一种有机发光二极管显示器件及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种有机发光二极管显示器件及其制作方法、显示装置，其中，有机发光二极管显示器件包括：依次叠加设置的阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极，空穴传输层包括：N个子空穴传输层；其中，第i+1子空穴传输层设置在第i子空穴传输层远离阳极的一侧；第i子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于第i+1子空穴传输层的主体材料的HOMO能级，1≤i≤N‑1，N≥2。本发明专利技术提供的技术方案避免了OLED显示器件在工作过程中，空穴传输层与阳极之间的界面劣化，提升了OLED显示器件的工作寿命，满足了显示装置对OLED器件的工作寿命的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种有机发光二极管显示器件及其制作方法、显示装置
本专利技术实施例涉及显示
，具体涉及一种有机发光二极管显示器件及其制作方法、显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)显示装置相对于液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)，具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，备受人们的青睐。OLED显示装置中包括能够在有机材料中将电能转化为光能的OLED显示器件。其中，常规的OLED显示器件包括：阳极、空穴传输层，发光层，电子传输层和阴极，其发光原理是分别从阳极和阴极注入的空穴和电子在发光层中复合产生激子从而实现发光。经专利技术人研究发现，现有OLED显示器件中的空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级与阳极的主体材料的HOMO能级不匹配，导致现有的OLED显示器件的工作寿命不长，无法满足显示装置对OLED器件的工作寿命的需求。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种有机发光二极管显示器件及其制作方法、显示装置，能够提升OLED显示器件的工作寿命，满足显示装置对OLED器件的工作寿命的需求。第一方面，本专利技术实施例提供了一种有机发光二极管显示器件，包括：依次叠加设置的阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极，所述空穴传输层包括：N个子空穴传输层；其中，第i+1子空穴传输层设置在第i子空穴传输层远离所述阳极的一侧；第i子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于第i+1子空穴传输层的主体材料的HOMO能级，1≤i≤N-1，N≥2。可选地，所述有机发光二极管显示器件还包括：空穴注入层和电子注入层；其中，所述空穴注入层设置在阳极和第一子空穴传输层之间，所述电子注入层设置在电子传输层和阴极之间。可选地，所述有机发光二极管显示器件还包括：电子阻挡层、空穴阻挡层和光取出层；其中，所述电子阻挡层设置在第N子空穴传输层和有机发光层之间，所述空穴阻挡层设置在有机发光层和电子传输层之间，所述光取出层设置在阴极远离阳极的一侧。可选地，所述第一子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于-5.4电子伏特。可选地，所述第二子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级小于-5.6电子伏特。可选地，所述N个子空穴传输层的厚度之和为1～400纳米。第二方面，本专利技术实施例还提供一种有机发光二极管显示器件的制作方法，包括：形成阳极；在阳极上形成包括N个子空穴传输层的空穴传输层；其中，第i+1子空穴传输层设置在第i子空穴传输层远离阳极的一侧；第i子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于第i+1子空穴传输层的主体材料的HOMO能级，1≤i≤N-1，N≥2；在第N子空穴传输层上依次形成有机发光层、电子传输层和阴极。可选地，所述在阳极上依次形成包括N个子空穴传输层的空穴传输层包括：在阳极上形成空穴注入层；在空穴注入层上采用蒸镀工艺或者溶液制程工艺依次形成N个子空穴传输层。可选地，所述在第N子空穴传输层上依次形成有机发光层、电子传输层和阴极包括：在第N子空穴传输层上依次形成电子阻挡层和有机发光层；在有机发光层上依次形成空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；在所述在第N子空穴传输层上依次形成有机发光层、电子传输层和阴极之后，所述方法还包括：在阴极上形成光取出层。第三方面，本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括：上述有机发光二极管显示器件。本专利技术实施例提供一种有机发光二极管显示器件及其制作方法、显示装置，其中，有机发光二极管显示器件包括：依次叠加设置的阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极，空穴传输层包括：N个子空穴传输层；其中，第i+1子空穴传输层设置在第i子空穴传输层远离阳极的一侧；第i子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于第i+1子空穴传输层的主体材料的HOMO能级，1≤i≤N-1，N≥2。本专利技术提供的技术方案通过将HOMO能级较高的子空穴传输层设置HOMO能级较低的子空穴传输层靠近阳极的一侧，使得空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级与阳极的主体材料的HOMO能级匹配，同时主体材料HOMO能级较低的子空穴传输层能够保持空穴传输到有机发光层过程中的材料稳定性，避免了OLED显示器件在工作过程中，空穴传输层与阳极之间的界面劣化，提升了OLED显示器件的工作寿命，满足了显示装置对OLED器件的工作寿命的需求。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为本专利技术实施例提供的OLED显示器件的一个结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的OLED显示器件的另一结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的OLED显示器件的又一结构示意图；图4为OLED显示器件时间与光亮度之间的对应关系；图5为OLED显示器件时间与电压之间的对应关系；图6为本专利技术实施例提供的OLED显示器件的制作方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。除非另外定义，本专利技术实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述的对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。现有OLED显示器件中的空穴传输层采用HOMO能级较低的材料制成。但是大量实验证明，使用HOMO能级较低材料虽然可以使空穴传输过程中保持材料的稳定，大幅提高器件寿命，但是，由于空穴传输层的主体材料的HOMO能级与阳极的主体材料的HOMO能级不匹配，导致OLED显示器件在工作过程中，阳极和空穴传输层界面逐渐发生劣化，使得OLED显示器件的工作电压明显上升，甚至在长时间工作后超出阈值电压，进而限制了HOMO能级较低的空穴传输层材料在产品中的使用，也导致了OLED显示器件的工作寿命不高。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种有机发光二极管显示器件及其制作方法、显示装置。具体说明如下：实施例一图1为本专利技术实施例提供的OLED显示器件的一个结构示意图，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管显示器件，包括：依次叠加设置的阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述空穴传输层包括：N个子空穴传输层；其中，第i+1子空穴传输层设置在第i子空穴传输层远离所述阳极的一侧；第i子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于第i+1子空穴传输层的主体材料的HOMO能级，1≤i≤N‑1，N≥2。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管显示器件，包括：依次叠加设置的阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述空穴传输层包括：N个子空穴传输层；其中，第i+1子空穴传输层设置在第i子空穴传输层远离所述阳极的一侧；第i子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于第i+1子空穴传输层的主体材料的HOMO能级，1≤i≤N-1，N≥2。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述有机发光二极管显示器件还包括：空穴注入层和电子注入层；其中，所述空穴注入层设置在阳极和第一子空穴传输层之间，所述电子注入层设置在电子传输层和阴极之间。3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述有机发光二极管显示器件还包括：电子阻挡层、空穴阻挡层和光取出层；其中，所述电子阻挡层设置在第N子空穴传输层和有机发光层之间，所述空穴阻挡层设置在有机发光层和电子传输层之间，所述光取出层设置在阴极远离阳极的一侧。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述第一子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于-5.4电子伏特。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述第二子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级小于-5....

【专利技术属性】
技术研发人员：杜小波，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11