一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法技术

本发明专利技术公开了一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法，包括以下步骤：清洗；在第一温度的真空环境下干燥第一预定时长，所述第一预定时长不少于1h；取出电容器，将电容器从所述第一温度降温至第二温度以下；将电容器放入氟素表面处理剂中完全浸泡第二预定时长，所述第二预定时长不超过60s；取出电容器，将电容器在第三温度的环境下加热固化第三预定时长，以在电容器的表面得到厚度范围在5～10mm的薄膜涂层。本发明专利技术处理后的电容器表面涂层具有不影响电性能、良好的耐热性、防潮性等优点，可有效提高支架型射频瓷介电容器的抗放电飞弧能力。

【技术实现步骤摘要】
一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法
本专利技术涉及电容器领域，特别涉及一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法。
技术介绍
支架型射频瓷介电容器是采用一只或多只片式射频瓷介电容器组合，与不同结构的支架(金属引出线/带)焊接而制成。这种组合电容器具有高Q值、低ESR/ESL值、高工作电压、高RF功率等特点，主要运用在高射频功率放大器、高功率滤波网络、天线解调等领域。由于该类电容器长期使用在高电压、高功率的严酷条件下，在高温高湿状态下电容器瓷体表面如果受潮或污染，在电容器两个端电极之间易产生放电飞弧，造成电容器损坏。为解决这一技术问题，通常采用二种措施：一是增大电容器的尺寸，通过加长电容两个端电极间的距离来控制放电飞弧；二是在电容器表面涂覆聚氨酯、醇酸类敷型涂层来保护提高电容器的防潮性及抗电强度。这两个措施存在以下不足：加大电容器尺寸需增加成本，同时在部分电路中受限于安装尺寸而无法实现；而添加敷型涂层往往会加大电容器的ESR值同时影响散热，多只电容器间隙之间不易涂覆，同时需控制涂层面不能影响电容器在使用时的焊接安装。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法，以提高支架型射频瓷介电容器的防潮性及抗放电飞弧能力。为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法，包括以下步骤：清洗；在第一温度的真空环境下干燥第一预定时长，所述第一预定时长不少于1h；取出电容器，将电容器从所述第一温度降温至第二温度以下；将电容器放入氟素表面处理剂中完全浸泡第二预定时长，所述第二预定时长不超过60s；取出电容器，将电容器在第三温度的环境下加热固化第三预定时长，以在电容器的表面得到厚度范围在5～10mm的薄膜涂层。优选的，所述第一温度的范围是120±5℃。优选的，所述第一预定时长的范围是1.5～2h。优选的，所述第二温度是40℃。优选的，所述第二预定时长的范围是30～60s。优选的，所述第三温度是120～150℃。优选的，所述第三预定时长是30min。优选的，所述真空环境是真空度为-0.09MPa的真空干燥箱。与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：选取了一种具有良好防潮性、高抗电强度的氟素表面处理剂通过浸泡加热的方式在支架型射频多层瓷介电容器瓷体表面形成目测不可见的涂层。本专利技术的方法所形成的表面涂层具有操作简单、涂层不影响电容器的电性能、支架的可焊性、良好的耐热性、防潮性等优点，可有效提高支架型射频瓷介电容器的抗放电飞弧能力。附图说明后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本专利技术的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：图1为本专利技术氟素表面处理剂涂层在支架型射频瓷介电容器的运用示意图；图2为本专利技术支架型射频瓷介电容器表面处理的方法的流程图。图中各符号所表示的含义如下：1-薄膜涂层；2-电容器瓷体；3-端电极；4-连接焊点；5-支架。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本专利技术，但并不构成对本专利技术的限定。此外，下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。如图1所示，支架5型射频瓷介电容器是采用一只或多只片式射频瓷介电容器组合，与不同结构的支架5(金属引出线/带)焊接而制成。图示中的支架5型射频瓷介电容器是由两个电容器焊接在支架5上所构成的。电容器两端为端电极3，任一端电极3具有连接焊接。电容器通过端电极3上的连接焊点4与支架5焊接。本专利技术的支架5型射频瓷介电容器表面处理的方法是在电容器瓷体2上进行表面处理，从而在电容器瓷体2表面形成一层薄膜涂层1。如图2所示，一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法，主要包括以下步骤：S1：清洗；S2：在第一温度的真空环境下干燥第一预定时长，所述第一预定时长不少于1h；S3：取出电容器，将电容器从所述第一温度降温至第二温度以下；S4：将电容器放入氟素表面处理剂中完全浸泡第二预定时长，所述第二预定时长不超过60s；S5：取出电容器，将电容器在第三温度的环境下加热固化第三预定时长，以在电容器的表面得到厚度范围在5～10mm的薄膜涂层。在一个优选的实施例中，本专利技术首先将支架型射频瓷介电容器清洗预处理后，在真空度为-0.09MPa的真空干燥箱内以第一温度120±5℃干燥1.5～2h。取出后待电容器表面温度降至第二温度40℃以下后完全浸入氟素表面处理剂中浸泡30～60s。然后，再将电容器在120-150℃温度下加热固化30min。上述方法能够在支架型射频瓷介电容器瓷体表面形成5～10nm厚度的肉眼不可见的薄膜涂层。该薄膜涂层具有很高的防潮性及抗电强度，能够有效提高支架型射频瓷介电容器的防潮性及抗放电飞弧能力。上述工艺处理后形成的氟素表面处理剂薄膜涂层主要技术指标如下：接触角(纯水)105°；处理面表面张力15mN/m；涂层厚度5～10nm；耐热温度＜300℃；介电常数2.1；体积电阻率2.9×1016Ω·cm；介质损耗角正切(1GHz)0.028；绝缘强度85KV/mm。综上，本专利技术选取了一种具有良好防潮性、高抗电强度的氟素表面处理剂通过浸泡加热的方式在支架型射频多层瓷介电容器瓷体表面形成目测不可见的涂层。而且，本专利技术的方法所形成的表面涂层具有操作简单、涂层不影响电容器的电性能、支架的可焊性、良好的耐热性、防潮性等优点，可有效提高支架型射频瓷介电容器的抗放电飞弧能力。以上结合附图对本专利技术的实施方式作了详细说明，但本专利技术不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗；在第一温度的真空环境下干燥第一预定时长，所述第一预定时长不少于1h；取出电容器，将电容器从所述第一温度降温至第二温度以下；将电容器放入氟素表面处理剂中完全浸泡第二预定时长，所述第二预定时长不超过60s；取出电容器，将电容器在第三温度的环境下加热固化第三预定时长，以在电容器的表面得到厚度范围在5～10mm的薄膜涂层。

【技术特征摘要】
1.一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗；在第一温度的真空环境下干燥第一预定时长，所述第一预定时长不少于1h；取出电容器，将电容器从所述第一温度降温至第二温度以下；将电容器放入氟素表面处理剂中完全浸泡第二预定时长，所述第二预定时长不超过60s；取出电容器，将电容器在第三温度的环境下加热固化第三预定时长，以在电容器的表面得到厚度范围在5～10mm的薄膜涂层。2.根据权利要求1所述的一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法，其特征在于，所述第一温度的范围是120±5℃。3.根据权利要求1所述的一种支架型射频瓷介电容器表面处理的方法，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈德庆，郝泳鑫，
申请(专利权)人：大连达利凯普科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21