静态随机存取存储电路及存储器制造技术

一种静态随机存取存储电路及存储器，所述静态随机存取存储电路包括：存储单元，适于存储对应的数据信息；写入单元，适于在所述存储单元处于写入选中状态时，将相应的数据信息写入所述存储单元；在所述存储单元处于写入半选中状态时，禁止向所述存储单元中写入数据；读取单元，适于读取所述存储单元中存储的数据信息。上述的方案，可以消除SRAM电路的写干扰，提升SRAM电路的性能。

【技术实现步骤摘要】
静态随机存取存储电路及存储器
本专利技术涉及电路
，特别是涉及一种静态随机存取存储电路及存储器。
技术介绍
静态随机存取存储(StaticRandomAccessMemory，SRAM)，常被用于计算机设备中暂时存储数据，只要有持续的电源提供，并可以对所存储的数据进行持续存储，而不需要任何的更新操作。与动态随机存取存储(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)电路相比，不需要每隔一段时间刷新充电一次，以避免内部存储数据的消失，因此，SRAM电路具有较高的性能，且功耗较小。但是，现有的SRAM电路，存在着写干扰的问题，影响了SRAM电路的性能。
技术实现思路
本专利技术实施例要解决的技术问题是如何消除SRAM电路的写干扰，提升SRAM电路的性能。为了解决上述问题，本专利技术实施例提供一种静态随机存取存储电路，包括：存储单元，适于存储对应的数据信息；写入单元，适于在所述存储单元处于写入选中状态时，将相应的数据信息写入所述存储单元；在所述存储单元处于写入半选中状态时，禁止向所述存储单元中写入数据；读取单元，适于读取所述存储单元中存储的数据信息。可选地，所述存储单元包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静态随机存取存储电路，其特征在于，包括：存储单元，适于存储对应的数据信息；写入单元，适于在所述存储单元处于写入选中状态时，将相应的数据信息写入所述存储单元；在所述存储单元处于写入半选中状态时，禁止向所述存储单元中写入数据；读取单元，适于读取所述存储单元中存储的数据信息。

【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储电路，其特征在于，包括：存储单元，适于存储对应的数据信息；写入单元，适于在所述存储单元处于写入选中状态时，将相应的数据信息写入所述存储单元；在所述存储单元处于写入半选中状态时，禁止向所述存储单元中写入数据；读取单元，适于读取所述存储单元中存储的数据信息。2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储电路，其特征在于，所述存储单元包括交叉耦接的第一反相器和第二反相器。3.根据权利要求2所述的静态随机存取存储电路，其特征在于，所述第一反相器包括第一PMOS管和第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅端与所述第一NMOS管的栅端耦接，并与所述第二反相器耦接；所述第一PMOS管的源端与预设的电源电压耦接；所述第一PMOS管的漏端与所述第一NMOS管的漏端耦接，并作为第一电压节点；所述第一NMOS管的源端与地电压耦接。4.根据权利要求3所述的静态随机存取存储电路，其特征在于，所述第二反相器包括第二PMOS管和第二NMOS管；所述第二PMOS管的栅端与所述第二NMOS管的栅端耦接，并与所述第一电压节点耦接；所述第二PMOS管的源端与所述电源电压耦接；所述第一PMOS管的漏端与所述第二NMOS管的漏端耦接，并作为第二电压节点；所述第二NMOS管的源端与地电压耦接。5.根据权利要求4所述的静态随机存取存储电路，其特征在于，所述读取控制单元包括第五NMOS管和第六NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颖倩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31