【技术实现步骤摘要】
保护电路
本技术涉及电路保护
，具体涉及一种保护电路。
技术介绍
各种各样的电子仪器仪表常在使用的过程中遇到异常的状况，比如使用万用表时，就可能因为人为疏忽的原因用电阻档来测试220V电压。这时一款可靠的万用表是不应该被烧坏的，这是因为万用表的电阻档拥有限流限压的保护电路。但是这是在本身就只需要很小电流低电压的情况下。并且现有电路基本上保护的是一个被动输入端，而不是一个主动输出能量的输出端。如果是一个本身就能输出1A电流的电压为0V～264V标准交流电压源，当遇到外界反向灌入另一个电压电流，比如误接入了市电的220V电源。首先如果输出端有保险丝，那么保险丝熔断。但是即使是快熔的保险丝，最快的熔断时间为10ms,而对于一个高精度由半导体器件构成的标准源，灌入1.7倍电压很容易在10ms内损坏。退一步讲，误接入其他电源或电路中出现雷击浪涌至少会导致保险丝熔断，这无疑也会影响电路的正常工作。
技术实现思路
本技术为解决过压过流导致电源损坏和影响电路正常工作的技术问题，提供了一种保护电路。本技术采用的技术方案如下：一种保护电路，包括：直流电提供模块，所述直流电提供模块具有相...
【技术保护点】
1.一种保护电路，其特征在于，包括：直流电提供模块，所述直流电提供模块具有相互独立的第一直流端和第二直流端，所述第一直流端和所述第二直流端分别输出第一直流电和第二直流电；第一保护模块，所述第一保护模块具有第一连接端、第二连接端、第一控制端和第二控制端，所述第一连接端与交流电路中的交流电压源相连，所述第二连接端与所述交流电路中的用电设备相连，所述第一控制端与所述第一直流端相连，所述第二控制端与所述第二直流端相连，所述第一保护模块用于在所述第一直流电和所述第二直流电的控制下对所述交流电路的电流进行限制，并用于对所述交流电路的电压进行限制。
【技术特征摘要】
1.一种保护电路，其特征在于，包括：直流电提供模块，所述直流电提供模块具有相互独立的第一直流端和第二直流端，所述第一直流端和所述第二直流端分别输出第一直流电和第二直流电；第一保护模块，所述第一保护模块具有第一连接端、第二连接端、第一控制端和第二控制端，所述第一连接端与交流电路中的交流电压源相连，所述第二连接端与所述交流电路中的用电设备相连，所述第一控制端与所述第一直流端相连，所述第二控制端与所述第二直流端相连，所述第一保护模块用于在所述第一直流电和所述第二直流电的控制下对所述交流电路的电流进行限制，并用于对所述交流电路的电压进行限制。2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一保护模块包括交流限流单元，所述交流限流单元包括：第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接到所述第一连接端的一个端子，所述第一NMOS管的栅极通过第一电阻连接到所述第一直流端的正极端，所述第一NMOS管的源极连接到所述第一直流端的负极端；第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极连接到所述第二连接端的一个端子，所述第二NMOS管的栅极通过第二电阻连接到所述第二直流端的正极端，所述第二NMOS管的源极连接到所述第二直流端的负极端，其中，所述第二连接端的另一个端子与所述第一连接端的另一个端子相连；限流电阻，所述限流电阻的一端与所述第一NMOS管的源极相连，所述限流电阻的另一端与所述第二NMOS管的源极相连；第一三极管，所述第一三极管的集电极通过第三电阻与所述第一NMOS管的栅极相连，所述第一三极管的基极通过第四电阻与所述限流电阻的一端相连，所述第一三极管的发射极与所述限流电阻的另一端相连；第二三极管，所述第二三极管的集电极通过第五电阻与所述第二NMOS管的栅极相连，所述第二三极管的基极通过第六电阻与所述限流电阻的另一端相连，所述第二三极管的发射极与所述限流电阻的一端相连。3.根据权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述第一保护模块包括交流限压单元，所述交流限压单元包括压敏电阻，所述压敏电阻的一端与所述第二连接端的一个端子相连，所述压敏电阻的另一端与所述第二连接端的另一个端子相连。4.根据权利要求3所述的保护电路，其特征在于，所述第一保护模块还包括连接在所述压敏电阻的一端与所述第二连接端的一个端子之间的第一断路器。5...
【专利技术属性】
技术研发人员：史津晖，
申请(专利权)人：南京丹迪克科技开发有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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