应用于5G元件的谐振腔制造技术

技术编号:27150461 阅读:18 留言:0更新日期:2021-01-27 23:18
一种应用于5G元件的谐振腔,属于谐振腔测试技术领域。方案如下:包括:夹具柱塞、中心导体、衰减器、精密电阻、连接矢网一端口、连接矢网二端口、谐振腔主体,所述夹具柱塞可活动地安装在所述谐振腔主体一端,所述中心导体内置于所述谐振腔主体,所述夹具柱塞与中心导体相对设置;所述衰减器安装在所述谐振腔主体的另一端,所述连接矢网一端口和连接矢网二端口与所述谐振腔主体连接,所述精密电阻与所述连接矢网一端口连接。有益效果:本实用新型专利技术通过衰减器的设置,防止电磁波泄露,有效减少了测试误差,提高了测试的稳定性;通过衰减器与所述谐振腔主体之间设置密封圈,能更加有效防止电磁波泄露,保证测试结果的稳定性和准确性。保证测试结果的稳定性和准确性。保证测试结果的稳定性和准确性。

【技术实现步骤摘要】
应用于5G元件的谐振腔


[0001]本技术属于谐振腔测试
,尤其涉及一种应用于5G频段元件的谐振腔。

技术介绍

[0002]第五代移动通信技术是最新一代蜂窝移动通信技术,也是继4GLTE-A、WiMax、3GUMTS、LTE和2GGSM系统之后的延伸。5G的性能目标是高数据速率、减少延迟、节省能源、降低成本、提高系统容量和大规模设备连接。
[0003]5G频段大致分为两段:1、低频段的Sub6G FR1:450MHz-6000 MHz;2、高频段的毫米波FR2:24250MHz-52600 MHz。中国移动:2515MHz-2675MHz、4800MHz-4900MHz,两段共260M,中国电信:3400MHz-3500MHz,共100M,中国联通:3500MHz-3600MHz,共100M。
[0004]市场上可购买的用于测试ESR等效串联电阻的仪器通常为阻抗分析仪,这种设备对于测量Q值不高的一般电容产品没有问题,而当测试高Q电容时,由于本身设备精度的问题,很难准确测出高Q值或者容抗较大的产品的ESR很多时候会测出负值,或者测试结果混乱。谐振腔本身在高频拥有非常高的Q值,能够在高频下准确测量高Q电容的ESR值,Q值,电容值。但现有的Boonton34A谐振腔由于设计尺寸和结构的原因,测试范围从100MHz到2GHz,不能满足5G应用频段的元器件测试;34A谐振腔厂家提供的测试方式是通过毫伏表,射频源等方式来计算单一频率点下电容的ESR值,Q值,容值,该方式设备落后,精度差,测试耗时很长,已经远远不能满足工厂测试需要;现有技术中的谐振腔采用的是金属壳体进行密封,这样的设计容易造成电磁波的泄露,测试过程产生误差,影响测试的稳定性。

技术实现思路

[0005]为了解决上述现有技术中存在的问题,本技术提供一种应用于5G频段的谐振腔,该谐振腔通过能有效防止电磁波泄露,有效减少了测试误差,提高了测试的稳定性和准确性。
[0006]技术方案如下:
[0007]一种应用于5G元件的谐振腔,其特征在于,包括:夹具柱塞、中心导体、衰减器、精密电阻、连接矢网一端口、连接矢网二端口、谐振腔主体,所述夹具柱塞可活动地安装在所述谐振腔主体一端,所述中心导体内置于所述谐振腔主体,所述夹具柱塞与中心导体相对设置;所述衰减器安装在所述谐振腔主体的另一端,所述连接矢网一端口和连接矢网二端口与所述谐振腔主体连接,所述精密电阻与所述连接矢网一端口连接。
[0008]进一步的,还包括密封圈,所述衰减器与所述谐振腔主体的连接处设置所述密封圈。
[0009]进一步的,所述中心导体包括内导体和外导体,所收内导体和外导体均为圆柱结构,所述内导体直径小于所述外导体直径。
[0010]进一步的,所述内导体与外导体为一体成型。
[0011]本技术的有益效果是:
[0012]本技术所述的5G频段谐振腔通过衰减器的设置,防止电磁波泄露,有效减少了测试误差,提高了测试的稳定性;通过衰减器与所述谐振腔主体之间设置密封圈,能更加有效防止电磁波泄露,保证测试结果的稳定性和准确性。
附图说明
[0013]图1为本技术5G应用频段测试谐振腔结构图;
[0014]图2为本技术测试程序流程图;
[0015]图3为本技术应用于5G元件的谐振腔开路和短路时Q值曲线图;
[0016]图中附图标记如下:
[0017]1-夹具柱塞、2-被测电容、3-中心导体、4-衰减器、5-精密电阻、6-连接矢网一端口、7-连接矢网二端口、8-谐振腔主体。
具体实施方式
[0018]下面结合附图1-3对5G应用谐振腔自动测试方法做进一步说明。
[0019]实施例1
[0020]谐振腔设计:
[0021]一种应用于5G元件的谐振腔,其特征在于,包括:夹具柱塞1、中心导体3、衰减器4、精密电阻5、连接矢网一端口6、连接矢网二端口7、谐振腔主体8,所述夹具柱塞1可活动地安装在所述谐振腔主体8一端,所述中心导体3内置于所述谐振腔主体8,所述夹具柱塞1与中心导体3相对设置;所述衰减器4安装在所述谐振腔主体8的另一端,所述连接矢网一端口6和连接矢网二端口7与所述谐振腔主体8连接,所述精密电阻5与所述连接矢网一端口6连接。
[0022]进一步的,还包括密封圈,所述衰减器4与所述谐振腔主体8的连接处设置所述密封圈。
[0023]进一步的,所述中心导体3包括内导体和外导体,所收内导体和外导体均为圆柱结构,所述内导体直径小于所述外导体直径。
[0024]进一步的,所述内导体与外导体为一体成型。
[0025]所述衰减器4与所述谐振腔主体8通过螺纹就进行连接,所述夹具柱塞1也通过螺纹进行连接,通过旋转调整与所述中心导体3的距离,二者之间用于放置被测电容2,通过夹具柱塞1进行夹紧固定。
[0026]谐振腔测试频段范围主要由腔体内导体尺寸决定,谐振腔需要测试到3.5GHz频段,需要1/4波长谐振频率需要落在0.42GHz频段,这样在第八个谐振点即15/4波长谐振频率在3.5GHz左右,可以覆盖5G应用3.5GHz频段测试要求。根据
[0027]C=λ/T=λ
·
f
[0028]其中C为光速,λ为波长,T为周期,f为频率。
[0029]可得,当1/4波长谐振频率为0.42GHz时,计算可得λ=19.1cm,谐振腔内导体尺寸为波长时,可以实现在1/4波长谐振也就是第一谐振点谐振频率为0.42GHz,到第八谐振点,测试频率能到3.5GHz,满足5G频段要求。
[0030]谐振腔自身有自己的谐振频率,在腔体内夹上电容之后,改变了腔体本身的谐振频率,根据测试的数据通过公式可以得出电容的ESR。
[0031]衰减器4用于防止高频下开路端电磁波的泄露,谐振腔一端是短路端,即固定电容这一端,另一端是开路端。
[0032]谐振腔的内外导体具体的尺寸要根据具体的测试元件的容值和尺寸进行调试和设计。
[0033]实施例2
[0034]一种谐振腔自动测试方法,步骤如下:
[0035]S1、程序初始化,输入测试参数;
[0036]S2、输入谐振腔的校准参数;
[0037]S3、依次寻找第一至第八谐振点的频率,降低扫描时间,减小扫描范围,重新扫描,分别读取各谐振点的频率和Q值;
[0038]S4、计算分别计算每个谐振点的ESR值、Corrected ESR值、Cp值和Q值。
[0039]进一步的,ESR值的计算方法如下:
[0040][0041][0042][0043]其中:Q
M
为测试频率下的Q值,Z0=75.75Ω,
[0044]进一步的,Corrected ESR值的计算方法如下:
[0045][0046][0047]进一步的,C值的计算方法如下:
[0048]C=-1/[2π本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于5G元件的谐振腔,其特征在于,包括:夹具柱塞(1)、中心导体(3)、衰减器(4)、精密电阻(5)、连接矢网一端口(6)、连接矢网二端口(7)、谐振腔主体(8),所述夹具柱塞(1)可活动地安装在所述谐振腔主体(8)一端,所述中心导体(3)内置于所述谐振腔主体(8),所述夹具柱塞(1)与中心导体(3)相对设置;所述衰减器(4)安装在所述谐振腔主体(8)的另一端,所述连接矢网一端口(6)和连接矢网二端口(7)与所述谐振腔主体(8)连接,...

【专利技术属性】
技术研发人员:许光吴继伟杨国兴
申请(专利权)人:大连达利凯普科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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