一种OLED基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种OLED基板及显示装置，涉及显示技术领域，可解决现有的有机电致发光器件中发光层发出的光射到有源层上，影响薄膜晶体管特性的问题。该OLED基板包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、第一电极和发光层；所述薄膜晶体管包括有源层；所述OLED基板还包括设置在所述有源层和所述第一电极之间的遮光层。用于避免薄膜晶体管受到发光层发出光的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED基板及显示装置。
技术介绍
有机电致发光器件(OrganicElectro-luminescentDisplay，简称OLED)因具有自发光、工作电压低、轻薄、可柔性化以及色彩饱和度高等诸多优点，在显示、照明等领域得到广泛的应用。其中，有机电致发光器件的制作过程包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)，在薄膜晶体管上形成依次形成阳极、像素界定层、发光层以及阴极，其中，阳极与薄膜晶体管的漏极电连接。然而，由于发光层发出的光中部分光经过有机电致发光器件中膜层的折射与反射后会射到薄膜晶体管的有源层上，从而会影响薄膜晶体管的特性，造成薄膜晶体管阈值电压(Vth)的不稳定和关态电流(Ioff)的增加，影响发光效果。尤其是现有的低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，简称LTPS)薄膜晶体管，由于低温多晶硅对光非常敏感，发光层发出的光射到低温多晶硅层会引起光生电子产生，从而会显著影响薄膜晶体管的特性。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种OLED基板及显示装置，可解决现有的有机电致发光器件中发光层发出的光射到有源层上，影响薄膜晶体管特性的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一方面，提供一种OLED基板，包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、第一电极和发光层；所述薄膜晶体管包括有源层；所述OLED基板还包括设置在所述有源层和所述第一电极之间的遮光层。优选的，所述遮光层的材料包括非晶硅；所述OLED基板还包括设置在所述遮光层两侧、且与所述遮光层接触的侧边层；所述侧边层的材料为绝缘材料。优选的，所述遮光层的材料还包括掺杂在所述非晶硅中的硫。进一步优选的，所述硫的质量占所述遮光层材料的总质量的0.5％～5％。优选的，所述遮光层靠近所述发光层的一侧包括多个凹陷部。进一步优选的，沿所述OLED基板的厚度方向截取所述遮光层后得到的所述凹陷部的截面形状为三角形。优选的，所述凹陷部穿透所述遮光层或未穿透所述遮光层。优选的，所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层靠近所述发光层一侧的绝缘层；所述OLED基板还包括设置在所述薄膜晶体管和所述第一电极之间的平坦层；其中，所述遮光层与所述绝缘层或所述平坦层共用。优选的，所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层靠近所述发光层一侧的绝缘层；所述OLED基板还包括设置在所述薄膜晶体管和所述第一电极之间的平坦层；其中，所述遮光层和两个所述侧边层与所述绝缘层或所述平坦层共用。另一方面，提供一种显示装置，包括上述的OLED基板。本专利技术实施例提供一种OLED基板及显示装置，OLED基板包括衬底基板和依次设置在衬底基板上的薄膜晶体管、第一电极和发光层，薄膜晶体管包括有源层。由于OLED基板还包括设置在有源层和第一电极之间的遮光层，因而遮光层可以对发光层发出的光进行遮挡，防止发光层发出的光射到有源层上，影响薄膜晶体管特性，这样一来，稳定了OLED基板的发光特性，增加发光稳定性。此外，遮光层在对发光层发出的光进行遮挡的同时，还可以对入射至OLED基板内的外界环境光进行阻挡，防止外界环境光射到有源层上，影响薄膜晶体管特性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种OLED基板的结构示意图一；图2为本专利技术实施例提供的一种OLED基板的结构示意图二；图3为本专利技术实施例提供的一种OLED基板的结构示意图三；图4为本专利技术实施例提供的一种OLED基板的结构示意图四；图5(a)为本专利技术实施例提供的一种OLED基板的结构示意图五；图5(b)为本专利技术实施例提供的一种OLED基板的结构示意图六；图6为本专利技术实施例提供的一种在衬底基板上形成侧边层和遮光层的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种在衬底基板上形成侧边层、遮光层和侧边层的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种入射光射入凹陷部后被反射和折射的光路示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种在层间介电层和栅绝缘层上形成源极接触孔和漏极接触孔的结构示意图。附图标记：10-衬底基板；20-薄膜晶体管；201-有源层；202-栅绝缘层；203-栅极；204-层间介电层；205-漏极；206-源极；30-发光层；40-遮光层；401-侧边层；402-凹陷部；50-第一电极；60-像素界定层；70-第二电极；80-平坦层；90-缓冲层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种OLED基板，如图1所示，包括衬底基板10和依次设置在衬底基板10上的薄膜晶体管20、第一电极50和发光层30；薄膜晶体管20包括有源层201。OLED基板还包括设置在有源层201和第一电极50之间的遮光层40。需要说明的是，第一，薄膜晶体管20除包括有源层201外，还包括栅极(Gate)203、栅绝缘层202(GateInsulator，简称GI)、源极206和漏极205，其中，源极206和漏极205穿过过孔与有源层201接触，薄膜晶体管20的漏极205与第一电极50电连接。进一步地，薄膜晶体管20还可以包括层间介电层204(Inter-layerDielectric，简称ILD)等膜层。其中，对于薄膜晶体管20的类型不进行限定，示例的，薄膜晶体管20可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、单晶硅薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管等。由于低温多晶硅薄膜晶体管具有高迁移率、可降低响应时间、降低能耗，并提高分辨率和对比度等优点，因而现有的有机电致发光器件中的薄膜晶体管20常选用低温多晶硅薄膜晶体管。相对于非晶硅和单晶硅，低温多晶硅对光更敏感，因而低温多晶硅薄膜晶体管的特性受光照的影响更明显。第二，OLED基板除包括依次设置在衬底基板10上的薄膜晶体管20、第一电极50和发光层30外，如图1所示，还包括设置在第一电极50和发光层30之间的像素界定层(PixelDefinitionLayer，简称PDL)60以及设置在发光层30上第二电极70。其中，像素界定层60划分为开口区域和用于界定开口区域的像素界定区域，发光层30位于像素界定层60的开口区域。第一电极50和第二电极70用于驱动发光层30发光。此外，可以是第一电极50为阳极(Anode)，第二电极70为阴极(Cathode)；也可以是第一电极50为阴极，第二电极70为阳极。此处，OLED基板还可以包括设置在第一电极50和第二电极70之间的电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层中的至少一层。在此基础上，一般地，如图1所示，OLED基板在薄膜晶体管20和第一电极50之间还会设置一层平坦层80(Plana本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED基板，包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、第一电极和发光层；所述薄膜晶体管包括有源层；其特征在于，所述OLED基板还包括设置在所述有源层和所述第一电极之间的遮光层。

【技术特征摘要】
1.一种OLED基板，包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、第一电极和发光层；所述薄膜晶体管包括有源层；其特征在于，所述OLED基板还包括设置在所述有源层和所述第一电极之间的遮光层。2.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述遮光层的材料包括非晶硅；所述OLED基板还包括设置在所述遮光层两侧、且与所述遮光层接触的侧边层；所述侧边层的材料为绝缘材料。3.根据权利要求2所述的OLED基板，其特征在于，所述遮光层的材料还包括掺杂在所述非晶硅中的硫。4.根据权利要求3所述的OLED基板，其特征在于，所述硫的质量占所述遮光层材料的总质量的0.5％～5％。5.根据权利要求1-4任一项所述的OLED基板，其特征在于，所述遮光层靠近所述发光层的一侧包括多个凹陷部。6.根据权利要求5所述的OLED基板，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，曹占锋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11