之间，所述界面层为BCPO层或DPEPO层。2.如权利要求1所述的基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层为PEDOT:PSS层。3.如权利要求1所述的基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层为PTAA、Poly-TPD、TFB、PVK、NPB、TCTA、TAPC和CBP中一种或多种的混合物。4.如权利要求1所述的基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管，其特征在于，所述钙钛矿量子点发光层为APbX3钙钛矿纳米晶，其中，A为FA、MA和Cs的一种或多种混合阳离子，X为Cl、Br和I中的一种或多种混合阴离子。5.如权利要求1所述的基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层为TPBi层、PBD层或Bphen层。6.如权利要求1所述的基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管，其特征在于，所述阴极为LiF/Al电极、Liq/Al电极或Ag电极。7.如权利要求1所述的基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为30-60nm，所述空穴传输层的厚度为20-50nm，所述钙钛矿量子点发光层的厚度为30-40nm，所述界面层的厚度为5-20nm，所述电子传输层的厚度为30-50nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋继中，张枫娟，许蕾梦，方涛，曾海波，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32